画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS42VM16160D-8BLI-TR | - | ![]() | 3587 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42VM16160 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 54-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 125 MHz | 揮発性 | 256mbit | 6 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS25LP040E-JNLA3 | 0.5163 | ![]() | 5187 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | フラッシュ - (slc) | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25LP040E-JNLA3 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 8 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o、qpi | 40µs 、1.2ms | |||||
![]() | IS42S16800E-6BL | - | ![]() | 7063 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS43R86400F-5TLI | 7.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS43R86400 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1553 | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | IS42S32200E-7TL | - | ![]() | 1585 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS42VM16800G-6BL-TR | - | ![]() | 2509 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42VM16800 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | ||
IS62WV51216EALL-55TLI-TR | 4.9550 | ![]() | 5796 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS62WV51216 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 8mbit | 55 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | IS43LD32640B-25BL-TR | 9.1350 | ![]() | 7997 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-TFBGA | IS43LD32640 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.95V | 134-TFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS62WV1288BLL-55HLI | 2.2900 | ![]() | 913 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | IS62WV1288 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 32 stsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 234 | 揮発性 | 1mbit | 55 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 55ns | |||
![]() | IS61NVF25672-6.5B1-TR | - | ![]() | 5218 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 209-BGA | IS61NVF25672 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 209-LFBGA(14x22) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 6.5 ns | sram | 256k x 72 | 平行 | - | ||
![]() | IS49RL18320-125BLI | - | ![]() | 6680 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 168-lbga | IS49RL18320 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA(13.5x13.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 800 MHz | 揮発性 | 576mbit | 12 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS66WVO32M8DBLL-133BLI | 4.8440 | ![]() | 7509 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | psram(pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS66WVO32M8DBLL-133333BLI | 480 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | psram | 32m x 8 | SPI -OCTAL I/O | 37.5ns | ||||||
![]() | IS49RL18320-125FBLI | - | ![]() | 6967 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 168-lbga | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA(13.5x13.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS49RL18320-125FBLI | 廃止 | 1 | 800 MHz | 揮発性 | 576mbit | 8 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | IS25LQ512B-JKLE-TR | - | ![]() | 7507 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25LQ512 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,500 | 104 MHz | 不揮発性 | 512kbit | フラッシュ | 64k x 8 | spi -quad i/o | 800µs | |||
![]() | IS46R86400D-6BLA1-TR | 9.3450 | ![]() | 9722 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS46R86400 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-tfbga (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS42VM32800E-75BLI-TR | - | ![]() | 1505 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42VM32800 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 6 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS66WVS2M8BLL-104NLI | 3.3300 | ![]() | 390 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IS66WVS2M8 | psram(pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS66WVS2M8BLL-104NLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 100 | 104 MHz | 揮発性 | 16mbit | 7 ns | psram | 2m x 8 | spi、qpi | - | |
![]() | IS43TR16512BL-107MBL | 25.4700 | ![]() | 389 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16512 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS43TR16512BL-107MBL | ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | IS42S32400F-6TL | 4.2963 | ![]() | 4896 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S16100F-6BL | - | ![]() | 6778 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | IS42S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-TFBGA (6.4x10.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 166 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5.5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS43R16160D-5TLI-TR | 3.7555 | ![]() | 2430 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS43R16160 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS43QR16256A-083RBL | - | ![]() | 1709 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43QR16256 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1473 | ear99 | 8542.32.0036 | 50 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS29GL064-70TLEB | 4.6200 | ![]() | 242 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | IS29GL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS29GL064-70TLEB | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8 | 平行 | 75ns | ||
![]() | IS42S86400F-7TL-TR | 10.9500 | ![]() | 6137 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S86400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 64m x 8 | 平行 | - | ||
![]() | IS43TR16640C-125JBLI | 4.4000 | ![]() | 186 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS43TR16640C-125JBLI | ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | IS61DDB42M36A-300M3L | 74.4172 | ![]() | 9459 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61DDB42 | sram- ddr ii | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(15x17) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 300 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS62WV102416GALL-55TLI-TR | 8.7750 | ![]() | 2636 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | IS62WV102416 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 揮発性 | 16mbit | 55 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 55ns | |||
![]() | IS43LD16128B-18BL | 10.5339 | ![]() | 1206 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-TFBGA | IS43LD16128 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.95V | 134-TFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 171 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS66WVS2M8BLL-10NLI-TR | 2.1457 | ![]() | 2540 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | psram(pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS66WVS2M8BLL-10NLI-TR | 3,000 | 104 MHz | 揮発性 | 16mbit | 7 ns | psram | 2m x 8 | spi、qpi | - | |||||
![]() | IS45S32400F-7BLA2 | 7.8582 | ![]() | 9928 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 90-TFBGA | IS45S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫