RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

メモリ（5712）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS61NLF51236-6.5B3I	-	RFQ	3931	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-TBGA	IS61NLF51236	sram- sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144	133 MHz	揮発性	18mbit	6.5 ns	sram	512K x 36	平行	-
IS42S16100E-6TLI	-	RFQ	1787	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S16100	SDRAM	3V〜3.6V	50-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	117	166 MHz	揮発性	16mbit	5.5 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
IS49NLC18160-25B	-	RFQ	7818	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	144-TFBGA	IS49NLC18160	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	104	400 MHz	揮発性	288mbit	20 ns	ドラム	16m x 18	平行	-
IS61WV5128BLL-10TLI	4.2600	RFQ	4	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS61WV5128	sram-非同期	2.4V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	135		揮発性	4mbit	10 ns	sram	512k x 8	平行	10ns
IS46R16160D-6BLA2-TR	7.2900	RFQ	4693	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	60-TFBGA	IS46R16160	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	60-tfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	16m x 16	平行	15ns
IS43TR16640BL-125KBL	-	RFQ	3130	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	トレイ	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS43TR16640BL-125KBL	ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS43R86400E-5BLI-TR	-	RFQ	6797	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	60-TFBGA	IS43R86400	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	60-tfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	2,500	200 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	64m x 8	平行	15ns
IS43DR16128A-3DBLI	-	RFQ	9768	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	84-LFBGA	IS43DR16128	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-lfbga（ 10.5x13.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	162	333 MHz	揮発性	2Gbit	450 PS	ドラム	128m x 16	平行	15ns
IS41LV16105B-60TLI-TR	-	RFQ	7151	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS41LV16105	DRAM -FP	3V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,000		揮発性	16mbit	30 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
IS42S32400D-7TI-TR	-	RFQ	9919	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S32400	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,500	143 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
IS61NLP25618A-200TQI	-	RFQ	5502	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS61NLP25618	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	揮発性	4.5mbit	3.1 ns	sram	256k x 18	平行	-
IS43R32800D-5BL	-	RFQ	6580	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	144-LFBGA	IS43R32800	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	144-LFBGA（12x12）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	189	200 MHz	揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	8m x 32	平行	15ns
IS42S32400D-6B-TR	-	RFQ	7653	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32400	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
IS42S32160C-75BLI	-	RFQ	9015	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-lfbga	IS42S32160	SDRAM	3V〜3.6V	90-WBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	240	133 MHz	揮発性	512mbit	6 ns	ドラム	16m x 32	平行	-
IS43R16160B-6TLI-TR	-	RFQ	2231	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS43R16160	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	16m x 16	平行	15ns
IS61QDB41M36A-250M3L	-	RFQ	5253	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61QDB41	sram- 同期、クワッド	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	揮発性	36mbit	8.4 ns	sram	1m x 36	平行	-
IS62WV6416BLL-55TLI-TR	1.6971	RFQ	3327	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS62Wv6416	sram-非同期	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	1,000		揮発性	1mbit	55 ns	sram	64k x 16	平行	55ns
IS62WV20488BLL-25TLI	18.7836	RFQ	2076	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS62WV20488	sram-非同期	2.4V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	135		揮発性	16mbit	25 ns	sram	2m x 8	平行	25ns
IS43DR81280B-3DBI-TR	-	RFQ	7998	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	60-TFBGA	IS43DR81280	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	2,000	333 MHz	揮発性	1gbit	450 PS	ドラム	128m x 8	平行	15ns
IS42VM16800H-6BLI	4.5034	RFQ	7237	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS42VM16800	sdram-モバイル	1.7V〜1.95V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	348	166 MHz	揮発性	128mbit	5.5 ns	ドラム	8m x 16	平行	-
IS49NLC93200-33B	-	RFQ	2258	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	144-TFBGA	IS49NLC93200	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	104	300 MHz	揮発性	288mbit	20 ns	ドラム	32m x 9	平行	-
IS42S81600E-6TL	-	RFQ	5148	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S81600	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 8	平行	-
IS42S32800J-75EBL-TR	5.6100	RFQ	8134	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32800	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	2,500	133 MHz	揮発性	256mbit	6 ns	ドラム	8m x 32	平行	-
IS43LR16640A-6BLI-TR	9.9150	RFQ	9223	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	60-TFBGA	IS43LR16640	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-TWBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	2,000	166 MHz	揮発性	1gbit	5 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS61QDP2B24M18A-333M3L	100.1770	RFQ	4830	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61QDP2	sram- quadp	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	333 MHz	揮発性	72mbit	8.4 ns	sram	4m x 18	平行	-
IS62WV5128DBLL-45T2LI	-	RFQ	2677	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-SOIC （0.400 "、幅 10.16mm）	IS62WV5128	sram-非同期	2.3V〜3.6V	32-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	117		揮発性	4mbit	45 ns	sram	512k x 8	平行	45ns
IS42SM32100C-6BLI-TR	-	RFQ	6376	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS42SM32100	sdram-モバイル	3V〜3.6V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	揮発性	32mbit	5.5 ns	ドラム	1M x 32	平行	-
IS61NLP204818A-166TQ	-	RFQ	5044	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	IS61NLP204818	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72	166 MHz	揮発性	36mbit	3.5 ns	sram	2m x 18	平行	-
IS43TR85120A-15HBL	6.5854	RFQ	2245	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （9x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	220	667 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	512m x 8	平行	15ns
IS62WV5128EBLL-45TLI-TR	2.6470	RFQ	2040	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	IS62WV5128	sram-非同期	2.2V〜3.6V	32-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,500		揮発性	4mbit	45 ns	sram	512k x 8	平行	45ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²