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メモリ（5712）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS63LV1024-8KL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-8KL-TR -
RFQ
 ECAD 2079 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-BSOJ （0.400 "、10.16mm 幅） IS63LV1024 sram-非同期 3V〜3.6V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 800 揮発性 1mbit 8 ns sram 128k x 8 平行 8ns
IS42RM16160E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16160E-75BLI -
RFQ
 ECAD 6204 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42RM16160 sdram-モバイル 2.3V〜3V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 348 133 MHz 揮発性 256mbit 6 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS61QDPB42M36A2-500M3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A2-500M3LI 123.6751
RFQ
 ECAD 7480 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga IS61QDPB42 sram- quadp 1.71V〜1.89V 165-lfbga（15x17） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 500 MHz 揮発性 72mbit 8.4 ns sram 2m x 36 平行 -
IS61DDB21M36C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M36C-250M3L -
RFQ
 ECAD 8415 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga IS61DDB21 sram- ddr ii 1.71V〜1.89V 165-lfbga（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 揮発性 36mbit 8.4 ns sram 1m x 36 平行 -
IS62WV12816BLL-55B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55B2LI-TR 2.2334
RFQ
 ECAD 3816 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV12816 sram-非同期 2.5V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 2mbit 55 ns sram 128k x 16 平行 55ns
IS45S16160J-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-7BLA2 4.7663
RFQ
 ECAD 2946 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA IS45S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 348 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS22TF16G-JQLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF16G-JQLA1 27.0504
RFQ
 ECAD 6494 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V 100-lfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS22TF16G-JQLA1 98 200 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 EMMC_5.1 -
IS62WVS1288FBLL-20NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS1288FBLL-20NLI 2.5017
RFQ
 ECAD 6604 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS62WVS1288 sram- sdr 2.2V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 100 20 MHz 揮発性 1mbit sram 128k x 8 spi -quad i/o、sdi -
IS43TR81024BL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024BL-125KBL 20.8861
RFQ
 ECAD 8415 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43TR81024BL-125KBL 136 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
IS46R16320D-5BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-5BLA1 10.5177
RFQ
 ECAD 4008 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS46R16320 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-tfbga （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 108 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS61NLP25636A-200B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200B2LI -
RFQ
 ECAD 4783 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 119-BBGA IS61NLP25636 sram- sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 84 200 MHz 揮発性 9mbit 3.1 ns sram 256k x 36 平行 -
IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR 4.4904
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga psram（pseudo sram 2.7V〜3.6V 24-tfbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR 2,500 133 MHz 揮発性 256mbit psram 32m x 8 SPI -OCTAL I/O 37.5ns
IS46TR16512BL-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512BL-125KBLA1-TR 21.6125
RFQ
 ECAD 4230 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46TR16512BL-125KBLA1-TR 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS46LD32640B-25BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640B-25BLA1-TR -
RFQ
 ECAD 8659 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク 前回購入します -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-TFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46LD32640B-25BLA1-TR 1 400 MHz 揮発性 2Gbit 5.5 ns ドラム 64m x 32 HSUL_12 15ns
IS25WP040E-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP040E-JNLE 0.3196
RFQ
 ECAD 4772 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS25WP040 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25WP040E-JNLE ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 4mbit 8 ns フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 1.2ms
IS42S32800D-6B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-6B -
RFQ
 ECAD 4230 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 240 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 -
IS46TR16128CL-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128CL-15HBLA1 6.3585
RFQ
 ECAD 5845 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS43TR16512S1DL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512S1DL-125KBLI -
RFQ
 ECAD 7333 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-LFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-LWBGA （9x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43TR16512S1DL-125KBLI 190 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS42VM32100D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32100D-6BLI 2.5287
RFQ
 ECAD 7874 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42VM32100 sdram-モバイル 1.7V〜1.95V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 166 MHz 揮発性 32mbit 5.5 ns ドラム 1M x 32 平行 -
IS64WV25616BLL-10BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV25616BLL-10BLA3 9.5911
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS64WV25616 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
IS42S32800J-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-7Tli 7.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 108 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 -
IS42S32400B-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-6TL-TR -
RFQ
 ECAD 5290 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS61WV25616EDBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-10BLI 4.2400
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61WV25616 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
IS61LV12816L-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10BLI -
RFQ
 ECAD 8205 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61LV12816 sram-非同期 3.135V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 2mbit 10 ns sram 128k x 16 平行 10ns
IS62WV1288FALL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288FALL-55BLI -
RFQ
 ECAD 3427 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 36-tfbga IS62WV1288 sram-非同期 1.65V〜2.2V 36-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 156 揮発性 1mbit 55 ns sram 128k x 8 平行 45ns
IS46DR81280B-25DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280B-25DBLA1 -
RFQ
 ECAD 3752 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS46DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 242 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS46TR16128BL-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128BL-15HBLA1 -
RFQ
 ECAD 5019 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS43R16160F-5BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-5BI -
RFQ
 ECAD 7722 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43R16160 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-tfbga （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43R16160F-5BI 廃止 242 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS46LQ16256A-062TBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256A-062TBLA1 14.3129
RFQ
 ECAD 7071 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-VFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-VFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ16256A-062TBLA1 136 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 LVSTL -
IS43TR81024BL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024BL-107MBLI-TR 21.5460
RFQ
 ECAD 4195 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43TR81024BL-107MBLI-TR 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
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    毎日の平均RFQボリューム

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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