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メモリ（5712）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS21TF08G-JQLI | 19.6800 |  | 471 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 100-lbga | IS21TF08G | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 100-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS21TF08G-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||
 | IS43LD32128C-18BPL | - | | 5109 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS43LD32128C-18BPL | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | ||||||||||||||||
| IS29GL128-70SLET-TR | 4.6300 | | 1264 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | フラッシュ - （slc） | 3V〜3.6V | 56-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS29GL128-70SLET-TR | 800 | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 8 | CFI | 70ns 、200µs | ||||||
| IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3 | 12.6597 | | 5771 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3 | 96 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 10ns | ||||||
 | IS42S32200L-7TL | 3.4900 | | 13 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S32200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-1271 | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | |
 | IS43LD16128C-18BLI-TR | 9.8250 | | 4995 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 134-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-TFBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS43LD16128C-18BLI-TR | 2,000 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5.5 ns | ドラム | 128m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||||
 | IS25LP256D-JLLE-TR | 3.4650 | | 4590 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25LP256 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-wson （8x6） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | |||
| IS61WV12816EFBLL-10TLI | 3.1627 | | 8583 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS61WV12816EFBLL-10TLI | 135 | 揮発性 | 2mbit | 10 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 10ns | ||||||
| IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-TR | 4.4904 | | 3214 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | psram（pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-TR | 2,500 | 100 MHz | 揮発性 | 256mbit | 40 ns | psram | 32m x 8 | 平行 | 40ns | |||||
| IS43LQ32256A-062BLI-TR | 19.8968 | | 5145 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43LQ32256A-062BLI-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
 | IS21ES64G-JCLI | - | | 3318 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | IS21ES64 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS21ES64G-JCLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | EMMC | - | ||
| IS61NLF51236B-6.5TQLI | 17.5600 | | 72 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | sram- zbt | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS61NLF51236B-6.5TQLI | 72 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 6.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||||
 | IS64WV10248BLL-10CTLA3-TR | 15.6750 | | 8679 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS64WV10248 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 1m x 8 | 平行 | 10ns | |||
| IS46LQ16128AL-062BLA2 | - | | 4289 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-VFBGA （10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46LQ16128AL-062BLA2 | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
| IS25WX256-JHLA3-TR | 4.3800 | | 2345 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | IS25WX256 | フラッシュ | 1.7V〜2V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS25WX256-JHLA3-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - | ||
| IS43LR16160H-6BLI-TR | 4.6615 | | 6756 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43LR16160H-6BLI-TR | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | |||||
| IS25WX128-JHLE-TR | 3.1230 | | 8705 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | IS25WX128 | フラッシュ | 1.7V〜2V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS25WX128-JHLE-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - | ||
| IS43LD32320C-18BLI | 10.1131 | | 9960 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 134-TFBGA | IS43LD32320 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.95V | 134-TFBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 171 | 533 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 32m x 32 | 平行 | 15ns | |||
 | IS43TR16256A-093NBLI | - | | 3435 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA （9x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS43TR16256A-093NBLI | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 1.066 GHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | |
| IS46TR81024B-125KBLA1-TR | 22.9824 | | 5510 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA （10x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46TR81024B-125KBLA1-TR | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | |||||
| IS43QR16256B-083RBLI-TR | 9.3100 | | 8679 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-BGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-BGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43QR16256B-083RBLI-TR | 2,500 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | 19 ns | ドラム | 256m x 16 | ポッド | 15ns | |||||
| IS61WV102416Fall-20Tli | 9.5453 | | 7469 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS61WV102416Fall-20Tli | 96 | 揮発性 | 16mbit | 20 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 20ns | ||||||
| IS46TR16640ED-15HBLA3-TR | - | | 7457 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA （9x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46TR16640ED-15HBLA3-TR | 1,500 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | |||||
| IS46LQ32256A-062BLA2 | 24.8268 | | 5507 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46LQ32256A-062BLA2 | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
 | IS63WV1288DBLL-10TLI-TR | 1.6819 | | 7061 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-SOIC （0.400 "、幅 10.16mm） | IS63WV1288 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 32-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 10ns | |||
| IS43TR82560DL-107MBL | 4.7419 | | 7226 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43TR82560DL-107MBL | 242 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |||||
 | IS61LF102418A-7.5TQ | - | | 4482 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LF102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.5 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
 | IS46R16160D-6BLA1 | 6.8591 | | 5634 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS46R16160 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-tfbga （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 190 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| IS25WP256E-JLLE-TR | 3.4999 | | 2138 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.7V〜1.95V | 8-wson （8x6） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS25WP256E-JLLE-TR | 4,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、1ms | ||||||
 | IS61VPS51236A-200B3 | - | | 8169 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | IS61VPS51236 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.1 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - |
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