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メモリ（648）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	sicプログラム可能
7164S25yg	3.8100	RFQ	6975	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm）	7164S	sram-非同期	4.5v〜5.5V	28-SOJ	ダウンロード					ear99	8542.32.0041	1		揮発性	64kbit	25 ns	sram	8k x 8	平行	25ns
7164L85TDB	-	RFQ	8061	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-55°C〜125°C	穴を通して	28-CDIP （0.300 "、7.62mm）	7164L	sram-非同期	4.5v〜5.5V	28-CDIP	ダウンロード					3A001A2C	8542.32.0041	1		揮発性	64kbit	85 ns	sram	8k x 8	平行	85ns
71V35761SA166BGI	11.7900	RFQ	34	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	119-BGA	71V35761S	sram- sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA	ダウンロード					3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	揮発性	4.5mbit	3.5 ns	sram	128k x 36	平行	-
71V3578S133PF	-	RFQ	8688	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	71V3578	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	揮発性	4.5mbit	4.2 ns	sram	256k x 18	平行	-
71V416VL15BEG	2.6600	RFQ	494	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	48-TFBGA	71V416V	sram-非同期	3V〜3.6V	48-cabga （9x9）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991B2A	8542.32.0041	1		揮発性	4mbit	15 ns	sram	256k x 16	平行	15ns
71v65603S100pfi	4.5000	RFQ	1	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	71v65603	sram- sdr（zbt）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	揮発性	9mbit	5 ns	sram	256k x 36	平行	-
71v632S7pfi	-	RFQ	6094	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	71v632	sram- sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1	66 MHz	揮発性	2mbit	7 ns	sram	64k x 32	平行	-
71V256SA12YI	-	RFQ	7530	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm）	71v256	sram-非同期	3V〜3.6V	28-SOJ	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		ear99	8542.32.0041	1		揮発性	256kbit	12 ns	sram	32k x 8	平行	12ns
71V2556S133PFGI	-	RFQ	7460	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	71v2556	sram- sdr（zbt）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード						8542.32.0041	1	133 MHz	揮発性	4.5mbit	4.2 ns	sram	128k x 36	平行	-
71v3576ys150pfg	2.0100	RFQ	4	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	71V3576	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	揮発性	4.5mbit	3.8 ns	sram	128k x 36	平行	-
71V424S15YI	-	RFQ	2568	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	36-bsoj（0.400 "、10.16mm 幅）	71V424	sram-非同期	3V〜3.6V	36-SOJ	-	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1		揮発性	4mbit	15 ns	sram	512k x 8	平行	15ns
71v416S12ph	-	RFQ	9847	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	71V416S	sram-非同期	3V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1		揮発性	4mbit	12 ns	sram	256k x 16	平行	12ns
71V547S80PF	1.6600	RFQ	360	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	71V547	sram- sdr（zbt）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1		揮発性	4.5mbit	8 ns	sram	128k x 36	平行	-
71v65703S75pfi	6.0000	RFQ	128	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	71v65703	sram- sdr（zbt）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1		揮発性	9mbit	7.5 ns	sram	256k x 36	平行	-
71V016SA10PHGI8	-	RFQ	1024	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	71V016	sram-非同期	3.15V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード					3A991B2B	8542.32.0041	1		揮発性	1mbit	10 ns	sram	64k x 16	平行	10ns
6116SA45TPG	2.8000	RFQ	8289	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	穴を通して	24-dip （0.300 "、7.62mm）	6116SA	sram-非同期	4.5v〜5.5V	24-pdip	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	1		揮発性	16kbit	45 ns	sram	2k x 8	平行	45ns
71V67603S150BQ	-	RFQ	6658	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA	71v67603	sram- sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	揮発性	9mbit	3.8 ns	sram	256k x 36	平行	-
71V35761SA200BG	14.7800	RFQ	29	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	119-BGA	71V35761S	sram- sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA	ダウンロード					3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	揮発性	4.5mbit	3.1 ns	sram	128k x 36	平行	-
71V2556S100PFG	7.6600	RFQ	416	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	71v2556	sram- sdr（zbt）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード						8542.32.0041	1	100 MHz	揮発性	4.5mbit	5 ns	sram	128k x 36	平行	-
71V256SA15YG6	-	RFQ	2969	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm）	71v256	sram-非同期	3V〜3.6V	28-SOJ	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		3A991B2B	8542.32.0041	1		揮発性	256kbit	15 ns	sram	32k x 8	平行	15ns
71V25761S183PFI	2.0100	RFQ	7372	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	71v25761	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP	-	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた	2156-71V25761S183PFI	3A991B2A	8542.32.0041	1	183 MHz	揮発性	4.5mbit	5.5 ns	sram	128k x 36	平行	-	確認されていません
71v3576ys150pf	1.5000	RFQ	2	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	71V3576	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	揮発性	4.5mbit	3.8 ns	sram	128k x 36	平行	-
6116la70tdb	22.3600	RFQ	114	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-55°C〜125°C	穴を通して	24-CDIP （0.300 "、7.62mm）	6116la	sram-非同期	4.5v〜5.5V	24-CDIP	ダウンロード					3A001A2C	8542.32.0041	1		揮発性	16kbit	70 ns	sram	2k x 8	平行	70ns
71V3559S80PFG	7.6600	RFQ	338	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	71V3559	sram- sdr（zbt）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード					3A991B2A	8542.32.0041	1		揮発性	4.5mbit	8 ns	sram	256k x 18	平行	-
71V632S7PFGI	-	RFQ	2184	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	71v632	sram- sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14	ダウンロード					3A991B2A	8542.32.0041	1	66 MHz	揮発性	2mbit	7 ns	sram	64k x 32	平行	-
71v424yl10yi	-	RFQ	4435	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	36-bsoj（0.400 "、10.16mm 幅）	71V424	sram-非同期	3V〜3.6V	36-SOJ	-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991B2A	8542.32.0041	1		揮発性	4mbit	10 ns	sram	512k x 8	平行	10ns
6116SA20TPGI	-	RFQ	8996	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	穴を通して	24-dip （0.300 "、7.62mm）	6116SA	sram-非同期	4.5v〜5.5V	24-pdip	ダウンロード					ear99	8542.32.0041	1		揮発性	16kbit	20 ns	sram	2k x 8	平行	20ns
71V3579S85PF	1.5000	RFQ	2	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	71V3579	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1		揮発性	4.5mbit	8.5 ns	sram	256k x 18	平行	-
71V3558S200PFG	-	RFQ	2631	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	71V3558	sram- sdr（zbt）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	揮発性	4.5mbit	3.2 ns	sram	256k x 18	平行	-
7164L20YGI	3.8100	RFQ	2	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm）	7164L	sram-非同期	4.5v〜5.5V	28-SOJ	ダウンロード					ear99	8542.32.0041	1		揮発性	64kbit	20 ns	sram	8k x 8	平行	20ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（648）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²