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メモリ（5712）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS64WV51216EEBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EEBLL-10CTLA3-TR 11.3050
RFQ
 ECAD 8234 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS64WV51216EEBLL-10CTLA3-TR 1,000 揮発性 8mbit 10 ns sram 512K x 16 平行 10ns
IS25LQ080B-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ080B-JBLE -
RFQ
 ECAD 3862 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ sicで中止されました -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） IS25LQ080 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1329 ear99 8542.32.0071 90 104 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 1ms
IS64WV51216EDBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EDBLL-10CTLA3-TR 12.9738
RFQ
 ECAD 3827 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS64WV51216 sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 8mbit 10 ns sram 512K x 16 平行 10ns
IS42S16320F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-6TLI-TR 11.4600
RFQ
 ECAD 6207 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,500 167 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS43TR85120B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120B-125KBLI 8.3085
RFQ
 ECAD 6531 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43TR85120B-125KBLI 242 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS46LQ16256AL-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256AL-062TBLA1-TR 12.8611
RFQ
 ECAD 6093 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ16256AL-062TBLA1-TR 2,500 1.6 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 256m x 16 LVSTL 18ns
IS43TR81280CL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280CL-107MBL 3.5686
RFQ
 ECAD 3402 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR81280CL-107MBL ear99 8542.32.0032 242 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS43R86400D-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-6TL 5.7164
RFQ
 ECAD 5027 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS43R86400 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 108 166 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
IS61WV5128BLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV5128BLL-10BLI-TR 3.2736
RFQ
 ECAD 8793 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 36-tfbga IS61WV5128 sram-非同期 2.4V〜3.6V 36-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 4mbit 10 ns sram 512k x 8 平行 10ns
IS67WVC4M16EALL-7010BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS67WVC4M16EALL-7010BLA1 -
RFQ
 ECAD 9400 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） IS67WVC4M16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 104 MHz 揮発性 64mbit 70 ns psram 4m x 16 平行 70ns
IS42SM16800H-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16800H-6BLI 4.6611
RFQ
 ECAD 7126 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42SM16800 sdram-モバイル 2.7V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 348 166 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS49NLC36800A-25EWBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800A-25EWBL 29.0237
RFQ
 ECAD 5037 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49NLC36800A-25EWBL 104 400 MHz 揮発性 288mbit 15 ns ドラム 8m x 36 HSTL -
IS61LV25616AL-10TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10TL-TR 4.4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS61LV25616 sram-非同期 3.135V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
IS64LPS102436B-166TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS102436B-166TQLA3 132.3258
RFQ
 ECAD 1123 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS64LPS102436 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 166 MHz 揮発性 36mbit 3.8 ns sram 1m x 36 平行 -
IS46TR85120BL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR85120BL-125KBLA2 -
RFQ
 ECAD 5229 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA IS46TR85120 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR85120BL-125KBLA2 ear99 8542.32.0036 136 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS42S16800F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6TLI 2.5379
RFQ
 ECAD 8874 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS46DR16640B-25DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-25DBLA1 8.9157
RFQ
 ECAD 3449 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 209 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS43R32800B-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32800B-5BL-TR -
RFQ
 ECAD 4094 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 144-LFBGA IS43R32800 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 144-minibga（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 8m x 32 平行 15ns
IS43LR32320C-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320C-5BLI 8.9852
RFQ
 ECAD 2599 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43LR32320C-5BLI 240 208 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 32m x 32 平行 14.4ns
IS45S16160J-7CTLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-7CTLA2 5.6109
RFQ
 ECAD 2256 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS45S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 108 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS62LV256-70U ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62LV256-70U -
RFQ
 ECAD 6944 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28ソップ IS62LV256 sram-非同期 3.135V〜3.465V 28ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 25 揮発性 256kbit 70 ns sram 32k x 8 平行 70ns
IS29GL128-70FLEB-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL128-70FLEB-TR 4.5047
RFQ
 ECAD 3464 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga フラッシュ - （slc） 3V〜3.6V 64-lfbga（11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS29GL128-70FLEB-TR 2,000 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8 CFI 70ns 、200µs
IS42S16800F-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-7TLI-TR 2.2538
RFQ
 ECAD 6321 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS66WV51216EBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216EBLL-70BLI 2.6973
RFQ
 ECAD 9806 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS66WV51216 psram（pseudo sram 2.5V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 8mbit 70 ns psram 512K x 16 平行 70ns
IS25LQ032B-JMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ032B-JMLE-TR -
RFQ
 ECAD 2750 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） IS25LQ032 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 1ms
IS45S16160D-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160D-7BLA2-TR -
RFQ
 ECAD 5925 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA IS45S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS46LD32128C-18BPLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128C-18BPLA2 -
RFQ
 ECAD 9933 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46LD32128C-18BPLA2 ear99 8542.32.0036 1 533 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS25WP080D-JULE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP080D-JULE-TR 0.6114
RFQ
 ECAD 6186 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-ufdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜1.95V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25WP080D-JULE-TR 5,000 133 MHz 不揮発性 8mbit 7 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 40µs 、800µs
IS42S32800D-75ETLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-75ETLI-TR -
RFQ
 ECAD 4245 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 133 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 平行 -
IS43R83200D-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200D-5TL 5.3822
RFQ
 ECAD 9812 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS43R83200 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 108 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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