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メモリ（5712）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS46DR16640B-25EBLA1-TR | - |  | 2799 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS46DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | IS43LQ32128A-062TBLI-TR | 11.7306 | | 2518 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43LQ32128A-062TBLI-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | LVSTL | - | ||||||
 | IS42S32400D-7BI | - | | 8692 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
 | IS43TR16512AL-107MBLI | - | | 2467 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-LFBGA | IS43TR16512 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-lfbga （10x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS43TR16512AL-107MBLI | ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |
 | IS45S16320B-7TLA1 | - | | 2513 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS45S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||
 | IS43R86400E-6BL-TR | - | | 7241 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43R86400 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-tfbga （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | IS61QDB41M18A-250M3L | 32.3796 | | 3009 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDB41 | sram- 同期、クワッド | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga（15x17） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 1.8 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
 | IS61NLF102418B-7.5TQLI-TR | 13.9821 | | 2930 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLF102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.5 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
| IS62WV25616ALL-70BI | - | | 6353 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS62WV25616 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS62WV25616ALL-70BI | 廃止 | 480 | 揮発性 | 4mbit | 70 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | IS46R16320E-6TLA2-TR | 8.5950 | | 6671 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS46R16320 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| IS22TF08G-JCLA2-TR | 17.3565 | | 5280 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand （PSLC） | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS22TF08G-JCLA2-TR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
 | IS25lp128f-jble | 1.8798 | | 4190 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | IS25LP128 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | |||
| IS43DR16320D-3DBI-TR | - | | 1211 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 333 MHz | 揮発性 | 512mbit | 450 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | IS61WV1288EEBLL-10HLI-TR | 1.6344 | | 7610 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅） | IS61WV1288 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 32 stsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 10ns | |||
| IS61LV12824-10TQLI-TR | - | | 7913 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LV12824 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 揮発性 | 3mbit | 10 ns | sram | 128k x 24 | 平行 | 10ns | |||
 | IS42S16800F-7BLI-TR | 2.4552 | | 4255 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | ||
 | IS43TR85120BL-107MBL | - | | 6621 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | IS43TR85120 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS43TR85120BL-107MBL | ear99 | 8542.32.0036 | 220 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |
 | IS25LP128F-RMLE | - | | 8228 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | sicで中止されました | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | IS25LP128 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | |||
| IS43TR82560CL-125KBLI-TR | 6.3257 | | 2978 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 新しいデザインではありません | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | IS43TR82560 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | IS42S16100C1-5T-TR | - | | 9785 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 50-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||
 | IS62WV25616DBLL-45TLI | - | | 9600 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS62WV25616 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 4mbit | 45 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 45ns | |||
 | IS61NVP51236-250B3I | - | | 3861 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NVP51236 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 2.6 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
| IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR | 2.8952 | | 3057 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS61WV5128 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 10ns | |||
| IS42VM16800H-6BLI-TR | 4.0039 | | 5920 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42VM16800 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | ||
| IS46LQ32256AL-062BLA2-TR | 23.4080 | | 3302 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46LQ32256AL-062BLA2-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
 | IS61DDB21M18A-300M3L | 32.3796 | | 9996 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 165-lbga | IS61DDB21 | sram- ddr ii | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 300 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||
| IS66WVQ2M4DALL-200BLI | 3.0900 | | 480 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | IS66WVQ2M4 | psram（pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS66WVQ2M4DALL-200BLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 200 MHz | 揮発性 | 8mbit | psram | 2m x 4 | spi -quad i/o | 40ns | ||
 | IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR | 3.2797 | | 2905 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 36-bsoj（0.400 "、10.16mm 幅） | IS61WV5128 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 36-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 10ns | |||
 | IS43TR16K01S2AL-125KBL | 37.1200 | | 5664 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 96-LFBGA | IS43TR16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-LWBGA （10x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS43TR16K01S2AL-125KBL | ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 16 | 平行 | 15ns | |
| IS42S83200B-6TL | - | | 7374 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S83200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | - |
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