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メモリ（5712）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS62C256AL-25ULI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C256AL-25ULI 1.2315
RFQ
 ECAD 4702 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-SOIC （0.330 "、幅8.38mm） IS62C256 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 120 揮発性 256kbit 25 ns sram 32k x 8 平行 25ns
IS25CD010-JDLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD010-JDLE-TR -
RFQ
 ECAD 9173 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） IS25CD010 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,500 100 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi 5ms
IS42S16320D-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-7TLI 17.3200
RFQ
 ECAD 1258 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1269 ear99 8542.32.0028 108 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS61NLP12836B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP12836B-200TLI 8.3815
RFQ
 ECAD 2252 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS61NLP12836 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 揮発性 4.5mbit 3.1 ns sram 128k x 36 平行 -
IS61C1024AL-12KI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C1024AL-12KI -
RFQ
 ECAD 8420 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-BSOJ （0.400 "、10.16mm 幅） IS61C1024 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 21 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 12ns
IS43R16160F-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-5BLI 4.3807
RFQ
 ECAD 8470 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43R16160 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-tfbga （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 190 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS46TR16128B-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128B-125KBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 6754 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS61C1024-15JI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C1024-15JI -
RFQ
 ECAD 3524 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） IS61C1024 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない Q3397131 3A991B2B 8542.32.0041 1 揮発性 1mbit 15 ns sram 128k x 8 平行 15ns
IS43R86400E-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5BL-TR -
RFQ
 ECAD 3388 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-tfbga （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
IS42S32200E-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-6BL -
RFQ
 ECAD 4246 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS42S32200 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 -
IS61LV25616AL-10T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10T-TR -
RFQ
 ECAD 4443 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS61LV25616 sram-非同期 3.135V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
IS61WV51216BLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216BLL-10TLI 15.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS61WV51216 sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 8mbit 10 ns sram 512K x 16 平行 10ns
IS43LD32320A-3BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32320A-3BLI -
RFQ
 ECAD 7166 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 134-TFBGA IS43LD32320 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-TFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 171 333 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 15ns
IS61LF51236B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236B-7.5TQLI-TR 13.9821
RFQ
 ECAD 1527 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS61LF51236 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 揮発性 18mbit 7.5 ns sram 512K x 36 平行 -
IS43DR16128B-25EBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128B-25EBL-TR -
RFQ
 ECAD 9046 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TW-BGA（10.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS43DR16640B-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-3DBI -
RFQ
 ECAD 2856 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 209 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS61C3216AL-12KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C3216AL-12KLI-TR 2.0882
RFQ
 ECAD 2806 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） IS61C3216 sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 800 揮発性 512kbit 12 ns sram 32k x 16 平行 12ns
IS46TR16640AL-125JBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640AL-125JBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 3202 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
IS61WV51216BLL-10MLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216BLL-10MLI-TR 12.7500
RFQ
 ECAD 4264 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61WV51216 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-minibga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 8mbit 10 ns sram 512K x 16 平行 10ns
IS43R16160B-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160b-6tli -
RFQ
 ECAD 2943 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS43R16160 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 108 166 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS61NVF51236B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236B-7.5TQLI-TR 13.9821
RFQ
 ECAD 3341 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS61NVF51236 sram- sdr 2.375V〜2.625V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 揮発性 18mbit 7.5 ns sram 512K x 36 平行 -
IS63WV1024BLL-12JLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1024BLL-12JLI 1.8965
RFQ
 ECAD 1098 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） IS63WV1024 sram-非同期 3V〜3.6V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 22 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 12ns
IS62WV5128BLL-55T2I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55T2I-TR -
RFQ
 ECAD 2153 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-SOIC （0.400 "、幅 10.16mm） IS62WV5128 sram-非同期 2.5V〜3.6V 32-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 55 ns sram 512k x 8 平行 55ns
IS61LPS102436A-166TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102436A-166TQLI -
RFQ
 ECAD 9980 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS61LPS102436 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 166 MHz 揮発性 36mbit 3.5 ns sram 1m x 36 平行 -
IS43TR82560C-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560C-15HBLI 6.4615
RFQ
 ECAD 2556 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
IS43R16320F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320F-6BL 5.7164
RFQ
 ECAD 8649 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA IS43R16320 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-tfbga （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 190 166 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS43TR16128C-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128C-15HBL-TR 5.0226
RFQ
 ECAD 6541 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS66WVE2M16EBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE2M16EBLL-70BLI-TR 3.1099
RFQ
 ECAD 4832 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS66WVE2M16 psram（pseudo sram 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 32mbit 70 ns psram 2m x 16 平行 70ns
IS43TR16128AL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128AL-15HBLI -
RFQ
 ECAD 9970 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS67WVC4M16EALL-7010BLIA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS67WVC4M16EALL-7010BLIA1-TR -
RFQ
 ECAD 7016 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） IS67WVC4M16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 104 MHz 揮発性 64mbit 70 ns psram 4m x 16 平行 70ns
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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