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メモリ（5712）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS43R16320D-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-5TL-TR 5.2696
RFQ
 ECAD 7845 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS43R16320 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,500 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS42S16100E-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-7BI -
RFQ
 ECAD 3764 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3V〜3.6V 60-TFBGA （6.4x10.1 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 286 143 MHz 揮発性 16mbit 5.5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS22TF128G-JQLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF128G-JQLA1 75.0416
RFQ
 ECAD 7279 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V 100-lfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS22TF128G-JQLA1 98 200 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 EMMC_5.1 -
IS25LP010E-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP010E-JNLE 0.4000
RFQ
 ECAD 686 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS25LP010 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LP010E-JNLE ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 1mbit 8 ns フラッシュ 128k x 8 spi -quad i/o 1.2ms
IS61VPS102418A-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102418A-250B3-TR -
RFQ
 ECAD 9025 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IS61VPS102418 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 250 MHz 揮発性 18mbit 2.6 ns sram 1m x 18 平行 -
IS43DR81280B-25EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-25EBL -
RFQ
 ECAD 5488 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 242 400 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS62WVS5128FBLL-20NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS5128FBLL-20NLI 4.2821
RFQ
 ECAD 7980 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） sram-同期 2.2V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS62WVS5128FBLL-20NLI 100 20 MHz 揮発性 4mbit 25 ns sram 512k x 8 spi -quad i/o、sdi -
IS43TR16640BL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640BL-107MBLI -
RFQ
 ECAD 4535 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 190 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS61WV25632BLL-10BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25632BLL-10BI -
RFQ
 ECAD 1194 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS61WV25632 sram-非同期 2.4V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS61WV25632BLL-10BI 廃止 240 揮発性 8mbit 10 ns sram 256k x 32 平行 10ns
IS43DR86400C-25DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-25DBI -
RFQ
 ECAD 4738 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43DR86400C-25DBI 廃止 209 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
IS43R83200B-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200B-6TL-TR -
RFQ
 ECAD 2669 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS43R83200 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
IS45S32200L-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200L-7TLA1-TR 3.9954
RFQ
 ECAD 7914 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS45S32200 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 2m x 32 平行 -
IS43TR16128B-093NBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128B-093NBL -
RFQ
 ECAD 9743 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR16128B-093NBL ear99 8542.32.0036 190 1.066 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS61LV5128AL-10T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10T -
RFQ
 ECAD 2611 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS61LV5128 sram-非同期 3.135V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 4mbit 10 ns sram 512k x 8 平行 10ns
IS46TR81280BL-125JBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81280BL-125JBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 7068 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA IS46TR81280 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA （8x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR81280BL-125JBLA2-TR ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS62WV51216HBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216HBLL-45TLI 5.3900
RFQ
 ECAD 270 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 2.2V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS62WV51216HBLL-45TLI 135 揮発性 8mbit 45 ns sram 512K x 16 平行 45ns
IS43TR16640CL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640CL-107MBL-TR 3.1137
RFQ
 ECAD 1450 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR16640CL-107MBL-TR ear99 8542.32.0032 1,500 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS43LR16320C-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16320C-6BL 6.4693
RFQ
 ECAD 3444 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA IS43LR16320 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 300 166 MHz 揮発性 512mbit 5.5 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS61VF51236A-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF51236A-6.5B3I-TR -
RFQ
 ECAD 6923 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IS61VF51236 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 512K x 36 平行 -
IS43DR16160B-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBL 2.6286
RFQ
 ECAD 2100 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 209 333 MHz 揮発性 256mbit 450 PS ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS62WV5128DALL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DALL-55BI-TR -
RFQ
 ECAD 1736 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 36-tfbga IS62WV5128 sram-非同期 1.65V〜2.2V 36-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 55 ns sram 512k x 8 平行 55ns
IS42S16320F-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-7BLI 14.8000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-TW-BGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 240 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS42S32160B-75TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75TL -
RFQ
 ECAD 3510 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 144 133 MHz 揮発性 512mbit 5.5 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS46LD32320A-3BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32320A-3BLA2 -
RFQ
 ECAD 2517 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 134-TFBGA IS46LD32320 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.95V 134-TFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 171 333 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 15ns
IS61LV2568L-10TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV2568L-10TL -
RFQ
 ECAD 6091 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS61LV2568 sram-非同期 3.135V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 2mbit 10 ns sram 256k x 8 平行 10ns
IS43LR16640C-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16640C-5BLI 7.9485
RFQ
 ECAD 5319 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43LR16640C-5BLI 300 208 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 64m x 16 平行 14.4ns
IS45S16320D-6CTLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-6CTLA1 21.1003
RFQ
 ECAD 6964 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS45S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 108 166 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS61DDB42M18C-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB42M18C-250M3 -
RFQ
 ECAD 4408 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga IS61DDB42 sram- ddr ii 1.71V〜1.89V 165-lfbga（15x17） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 揮発性 36mbit 8.4 ns sram 2m x 18 平行 -
IS42S81600E-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600E-6TLI-TR -
RFQ
 ECAD 7927 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S81600 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 16m x 8 平行 -
IS61LF51236A-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-6.5B3 -
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 ECAD 7087 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IS61LF51236 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 512K x 36 平行 -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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