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メモリ（5712）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS46TR16128C-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128C-125KBLA1-TR 5.7163
RFQ
 ECAD 4461 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR 3.1918
RFQ
 ECAD 8502 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS66WV1M16 psram（pseudo sram 2.5V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 16mbit 55 ns psram 1m x 16 平行 55ns
IS46TR16640B-15GBLA25-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640B-15GBLA25-TR -
RFQ
 ECAD 5814 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜115°C 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16640B-15GBLA25-TR ear99 8542.32.0032 1,500 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS42S81600D-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600D-6TL -
RFQ
 ECAD 9410 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S81600 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 16m x 8 平行 -
IS45S16160G-7CTLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-7CTLA1 6.3460
RFQ
 ECAD 3298 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS45S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 108 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS61NLP25618A-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25618A-200B3LI 9.8704
RFQ
 ECAD 4070 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IS61NLP25618 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 MHz 揮発性 4.5mbit 3.1 ns sram 256k x 18 平行 -
IS61QDB22M36A-250M3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB22M36A-250M3I -
RFQ
 ECAD 9029 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga IS61QDB22 sram- 同期、クワッド 1.71V〜1.89V 165-lfbga（15x17） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS61QDB2222M36A-250M3I 廃止 105 250 MHz 揮発性 72mbit 1.8 ns sram 2m x 36 平行 -
IS45S32200E-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200E-7BLA2 -
RFQ
 ECAD 5107 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS45S32200 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 143 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 -
IS25LP040E-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP040E-JNLE-TR 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS25LP040 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 4mbit 8 ns フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 1.2ms
IS43LQ32128A-062BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32128A-062BLI -
RFQ
 ECAD 7499 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA IS43LQ32128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-VFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43LQ32128A-062BLI ear99 8542.32.0036 136 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 -
IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 9240 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR 2,500 1.6 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 LVSTL 18ns
IS43R86400E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-6BLI -
RFQ
 ECAD 8535 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-tfbga （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 190 166 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
IS62WV51216BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216BLL-55BLI 7.7900
RFQ
 ECAD 6275 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV51216 sram-非同期 2.5V〜3.6V 48-minibga （7.2x8.7 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 312 揮発性 8mbit 55 ns sram 512K x 16 平行 55ns
IS43LR32160C-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32160C-6BL-TR 6.7050
RFQ
 ECAD 2677 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS43LR32160 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 揮発性 512mbit 5.5 ns ドラム 16m x 32 平行 12ns
IS62WV5128BLL-55T2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55T2LI-TR 3.3915
RFQ
 ECAD 8226 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-SOIC （0.400 "、幅 10.16mm） IS62WV5128 sram-非同期 2.5V〜3.6V 32-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 55 ns sram 512k x 8 平行 55ns
IS46QR81024A-075VBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR81024A-075VBLA2-TR 20.2027
RFQ
 ECAD 8814 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46QR81024A-075VBLA2-TR 2,000 1.333 GHz 揮発性 8gbit 18 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
IS41C16105C-50TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16105C-50TLI -
RFQ
 ECAD 9208 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS41C16105 DRAM -FP 4.5v〜5.5V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 117 揮発性 16mbit 25 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS43LD16128C-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128C-18BLI 10.5177
RFQ
 ECAD 4351 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-TFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43LD16128C-18BLI 171 533 MHz 揮発性 2Gbit 5.5 ns ドラム 128m x 16 HSUL_12 15ns
IS64LF12832EC-7.5TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF12832EC-7.5TQLA3 10.6794
RFQ
 ECAD 9974 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS64LF12832 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz 揮発性 4mbit 7.5 ns sram 128k x 32 平行 -
IS42S16800D-75ETLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-75ETLI -
RFQ
 ECAD 6290 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 133 MHz 揮発性 128mbit 6.5 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS64LV25616AL-12TA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LV25616AL-12TA3 -
RFQ
 ECAD 9400 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS64Lv25616 sram-非同期 3.135V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 4mbit 12 ns sram 256k x 16 平行 12ns
IS61WV102416BLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416BLL-10TLI-TR 18.0000
RFQ
 ECAD 1484 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） IS61WV102416 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 揮発性 16mbit 10 ns sram 1m x 16 平行 10ns
IS43R32800D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32800D-6BL -
RFQ
 ECAD 8976 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 144-LFBGA IS43R32800 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 144-LFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 189 166 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 8m x 32 平行 15ns
IS62WV1288BLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288BLL-55TLI-TR 1.6971
RFQ
 ECAD 9012 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） IS62WV1288 sram-非同期 2.5V〜3.6V 32-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,500 揮発性 1mbit 55 ns sram 128k x 8 平行 55ns
IS25LP064A-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064A-JLLE 1.8000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド IS25LP064 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 800µs
IS62WV51216BLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216BLL-55BLI-TR 5.8800
RFQ
 ECAD 5777 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV51216 sram-非同期 2.5V〜3.6V 48-minibga （7.2x8.7 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 8mbit 55 ns sram 512K x 16 平行 55ns
IS46TR16K01S2AL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16K01S2AL-125KBLA1 34.3157
RFQ
 ECAD 9285 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-LFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-LWBGA （10x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46TR16K01S2AL-125KBLA1 136 800 MHz 揮発性 16gbit 20 ns ドラム 1g x 16 平行 15ns
IS43LD32128A-25BPL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128A-25BPL-TR -
RFQ
 ECAD 3065 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 168-VFBGA IS43LD32128 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43LD32128A-25BPL-TR 廃止 1 400 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS43LR16160G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16160G-6BLI 5.9717
RFQ
 ECAD 8649 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43LR16160 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 300 166 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS49NLS96400-33B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400-33B -
RFQ
 ECAD 5483 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 144-TFBGA IS49NLS96400 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 104 300 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 64m x 9 平行 -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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