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メモリ（5712）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS61LPS51218A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51218A-200TQLI-TR 12.7500
RFQ
 ECAD 1671 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS61LPS51218 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 揮発性 9mbit 3.1 ns sram 512K x 18 平行 -
IS25LP016D-JMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JMLE-TR 0.9124
RFQ
 ECAD 4201 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） IS25LP016 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LP016D-JMLE-TR ear99 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS46R16160D-5TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160D-5TLA1-TR 5.8917
RFQ
 ECAD 7788 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS46R16160 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS42S32160F-75EBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-75EBL-TR 11.7300
RFQ
 ECAD 7190 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 133 MHz 揮発性 512mbit 6 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS42S16100F-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-5TL-TR -
RFQ
 ECAD 8460 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16100 SDRAM 3V〜3.6V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 200 MHz 揮発性 16mbit 5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS25LQ080B-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ080B-JKLE -
RFQ
 ECAD 7429 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク sicで中止されました -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド IS25LQ080 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1330 ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 1ms
IS46TR16640ED-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640ED-125KBLA2-TR 8.2688
RFQ
 ECAD 3087 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46TR16640ED-125KBLA2-TR 1,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
IS42S32400D-6T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-6T -
RFQ
 ECAD 4147 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS43TR82560DL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560DL-125KBL 3.8053
RFQ
 ECAD 7041 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR82560DL-125KBL ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
IS62WV5128BLL-55T2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55T2LI 4.6900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-SOIC （0.400 "、幅 10.16mm） IS62WV5128 sram-非同期 2.5V〜3.6V 32-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 117 揮発性 4mbit 55 ns sram 512k x 8 平行 55ns
IS25LP128F-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-JLLE-TR 1.8644
RFQ
 ECAD 8435 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド IS25LP128 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS43TR81280CL-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280CL-125JBLI-TR 3.5251
RFQ
 ECAD 8781 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR81280CL-125JBLI-TR ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS62C25616BL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C25616BL-45TLI -
RFQ
 ECAD 2279 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS62C25616 sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 4mbit 45 ns sram 256k x 16 平行 45ns
IS42S32400B-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-7TL-TR -
RFQ
 ECAD 8104 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS25LP016D-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JNLE 0.9400
RFQ
 ECAD 6479 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS25LP016 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1583 ear99 8542.32.0071 100 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS42S32800D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-6BL-TR -
RFQ
 ECAD 9828 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 -
IS42S32200L-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-6tli 4.2782
RFQ
 ECAD 1461 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32200 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 2m x 32 平行 -
IS61DDB41M18A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB41M18A-250M3L 32.3796
RFQ
 ECAD 1510 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga IS61DDB41 sram- ddr ii 1.71V〜1.89V 165-lfbga（15x17） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 105 250 MHz 揮発性 18mbit 8.4 ns sram 1m x 18 平行 -
IS42S32200L-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-6TL-TR 2.8787
RFQ
 ECAD 5597 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32200 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 2m x 32 平行 -
IS25WP032A-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032A-JBLE-TR -
RFQ
 ECAD 6757 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） IS25WP032 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS42S32800D-75EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-75EBLI-TR -
RFQ
 ECAD 1878年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 平行 -
IS25LD020-JDLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LD020-JDLE -
RFQ
 ECAD 4012 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） IS25LD020 フラッシュ 2.3V〜3.6V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 100 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 5ms
IS43DR16320C-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-3DBL-TR 3.2736
RFQ
 ECAD 4512 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS61LV12816L-10LQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10LQI-TR -
RFQ
 ECAD 7085 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-LQFP IS61LV12816 sram-非同期 3.135V〜3.6V 44-lqfp（10x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 揮発性 2mbit 10 ns sram 128k x 16 平行 10ns
IS41LV16105B-50KL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105B-50KL-TR -
RFQ
 ECAD 2523 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 42-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） IS41LV16105 DRAM -FP 3V〜3.6V 42-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 揮発性 16mbit 25 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS42S83200D-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200D-7TLI-TR -
RFQ
 ECAD 5184 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S83200 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 -
IS61NLP12836EC-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP12836EC-200TQLI-TR 6.8099
RFQ
 ECAD 4914 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS61NLP12836 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 揮発性 4.5mbit 3.1 ns sram 128k x 36 平行 -
IS42S83200G-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200G-7TL 5.2239
RFQ
 ECAD 3485 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S83200 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 108 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 -
IS45S16320F-7CTLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-7CTLA1 13.3610
RFQ
 ECAD 3139 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS45S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 108 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS46DR16320C-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320C-3DBLA2 9.2717
RFQ
 ECAD 4681 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 209 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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