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メモリ（5712）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS42S16160B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-6BLI -
RFQ
 ECAD 5279 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-LFBGA IS42S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-LFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 240 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS61WV51216EEBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EEBLL-10TLI-TR 6.4861
RFQ
 ECAD 2954 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV51216EEBLL-10TLI-TR 1,000 揮発性 8mbit 10 ns sram 512K x 16 平行 10ns
IS46TR16512S2DL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512S2DL-125KBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 6019 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-LFBGA IS46TR16512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-LWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16512S2DL-125KBLA2-TR ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS43DR86400C-25DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-25DBI -
RFQ
 ECAD 4738 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43DR86400C-25DBI 廃止 209 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
IS43R83200B-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200B-6TL-TR -
RFQ
 ECAD 2669 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS43R83200 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
IS45S32200L-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200L-7TLA1-TR 3.9954
RFQ
 ECAD 7914 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS45S32200 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 2m x 32 平行 -
IS45S16400J-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400J-7TLA2-TR 4.0698
RFQ
 ECAD 8719 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS45S16400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS43TR16128B-093NBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128B-093NBL -
RFQ
 ECAD 9743 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR16128B-093NBL ear99 8542.32.0036 190 1.066 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS61LV5128AL-10T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10T -
RFQ
 ECAD 2611 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS61LV5128 sram-非同期 3.135V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 4mbit 10 ns sram 512k x 8 平行 10ns
IS46TR81280BL-125JBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81280BL-125JBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 7068 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA IS46TR81280 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA （8x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR81280BL-125JBLA2-TR ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS62WV51216HBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216HBLL-45TLI 5.3900
RFQ
 ECAD 270 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 2.2V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS62WV51216HBLL-45TLI 135 揮発性 8mbit 45 ns sram 512K x 16 平行 45ns
IS43TR16640CL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640CL-107MBL-TR 3.1137
RFQ
 ECAD 1450 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR16640CL-107MBL-TR ear99 8542.32.0032 1,500 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS43LR16320C-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16320C-6BL 6.4693
RFQ
 ECAD 3444 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43LR16320 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 300 166 MHz 揮発性 512mbit 5.5 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS61VF51236A-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF51236A-6.5B3I-TR -
RFQ
 ECAD 6923 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IS61VF51236 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 512K x 36 平行 -
IS43R32400E-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32400E-5BLI 5.1536
RFQ
 ECAD 3811 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-LFBGA IS43R32400 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 144-LFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 189 200 MHz 揮発性 128mbit 700 ps ドラム 4m x 32 平行 15ns
IS43TR16640B-093NBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-093NBL-TR -
RFQ
 ECAD 4654 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR16640B-093NBL-TR ear99 8542.32.0032 1,500 1.066 GHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS49RL18320A-093FBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320A-093FBLI 73.2461
RFQ
 ECAD 9151 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 168-lbga rldram 3 1.28V〜1.42V 168-FBGA（13.5x13.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49RL18320A-093FBLI 119 1.066 GHz 揮発性 576mbit 7.5 ns ドラム 32m x 18 平行 -
IS43TR16128CL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128CL-15HBL-TR 4.9893
RFQ
 ECAD 6324 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS43TR16256B-093NBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256B-093NBL-TR -
RFQ
 ECAD 4969 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR16256B-093NBL-TR ear99 8542.32.0036 1,500 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS25LP032D-JTLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JTLE-TR 0.8410
RFQ
 ECAD 6107 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-udfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.3V〜3.6V 8-USON （4x3） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25LP032D-JTLE-TR 5,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 7 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 40µs 、800µs
IS25LP064-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064-JBLE -
RFQ
 ECAD 2556 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク sicで中止されました -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） IS25LP064 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1338 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 800µs
IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR 1.6544
RFQ
 ECAD 6287 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61Wv6416 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 2,500 揮発性 1mbit 10 ns sram 64k x 16 平行 10ns
IS46LQ32640AL-062TBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640AL-062TBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 5805 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ32640AL-062TBLA2-TR 2,500 1.6 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 64m x 32 LVSTL 18ns
IS49NLC96400A-25EWBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400A-25EWBLI 54.4856
RFQ
 ECAD 8796 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49NLC96400A-25EWBLI 104 400 MHz 揮発性 576mbit 15 ns ドラム 64m x 9 HSTL -
IS66WV1M16DBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV1M16DBLL-70BLI -
RFQ
 ECAD 3450 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS66WV1M16 psram（pseudo sram 2.5V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 16mbit 70 ns psram 1m x 16 平行 70ns
IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR 2.6189
RFQ
 ECAD 3422 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS66WVE1M16 psram（pseudo sram 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 16mbit 70 ns psram 1m x 16 平行 70ns
IS25LP128F-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-JLLE 2.1408
RFQ
 ECAD 1859 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド IS25LP128 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS46DR16320E-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-25DBLA1-TR 4.2627
RFQ
 ECAD 9216 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS43DR82560B-25EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560B-25EBLI-TR -
RFQ
 ECAD 7245 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43DR82560 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA（10.5x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 256m x 8 平行 15ns
IS61LV12816L-10TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10TL 4.5000
RFQ
 ECAD 9822 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS61LV12816 sram-非同期 3.135V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 2mbit 10 ns sram 128k x 16 平行 10ns
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    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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