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メモリ（5712）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS46LR32160C-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR32160C-6BLA2-TR 12.3150
RFQ
 ECAD 7363 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS46LR32160 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 揮発性 512mbit 5.5 ns ドラム 16m x 32 平行 12ns
IS42VS16100C1-10TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VS16100C1-10TI -
RFQ
 ECAD 9903 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅） IS42VS16100 SDRAM 1.7V〜1.9V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 117 100 MHz 揮発性 16mbit 7 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS62WV12816EALL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816EALL-55TLI 2.7996
RFQ
 ECAD 9811 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS62WV12816 sram-非同期 1.65V〜2.2V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 2mbit 45 ns sram 128k x 16 平行 45ns
IS25LP256D-JHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-JHLE 3.8129
RFQ
 ECAD 2456 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 2.3V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25LP256D-JHLE 480 166 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 40µs 、800µs
IS46LQ16256AL-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256AL-062BLA1 -
RFQ
 ECAD 4251 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-VFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ16256AL-062BLA1 136 1.6 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 256m x 16 LVSTL 18ns
IS25WP256E-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256E-RMLE-TR 4.0063
RFQ
 ECAD 9019 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 1.7V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25WP256E-RMLE-TR 1,000 166 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 50µs、1ms
IS46R16320D-5TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-5TLA1 9.7086
RFQ
 ECAD 1635 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS46R16320 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 108 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS43R83200F-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200F-5TL-TR 2.8125
RFQ
 ECAD 5545 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS43R83200 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
IS25LP016D-JMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JMLE -
RFQ
 ECAD 9383 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） IS25LP016 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LP016D-JMLE ear99 8542.32.0071 44 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS25WP256E-RHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256E-RHLA3 5.1670
RFQ
 ECAD 4208 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 1.7V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25WP256E-RHLA3 480 166 MHz 不揮発性 256mbit 5.5 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 50µs、1ms
IS46TR16640C-125JBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640C-125JBLA1-TR 3.5630
RFQ
 ECAD 2513 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16640C-125JBLA1-TR ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS29GL128-70FLET ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL128-70FLET 7.2900
RFQ
 ECAD 288 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga IS29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lfbga（11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS29GL128-70FLET 3A991B1A 8542.32.0071 144 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8 平行 200µs
IS42S86400D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400D-6TL-TR 12.9150
RFQ
 ECAD 6534 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S86400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,500 166 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 64m x 8 平行 -
IS49NLS93200A-18WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200A-18WBLI 33.5439
RFQ
 ECAD 8996 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA IS49NLS93200 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49NLS93200A-18WBLI 104 533 MHz 揮発性 288mbit 15 ns ドラム 32m x 9 HSTL -
IS43LR16800G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16800G-6BLI 4.5560
RFQ
 ECAD 7324 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43LR16800 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 300 166 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
IS43TR16640CL-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640CL-125JBLI 4.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR16640CL-125JBLI ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS42RM16800G-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16800G-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 1896年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42RM16800 sdram-モバイル 2.3V〜3V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 揮発性 128mbit 6 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS25LQ010A-JDLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ010A-JDLE-TR -
RFQ
 ECAD 1949年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） IS25LQ010 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-tssop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,500 80 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi -quad i/o 400µs
IS64WV51216BLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216BLL-10CTLA3-TR 15.6750
RFQ
 ECAD 4345 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS64WV51216 sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 8mbit 10 ns sram 512K x 16 平行 10ns
IS43TR16512BL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512BL-125KBLI 27.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1659 ear99 8542.32.0036 136 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 -
IS46LD32640C-18BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640C-18BLA1 -
RFQ
 ECAD 1270 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-TFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46LD32640C-18BLA1 1 533 MHz 揮発性 2Gbit 5.5 ns ドラム 64m x 32 HSUL_12 15ns
IS42S16400D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-6TL-TR -
RFQ
 ECAD 1291 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 揮発性 64mbit 5 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS25CD512-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD512-JKLE -
RFQ
 ECAD 8411 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド IS25CD512 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 100 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi 5ms
IS42VM32400E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32400E-75BLI -
RFQ
 ECAD 6352 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42VM32400 sdram-モバイル 1.7V〜1.95V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS43TR16128A-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128A-125KBLI-TR -
RFQ
 ECAD 6282 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS61DDB21M36-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M36-250M3L -
RFQ
 ECAD 9866 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga IS61DDB21 sram- ddr ii 1.71V〜1.89V 165-lfbga（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 105 250 MHz 揮発性 36mbit sram 1m x 36 平行 -
IS61NVF51236-6.5TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236-6.5TQL-TR -
RFQ
 ECAD 4515 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp IS61NVF51236 sram- sdr 2.375V〜2.625V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 133 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 512K x 36 平行 -
IS43TR81280B-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280B-125KBL -
RFQ
 ECAD 4310 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR81280B-125KBL ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS43TR16640B-125JBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-125JBL -
RFQ
 ECAD 8733 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS42S32800B-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7TLI-TR -
RFQ
 ECAD 4526 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

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    毎日の平均RFQボリューム

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    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

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    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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