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メモリ（5712）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS25WP128-RHLE	3.1100	RFQ	4	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	24-tbga	IS25WP128	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	24-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	spi -quad i/o	800µs
IS25WP040E-JYLA3-TR	0.4703	RFQ	3106	ISSI、統合Silicon Solution Inc	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS25WP040E-JYLA3-TR			5,000
IS25WP128-JKLE-TR	1.8948	RFQ	1743	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-wdfn露出パッド	IS25WP128	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8-wson （6x5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	4,500	133 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	spi -quad i/o	800µs
IS61NVP25672-200B1I-TR	-	RFQ	2539	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	209-BGA	IS61NVP25672	sram- sdr	2.375V〜2.625V	209-LFBGA（14x22）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	200 MHz	揮発性	18mbit	3.1 ns	sram	256k x 72	平行	-
IS37SML01G1-MLI	-	RFQ	8774	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	廃止	-40°C〜85°C	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	IS37SML01	フラッシュ-nand（slc）	2.7V〜3.6V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	44	104 MHz	不揮発性	1gbit	8 ns	フラッシュ	128m x 8	spi	-
IS25WP256D-JMLE-TR	3.8581	RFQ	2100	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	IS25WP256	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	104 MHz	不揮発性	256mbit		フラッシュ	32m x 8	spi -quad i/o	800µs
IS43R16160F-6TLI	3.5400	RFQ	2	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS43R16160	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	16m x 16	平行	15ns
IS62C5128EL-45TLI	3.5517	RFQ	1952年年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅）		sram-非同期	4.5v〜5.5V	32 stsop i	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS62C5128EL-45TLI			117		揮発性	4mbit	45 ns	sram	512k x 8	平行	45ns
IS45S16400F-7TLA2-TR	-	RFQ	8404	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅）	IS45S16400	SDRAM	3V〜3.6V	50-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,500	143 MHz	揮発性	64mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 16	平行	-
IS43TR16128B-107MBL-TR	-	RFQ	3017	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	2,500	933 MHz	揮発性	2Gbit	195 ps	ドラム	128m x 16	平行	15ns
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IS25LP032D-JKLE-TR	0.9035	RFQ	2038	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-wdfn露出パッド	IS25LP032	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	8-wson （6x5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	4,500	133 MHz	不揮発性	32mbit		フラッシュ	4m x 8	spi -quad i/o	800µs
IS64WV6416BLL-15TA3	-	RFQ	7701	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS64Wv6416	sram-非同期	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	135		揮発性	1mbit	15 ns	sram	64k x 16	平行	15ns
IS46DR16128A-3DBLA1-TR	-	RFQ	2786	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	84-LFBGA	IS46DR16128	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-lfbga（ 10.5x13.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	1,500	333 MHz	揮発性	2Gbit	450 PS	ドラム	128m x 16	平行	15ns
IS42RM32160C-75BLI	-	RFQ	8592	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-lfbga	IS42RM32160	sdram-モバイル	2.3V〜3V	90-WBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	240	133 MHz	揮発性	512mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 32	平行	-
IS42S32160A-75BI-TR	-	RFQ	2530	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-lfbga	IS42S32160	SDRAM	3V〜3.6V	90-lfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	2,500	133 MHz	揮発性	512mbit	6 ns	ドラム	16m x 32	平行	-
IS43R86400D-5TL	5.9627	RFQ	8346	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS43R86400	SDRAM -DDR	2.5V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	108	200 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	64m x 8	平行	15ns
IS43R83200D-5TL-TR	4.9392	RFQ	2946	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS43R83200	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,500	200 MHz	揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	32m x 8	平行	15ns
IS62WV6416FBLL-45BLI-TR	1.5491	RFQ	1359	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA		sram-非同期	2.2V〜3.6V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS62WV6416FBLL-45BLI-TR			2,500		揮発性	1mbit	45 ns	sram	64k x 16	平行	45ns
IS61DDB22M18A-250M3L	-	RFQ	3524	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61DDB22	sram- ddr ii	1.71V〜1.89V	165-lfbga（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	105	250 MHz	揮発性	36mbit	8.4 ns	sram	2m x 18	平行	-
IS43R16320E-5BLI	8.1078	RFQ	4581	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	60-TFBGA	IS43R16320	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	60-tfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	190	200 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	32m x 16	平行	15ns
IS43DR16128C-3DBLI-TR	11.3700	RFQ	6645	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	84-TFBGA	IS43DR16128	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	2,500	333 MHz	揮発性	2Gbit	450 PS	ドラム	128m x 16	平行	15ns
IS42S32800D-6BL	-	RFQ	3603	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32800	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	240	166 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	8m x 32	平行	-
IS43R16160F-6TL	3.4500	RFQ	524	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS43R16160	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	16m x 16	平行	15ns
IS43R16320D-5TL	5.8923	RFQ	8863	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS43R16320	SDRAM -DDR	2.5V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	108	200 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	32m x 16	平行	15ns
IS42S32200C1-7T	-	RFQ	6414	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S32200	SDRAM	3.15V〜3.45V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS45S32200E-6BLA1	-	RFQ	2270	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS45S32200	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS64LPS12832EC-200TQLA3-TR	9.9825	RFQ	9279	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS64LPS12832	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	揮発性	4mbit	3.1 ns	sram	128k x 32	平行	-
IS43TR16512S2DL-107MBLI	21.8669	RFQ	6929	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-LFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-LWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43TR16512S2DL-107MBLI			190	933 MHz	揮発性	8gbit	20 ns	ドラム	512m x 16	平行	15ns
IS43DR82560B-25EBL-TR	-	RFQ	2644	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	60-TFBGA	IS43DR82560	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（10.5x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	1,500	400 MHz	揮発性	2Gbit	400 PS	ドラム	256m x 8	平行	15ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²