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メモリ（5712）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS43LD32128B-25BPL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128B-25BPL-TR -
RFQ
 ECAD 2549 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 168-VFBGA IS43LD32128 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43LD32128B-25BPL-TR ear99 8542.32.0036 1 400 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS66WVQ4M4DBLL-133BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ4M4DBLL-1333-BLI-TR 2.2990
RFQ
 ECAD 4137 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga psram（pseudo sram 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS66WVQ4M4DBLL-1333-BLI-TR 2,500 133 MHz 揮発性 16mbit psram 4m x 4 spi -quad i/o 37.5ns
IS61NLP102418B-250B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418B-250B3L 19.2532
RFQ
 ECAD 8538 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IS61NLP102418 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 MHz 揮発性 18mbit 3 ns sram 1m x 18 平行 -
IS62WV5128BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55TLI 3.7027
RFQ
 ECAD 6153 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） IS62WV5128 sram-非同期 2.5V〜3.6V 32-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 156 揮発性 4mbit 55 ns sram 512k x 8 平行 55ns
IS43LD32128A-18BPL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128A-18BPL -
RFQ
 ECAD 8547 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 168-VFBGA IS43LD32128 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43LD32128A-18BPL 廃止 1 533 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS61LV51216-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV51216-10TLI-TR -
RFQ
 ECAD 6189 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS61LV51216 sram-非同期 3.135V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 8mbit 10 ns sram 512K x 16 平行 10ns
IS25LX512M-JHA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX512M-JHA3-TR -
RFQ
 ECAD 1490 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga IS25LX512M フラッシュ 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LX512M-JHA3-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 SPI -OCTAL I/O -
IS61WV102416EDBLL-10B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDBLL-10B2LI-TR 12.3750
RFQ
 ECAD 7675 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61WV102416 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 16mbit 10 ns sram 1m x 16 平行 10ns
IS46DR16160B-25DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16160B-25DBLA2-TR 6.4500
RFQ
 ECAD 9956 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 84-TFBGA IS46DR16160 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 400 MHz 揮発性 256mbit 400 PS ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS25LX128-JHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX128-JHLA3 3.7731
RFQ
 ECAD 4997 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga IS25LX128 フラッシュ 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LX128-JHLA3 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 SPI -OCTAL I/O -
IS42S16400F-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-5BL -
RFQ
 ECAD 6559 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA IS42S16400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 200 MHz 揮発性 64mbit 5 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS61C25616AS-25TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C25616AS-25TLI 4.4700
RFQ
 ECAD 170 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS61C25616 sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 4mbit 25 ns sram 256k x 16 平行 25ns
IS42S16100E-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-7TL -
RFQ
 ECAD 6566 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16100 SDRAM 3V〜3.6V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 117 143 MHz 揮発性 16mbit 5.5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS43TR16512AL-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-15HBL 20.9281
RFQ
 ECAD 6613 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-lfbga （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 136 667 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS25LP032D-JBLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JBLA3-TR 1.1438
RFQ
 ECAD 7180 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ - （slc） 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25LP032D-JBLA3-TR 2,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 7 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 40µs 、800µs
IS25CD512-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD512-JNLE -
RFQ
 ECAD 9684 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS25CD512 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 100 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi 5ms
IS49RL36160-125FBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160-125FBLI -
RFQ
 ECAD 3312 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 168-lbga rldram 3 1.28V〜1.42V 168-FBGA（13.5x13.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49RL36160-125FBLI 廃止 1 800 MHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 16m x 36 平行 -
IS61WV102416FBLL-10B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416FBLL-10B2LI 9.1946
RFQ
 ECAD 4645 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV102416FBLL-10B2LI 480 揮発性 16mbit 10 ns sram 1m x 16 平行 10ns
IS42S16800F-6B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6B -
RFQ
 ECAD 9574 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA IS42S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS62WV25616DBLL-45TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DBLL-45TI -
RFQ
 ECAD 1700 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS62WV25616 sram-非同期 2.3V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 45 ns sram 256k x 16 平行 45ns
IS25LQ512B-JULE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JULE-TR -
RFQ
 ECAD 5781 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-ufdfn露出パッド IS25LQ512 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi -quad i/o 800µs
IS46TR16512BL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512BL-125KBLA1 22.9715
RFQ
 ECAD 1989年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46TR16512BL-125KBLA1 136 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS46TR16256ECL-125LB2LA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256ECL-125LB2LA2-TR -
RFQ
 ECAD 7024 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L - 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46TR16256ECL-125LB2LA2-TR 2,000 800 MHz 揮発性 4gbit ドラム 512m x 8 平行 -
IS43LR32100D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32100D-6BLI 3.0454
RFQ
 ECAD 3947 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS43LR32100 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 揮発性 32mbit 5.5 ns ドラム 1M x 32 平行 15ns
IS63WV1024BLL-12BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1024BLL-12BLI-TR 2.2334
RFQ
 ECAD 4291 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS63WV1024 sram-非同期 3V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 2,500 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 12ns
IS43TR16640AL-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640AL-125JBLI-TR -
RFQ
 ECAD 9630 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS62WV6416BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416BLL-55TLI 2.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS62Wv6416 sram-非同期 2.5V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 135 揮発性 1mbit 55 ns sram 64k x 16 平行 55ns
IS25LP020E-JYLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP020E-JYLA3-TR 0.4703
RFQ
 ECAD 5182 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.3V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25LP020E-JYLA3-TR 5,000 104 MHz 不揮発性 2mbit 8 ns フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o、qpi 40µs 、1.2ms
IS43TR85120AL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120AL-107MBLI -
RFQ
 ECAD 4603 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA （9x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR85120AL-107MBLI ear99 8542.32.0036 220 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS66WVC4M16EALL-7010BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC4M16EALL-7010BLI 4.6313
RFQ
 ECAD 1326 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 54-VFBGA IS66WVC4M16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 64mbit 70 ns psram 4m x 16 平行 70ns
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    毎日の平均RFQボリューム

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    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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