SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS42S81600F-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600F-6TL-TR 2.3042
RFQ
ECAD 6560 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S81600 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 16m x 8 平行 -
IS42S32160F-75ETLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-75ETLI-TR 13.2000
RFQ
ECAD 9756 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,500 133 MHz 揮発性 512mbit 6 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS43DR82560B-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560B-3DBL-TR -
RFQ
ECAD 7865 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 60-TFBGA IS43DR82560 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(10.5x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 256m x 8 平行 15ns
IS42S16320B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-6BLI -
RFQ
ECAD 2106 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-WBGA (11x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 144 166 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS61WV102416DBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416DBLL-10BLI 14.2700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61WV102416 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-1540 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 16mbit 10 ns sram 1m x 16 平行 10ns
IS61LPS204818B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS204818B-200TQLI-TR 74.2500
RFQ
ECAD 2320 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lqfp IS61LPS204818 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp(14x20) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 揮発性 36mbit 3.1 ns sram 2m x 18 平行 -
IS62WV102416FBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416FBLL-45BLI 10.3200
RFQ
ECAD 4989 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-VFBGA IS62WV102416 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 16mbit 45 ns sram 1m x 16 平行 45ns
IS25WP256D-RHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256D-RHLE-TR 3.7224
RFQ
ECAD 2498 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-tbga IS25WP256 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 104 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS61WV25616BLL-10BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616BLL-10BI-TR -
RFQ
ECAD 8222 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61WV25616 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
IS42S32200E-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-7BL -
RFQ
ECAD 8047 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-TFBGA IS42S32200 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 143 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 -
IS43TR16640AL-125JBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640AL-125JBL-TR -
RFQ
ECAD 2181 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) sicで中止されました 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS61QDB22M18A-250M3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB22M18A-250M3LI -
RFQ
ECAD 7240 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 165-lbga IS61QDB22 sram- 同期、クワッド 1.71V〜1.89V 165-lfbga(15x17) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 揮発性 36mbit 8.4 ns sram 2m x 18 平行 -
IS42VS16100C1-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VS16100C1-10TLI-TR -
RFQ
ECAD 9919 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅) IS42VS16100 SDRAM 1.7V〜1.9V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 100 MHz 揮発性 16mbit 7 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS42VS16100C1-10T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VS16100C1-10T -
RFQ
ECAD 4827 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅) IS42VS16100 SDRAM 1.7V〜1.9V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 117 100 MHz 揮発性 16mbit 7 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS61LV10248-10T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV10248-10T-TR -
RFQ
ECAD 3169 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS61LV10248 sram-非同期 3.135V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 8mbit 10 ns sram 1m x 8 平行 10ns
IS42S16100F-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-6TL-TR -
RFQ
ECAD 8712 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S16100 SDRAM 3V〜3.6V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 揮発性 16mbit 5.5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS42VM32100D-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32100D-75BLI 2.4203
RFQ
ECAD 4045 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42VM32100 sdram-モバイル 1.7V〜1.95V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 133 MHz 揮発性 32mbit 6 ns ドラム 1M x 32 平行 -
IS62WV6416ALL-55BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416ALL-55BI -
RFQ
ECAD 2562 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62Wv6416 sram-非同期 1.7V〜2.2V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 480 揮発性 1mbit 55 ns sram 64k x 16 平行 55ns
IS43TR16128C-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128C-125KBLI-TR 5.6023
RFQ
ECAD 1173 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS42S32160B-75TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75TL-TR -
RFQ
ECAD 5473 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 揮発性 512mbit 5.5 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS61LPS12836A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836A-200TQI-TR -
RFQ
ECAD 2519 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lqfp IS61LPS12836 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp(14x20) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 揮発性 4.5mbit 3.1 ns sram 128k x 36 平行 -
IS41LV16105B-50TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105B-50TLI -
RFQ
ECAD 2905 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS41LV16105 DRAM -FP 3V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 117 揮発性 16mbit 25 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS61LV12824-10TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-10TQ-TR -
RFQ
ECAD 2031 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp IS61LV12824 sram-非同期 3.135V〜3.6V 100-lqfp(14x20) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 揮発性 3mbit 10 ns sram 128k x 24 平行 10ns
IS62WV102416BLL-25MI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416BLL-25MI-TR -
RFQ
ECAD 6299 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV102416 sram-非同期 1.65v〜3.6V 48-minibga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 16mbit 25 ns sram 1m x 16 平行 25ns
IS42VS16160J-75TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VS16160J-75Tli -
RFQ
ECAD 2025 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42VS16160 SDRAM 1.7V〜1.9V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 348 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS45S16160J-6CTLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-6CTLA1 5.2943
RFQ
ECAD 3916 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS45S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 108 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS43DR16640B-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-25DBLI 9.4300
RFQ
ECAD 152 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-1276 ear99 8542.32.0032 209 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS22ES04G-JCLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22ES04G-JCLA1 -
RFQ
ECAD 6054 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 153-VFBGA IS22ES04 フラッシュ-nand (mlc) 2.7V〜3.6V 153-VFBGA (11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS22ES04G-JCLA1 3A991B1A 8542.32.0071 152 200 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 EMMC -
IS61LPS12836A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836A-200TQLI 10.4000
RFQ
ECAD 3612 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lqfp IS61LPS12836 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp(14x20) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 揮発性 4.5mbit 3.1 ns sram 128k x 36 平行 -
IS43LD32320C-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32320C-25BLI-TR 9.0000
RFQ
ECAD 7423 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 134-TFBGA IS43LD32320 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.95V 134-TFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,000 400 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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    15,000 m2

    在庫倉庫