画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS61LPS102436A-166TQL | - | ![]() | 6790 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LPS102436 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | 揮発性 | 36mbit | 3.5 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS45S16160G-7TLA2 | 8.3644 | ![]() | 8213 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS66WVQ8M4DALL-200BLI-TR | 2.6055 | ![]() | 6159 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS66WVQ8M4DALL-200BLI-TR | 2,500 | 200 MHz | 揮発性 | 32mbit | psram | 8m x 4 | spi -quad i/o | 45ns | |||||
![]() | IS49RL36320-093FBL | 126.1029 | ![]() | 6844 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 168-lbga | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA(13.5x13.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS49RL36320-093FBL | 119 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1.152gbit | 7.5 ns | ドラム | 32m x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | IS61WV102416Fall-20TLI-TR | 8.6823 | ![]() | 1337 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS61WV102416Fall-20TLI-TR | 1,500 | 揮発性 | 16mbit | 20 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 20ns | ||||||
![]() | IS45S16400J-7BLA1 | 3.9737 | ![]() | 9479 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS45S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS25WX512M-JHLE | 7.5600 | ![]() | 2414 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | IS25WX512M | フラッシュ | 1.7V〜2V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25WX512M-JHLE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - | ||
![]() | IS45S16400F-6BLA1 | - | ![]() | 2315 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS45S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS25WP01G-RILA3-TR | 12.5685 | ![]() | 5327 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-lbga | フラッシュ - (slc) | 1.7V〜1.95V | 24-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25WP01G-RILA3-TR | 2,500 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 10 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、1ms | |||||
![]() | IS43R86400F-5TL | 4.5000 | ![]() | 83 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS43R86400 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1552 | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | IS49NLC18160A-18WBL | 30.4983 | ![]() | 8997 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLC18160 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS49NLC18160A-18WBL | 104 | 533 MHz | 揮発性 | 288mbit | 15 ns | ドラム | 16m x 18 | HSTL | - | |||
![]() | IS25WJ064F-JTLE-TR | 1.1992 | ![]() | 3900 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25WJ064F-JTLE-TR | 5,000 | |||||||||||||||||||
![]() | IS46LQ16256AL-062TBLA2-TR | 14.1246 | ![]() | 3149 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46LQ16256AL-062TBLA2-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
IS25LE01G-RILE | 18.0100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-lbga | IS25LE01 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 24-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25LE01G-RILE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 2ms | |||
IS61LV12816L-10TL-TR | - | ![]() | 2888 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS61LV12816 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 2mbit | 10 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 10ns | ||||
![]() | IS62LV256AL-45TLI-TR | 1.0839 | ![]() | 3822 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | IS62LV256 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 28-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 256kbit | 45 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 45ns | |||
![]() | IS61WV102416EDALL-10TLI-TR | - | ![]() | 2974 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS61WV102416EDALL-10TLI-TR | 1,500 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 10ns | ||||||
![]() | IS43QR81024A-083TBLI-TR | 17.6890 | ![]() | 1225 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43QR81024A-083TBLI-TR | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 8gbit | 18 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | IS42S83200J-7Tli | 3.9200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S83200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | - | ||
![]() | IS64WV6416EEBLL-10BLA3 | 3.9922 | ![]() | 2256 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS64WV6416EEBLL-10BLA3 | 480 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 10ns | ||||||
![]() | IS61NLP51236-200TLI | - | ![]() | 6503 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLP51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.1 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS49RL36160-125FBL | - | ![]() | 1647 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 168-lbga | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA(13.5x13.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS49RL36160-125FBL | 廃止 | 1 | 800 MHz | 揮発性 | 576mbit | 8 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS61C1024AL-12JLI | 2.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | IS61C1024 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 22 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 12ns | |||
![]() | IS61NLF51236-6.5B3-TR | - | ![]() | 7250 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NLF51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 6.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS61NLF51218B-7.5TQLI | 13.7940 | ![]() | 3407 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLF51218 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 揮発性 | 9mbit | 7.5 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS61WV2048888BLL-10MLI | 22.9500 | ![]() | 812 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS61WV20488 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-minibga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 210 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 2m x 8 | 平行 | 10ns | |||
![]() | IS45S16320F-7BLA1-TR | 12.6600 | ![]() | 6158 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS45S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TW-BGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS43LQ16128AL-062TBLI | 9.7726 | ![]() | 2995 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43LQ16128AL-062TBLI | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
![]() | IS43LD32128B-25BPL-TR | - | ![]() | 2549 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 168-VFBGA | IS43LD32128 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 168-VFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS43LD32128B-25BPL-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 MHz | 揮発性 | 4gbit | 5.5 ns | ドラム | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
![]() | IS66WVQ4M4DBLL-1333-BLI-TR | 2.2990 | ![]() | 4137 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | psram(pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS66WVQ4M4DBLL-1333-BLI-TR | 2,500 | 133 MHz | 揮発性 | 16mbit | psram | 4m x 4 | spi -quad i/o | 37.5ns |
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