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メモリ（5712）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS49NLC36160-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160-25BLI -
RFQ
 ECAD 7267 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA IS49NLC36160 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 104 400 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 16m x 36 平行 -
IS62WV25616EBLL-45BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EBLL-45BI -
RFQ
 ECAD 3241 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA IS62WV25616 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 揮発性 4mbit 45 ns sram 256k x 16 平行 45ns
IS61VF51236A-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF51236A-7.5B3I-TR -
RFQ
 ECAD 1492 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IS61VF51236 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 MHz 揮発性 18mbit 7.5 ns sram 512K x 36 平行 -
IS25LP512M-RMLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512M-RMLA3 -
RFQ
 ECAD 9599 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 チューブ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - 2.3V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LP512M-RMLA3 廃止 1 133 MHz 不揮発性 512mbit 7 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 50µs、1ms
IS61LF51236A-6.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-6.5B3-TR -
RFQ
 ECAD 4948 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IS61LF51236 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 512K x 36 平行 -
IS42S16800D-6T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-6T-TR -
RFQ
 ECAD 6627 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS45S16160J-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-7BLA1-TR 3.8365
RFQ
 ECAD 1202 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS45S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS43TR16640ED-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640ED-125KBLI-TR 5.4170
RFQ
 ECAD 3361 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43TR16640ED-125KBLI-TR 1,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS45S16800F-7CTLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800F-7CTLA2-TR 6.5768
RFQ
 ECAD 2213 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS45S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS42VM32400H-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32400H-6BLI 4.9065
RFQ
 ECAD 6057 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42VM32400 sdram-モバイル 1.7V〜1.95V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 240 166 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS62WV5128EALL-55HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EALL-55HLI -
RFQ
 ECAD 8144 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅） IS62WV5128 sram-非同期 1.65V〜2.2V 32-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 55 ns sram 512k x 8 平行 55ns
IS43LD16640C-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640C-18BLI 8.9643
RFQ
 ECAD 9185 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 134-TFBGA IS43LD16640 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.95V 134-TFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 171 533 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS46DR81280C-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280C-3DBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 8633 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 60-TFBGA IS46DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS46R16320D-5BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-5BLA1-TR 9.8250
RFQ
 ECAD 3578 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS46R16320 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-tfbga （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,500 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS25LP032D-JMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JMLE-TR 1.0673
RFQ
 ECAD 1623 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） IS25LP032 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS49RL18320A-107EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320A-107EBL 64.5000
RFQ
 ECAD 8096 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-lbga rldram 3 1.28V〜1.42V 168-FBGA（13.5x13.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49RL18320A-107EBL ear99 8542.32.0032 119 933 MHz 揮発性 576mbit 7.5 ns ドラム 32m x 18 平行 -
IS41LV16100B-60TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-60TL -
RFQ
 ECAD 6259 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS41LV16100 ドラム -江戸 3V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 117 揮発性 16mbit 30 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS43TR16256B-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256B-125KBL 7.7500
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1727 ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS61QDB41M36-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB41M36-250M3L -
RFQ
 ECAD 5697 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga IS61QDB41 sram- 同期、クワッド 1.71V〜1.89V 165-lfbga（15x17） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 揮発性 36mbit 7.5 ns sram 1m x 36 平行 -
IS43LQ32128AL-062BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32128AL-062BLI -
RFQ
 ECAD 5701 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-VFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43LQ32128AL-062BLI 136 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 LVSTL -
IS25LQ020B-JVLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JVLE -
RFQ
 ECAD 3178 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS25LQ020 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-VVSOP - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LQ020B-JVLE ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 2mbit 8 ns フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 800µs
IS61QDP2B251236A-333M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDP2B251236A-333M3L 45.0000
RFQ
 ECAD 6373 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga IS61QDP2 sram- quadp 1.71V〜1.89V 165-lfbga（15x17） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 333 MHz 揮発性 18mbit 8.4 ns sram 512K x 36 平行 -
IS42S32800G-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-7BI -
RFQ
 ECAD 5951 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 240 143 MHz 揮発性 256mbit ドラム 8m x 32 平行 -
IS46TR16128D-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128D-125KBLA2-TR 5.4312
RFQ
 ECAD 2641 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16128D-125KBLA2-TR ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS66WV51216DBLL-70TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216DBLL-70TLI-TR -
RFQ
 ECAD 7023 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS66WV51216 psram（pseudo sram 2.5V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 8mbit 70 ns psram 512K x 16 平行 70ns
IS64WV51216EEBLL-10BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EEBLL-10BLA3 12.6754
RFQ
 ECAD 8159 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS64WV51216EEBLL-10BLA3 480 揮発性 8mbit 10 ns sram 512K x 16 平行 10ns
IS42S32800B-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7BLI -
RFQ
 ECAD 5206 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-lfbga IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 90-lfbga （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 240 143 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 平行 -
IS25LD040-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LD040-JNLE -
RFQ
 ECAD 2228 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS25LD040 フラッシュ 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 100 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 5ms
IS66WVS2M8ALL-104NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS2M8ALL-10NLI-TR 2.1457
RFQ
 ECAD 7199 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） psram（pseudo sram 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS66WVS2M8ALL-104NLI-TR 3,000 104 MHz 揮発性 16mbit 7 ns psram 2m x 8 spi、qpi -
IS43TR81280A-15GBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280A-15GBL 2.2300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 242 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
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    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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