SIC
close

メモリ（5712）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS61DDB21M36C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M36C-250M3L -
RFQ
 ECAD 8415 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga IS61DDB21 sram- ddr ii 1.71V〜1.89V 165-lfbga（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 揮発性 36mbit 8.4 ns sram 1m x 36 平行 -
IS62WV12816BLL-55B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55B2LI-TR 2.2334
RFQ
 ECAD 3816 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV12816 sram-非同期 2.5V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 2mbit 55 ns sram 128k x 16 平行 55ns
IS22TF16G-JQLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF16G-JQLA1 27.0504
RFQ
 ECAD 6494 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V 100-lfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS22TF16G-JQLA1 98 200 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 EMMC_5.1 -
IS45S16160J-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-7BLA2 4.7663
RFQ
 ECAD 2946 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA IS45S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 348 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS62WVS1288FBLL-20NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS1288FBLL-20NLI 2.5017
RFQ
 ECAD 6604 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS62WVS1288 sram- sdr 2.2V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 100 20 MHz 揮発性 1mbit sram 128k x 8 spi -quad i/o、sdi -
IS42VM16160K-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160K-75BLI-TR 4.9021
RFQ
 ECAD 7673 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42VM16160 sdram-モバイル 1.7V〜1.95V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 揮発性 256mbit 6 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS49NLC36800-33WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800-33WBLI -
RFQ
 ECAD 9373 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA IS49NLC36800 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 104 300 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 8m x 36 平行 -
IS43LD32640B-18BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-18BL-TR 9.5850
RFQ
 ECAD 3536 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-TFBGA IS43LD32640 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.95V 134-TFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 533 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 平行 15ns
IS46LQ32128AL-062TBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128AL-062TBLA2 -
RFQ
 ECAD 5854 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-VFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ32128AL-062TBLA2 136 1.6 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 LVSTL 18ns
IS46TR16512S2DL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512S2DL-125KBLA2 -
RFQ
 ECAD 2787 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-LFBGA IS46TR16512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-LWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16512S2DL-125KBLA2 ear99 8542.32.0036 136 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS25LP256E-RHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256E-RHLA3 4.2135
RFQ
 ECAD 7477 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 2.3V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25LP256E-RHLA3 480 166 MHz 不揮発性 256mbit 6.5 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 50µs、1ms
IS43LR16640C-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16640C-6BLI-TR 7.1820
RFQ
 ECAD 5302 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43LR16640C-6BLI-TR 2,000 166 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS42S16800E-75ETL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-75ETL -
RFQ
 ECAD 3635 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS25LP256D-RMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-RMLE-TY 4.1076
RFQ
 ECAD 9943 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - 2.3V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LP256D-RMLE-TY 176 166 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 40µs 、800µs
IS65WV25616ECLL-45CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV25616ECLL-45CTLA3 -
RFQ
 ECAD 9200 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS65WV25616 sram-非同期 3.135V〜3.465V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 45 ns sram 256k x 16 平行 45ns
IS46TR16128C-125KBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128C-125KBLA25 7.0633
RFQ
 ECAD 4324 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜115°C 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46TR16128C-125KBLA25 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS61WV6416DBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416DBLL-10TLI 2.4900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS61Wv6416 sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 135 揮発性 1mbit 10 ns sram 64k x 16 平行 10ns
IS62WVS5128FALL-16NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS5128FOLL-16NLI-TR -
RFQ
 ECAD 5691 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS62WVS5128 sram- sdr 1.65V〜2.2V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS62WVS5128FALL-16NLI-TR 3A991B2A 8542.32.0041 100 16 MHz 揮発性 4mbit sram 512k x 8 spi -quad i/o -
IS62WV20488BLL-25TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV20488BLL-25TLI-TR 18.0000
RFQ
 ECAD 9540 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS62WV20488 sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 16mbit 25 ns sram 2m x 8 平行 25ns
IS46TR16512BL-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512BL-125KBLA1-TR 21.6125
RFQ
 ECAD 4230 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46TR16512BL-125KBLA1-TR 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS46LD32640B-25BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640B-25BLA1-TR -
RFQ
 ECAD 8659 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク 前回購入します -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-TFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46LD32640B-25BLA1-TR 1 400 MHz 揮発性 2Gbit 5.5 ns ドラム 64m x 32 HSUL_12 15ns
IS61WV25616EDBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-10BLI 4.2400
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61WV25616 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR 4.4904
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga psram（pseudo sram 2.7V〜3.6V 24-tfbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR 2,500 133 MHz 揮発性 256mbit psram 32m x 8 SPI -OCTAL I/O 37.5ns
IS42VM32100D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32100D-6BLI 2.5287
RFQ
 ECAD 7874 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42VM32100 sdram-モバイル 1.7V〜1.95V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 166 MHz 揮発性 32mbit 5.5 ns ドラム 1M x 32 平行 -
IS25WP040E-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP040E-JNLE 0.3196
RFQ
 ECAD 4772 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS25WP040 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25WP040E-JNLE ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 4mbit 8 ns フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 1.2ms
IS42S32400B-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-6TL-TR -
RFQ
 ECAD 5290 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS43TR16512S1DL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512S1DL-125KBLI -
RFQ
 ECAD 7333 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-LFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-LWBGA （9x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43TR16512S1DL-125KBLI 190 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS61LV12816L-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10BLI -
RFQ
 ECAD 8205 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61LV12816 sram-非同期 3.135V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 2mbit 10 ns sram 128k x 16 平行 10ns
IS62WV1288FALL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288FALL-55BLI -
RFQ
 ECAD 3427 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 36-tfbga IS62WV1288 sram-非同期 1.65V〜2.2V 36-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 156 揮発性 1mbit 55 ns sram 128k x 8 平行 45ns
IS46TR16128CL-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128CL-15HBLA1 6.3585
RFQ
 ECAD 5845 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます