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メモリ（5712）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS25LP040E-JNLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP040E-JNLA3 0.5163
RFQ
 ECAD 5187 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） フラッシュ - （slc） 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25LP040E-JNLA3 100 104 MHz 不揮発性 4mbit 8 ns フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o、qpi 40µs 、1.2ms
IS62WV51216EALL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EALL-55TLI-TR 4.9550
RFQ
 ECAD 5796 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS62WV51216 sram-非同期 1.65V〜2.2V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 8mbit 55 ns sram 512K x 16 平行 55ns
IS42VM16800G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16800G-6BL-TR -
RFQ
 ECAD 2509 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA IS42VM16800 sdram-モバイル 1.7V〜1.95V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS43R86400F-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-5TLI 7.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS43R86400 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1553 ear99 8542.32.0028 108 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
IS43TR16640C-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640C-125JBLI 4.4000
RFQ
 ECAD 186 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR16640C-125JBLI ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS66WVS2M8BLL-104NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS2M8BLL-104NLI 3.3300
RFQ
 ECAD 390 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS66WVS2M8 psram（pseudo sram 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS66WVS2M8BLL-104NLI 3A991B2A 8542.32.0041 100 104 MHz 揮発性 16mbit 7 ns psram 2m x 8 spi、qpi -
IS62WV102416GALL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416GALL-55TLI-TR 8.7750
RFQ
 ECAD 2636 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） IS62WV102416 sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 揮発性 16mbit 55 ns sram 1m x 16 平行 55ns
IS42S86400F-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400F-7TL-TR 10.9500
RFQ
 ECAD 6137 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S86400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,500 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 64m x 8 平行 -
IS43LD16128B-18BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128B-18BL 10.5339
RFQ
 ECAD 1206 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-TFBGA IS43LD16128 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.95V 134-TFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 171 533 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS66WVS2M8BLL-104NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS2M8BLL-10NLI-TR 2.1457
RFQ
 ECAD 2540 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） psram（pseudo sram 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS66WVS2M8BLL-10NLI-TR 3,000 104 MHz 揮発性 16mbit 7 ns psram 2m x 8 spi、qpi -
IS61DDB42M36A-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB42M36A-300M3L 74.4172
RFQ
 ECAD 9459 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga IS61DDB42 sram- ddr ii 1.71V〜1.89V 165-lfbga（15x17） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 105 300 MHz 揮発性 72mbit sram 2m x 36 平行 -
IS45S32400F-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400F-7BLA2 7.8582
RFQ
 ECAD 9928 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS45S32400 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS61LPS51218A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51218A-200TQI-TR -
RFQ
 ECAD 5992 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS61LPS51218 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 揮発性 9mbit 3.1 ns sram 512K x 18 平行 -
IS43TR85120BL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120BL-107MBLI -
RFQ
 ECAD 1024 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR85120BL-107MBLI ear99 8542.32.0036 220 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS61NVF102418-6.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF102418-6.5B3-TR -
RFQ
 ECAD 4199 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IS61NVF102418 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 1m x 18 平行 -
IS42S32400F-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-6TL 4.2963
RFQ
 ECAD 4896 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS61WV51216EDALL-20BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EDALL-20BLI 12.1000
RFQ
 ECAD 9506 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61WV51216 sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 8mbit 20 ns sram 512K x 16 平行 20ns
IS66WVE4M16EBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16EBLL-70BLI 4.7200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS66WVE4M16 psram（pseudo sram 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1547 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 64mbit 70 ns psram 4m x 16 平行 70ns
IS43QR16512A-083TBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16512A-083TBLI 18.9660
RFQ
 ECAD 2909 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43QR16512 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43QR16512A-083TBLI ear99 8542.32.0036 136 1.2 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS43TR16512BL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512BL-107MBL 25.4700
RFQ
 ECAD 389 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR16512BL-107MBL ear99 8542.32.0036 136 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS25WP128-RGLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128-RGLE-TR -
RFQ
 ECAD 3341 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga IS25WP128 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS66WVE4M16BLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16BLL-70BLI-TR -
RFQ
 ECAD 1308 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS66WVE4M16 psram（pseudo sram 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 2,500 揮発性 64mbit 70 ns psram 4m x 16 平行 70ns
IS42S32160F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6tli 13.0430
RFQ
 ECAD 3253 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 108 167 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS61LF51236A-6.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-6.5B3I -
RFQ
 ECAD 3329 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IS61LF51236 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 512K x 36 平行 -
IS46LQ32256A-062BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32256A-062BLA2-TR 23.4080
RFQ
 ECAD 3604 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ32256A-062BLA2-TR 2,500 1.6 GHz 揮発性 8gbit 3.5 ns ドラム 256m x 32 LVSTL 18ns
IS61WV102416FALL-20BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416Fall-20Bli 9.5225
RFQ
 ECAD 5187 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV102416FALL-20BLI 480 揮発性 16mbit 20 ns sram 1m x 16 平行 20ns
IS46LQ16128AL-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128AL-062TBLA1-TR 9.5760
RFQ
 ECAD 9697 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ16128AL-062TBLA1-TR 2,500 1.6 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 128m x 16 LVSTL 18ns
IS61WV102416DALL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416DALL-10BLI-TR -
RFQ
 ECAD 4342 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61WV102416 sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-minibga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 16mbit 10 ns sram 1m x 16 平行 10ns
IS61WV6416DBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416DBLL-10TLI-TR 1.7660
RFQ
 ECAD 8176 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS61Wv6416 sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 10 ns sram 64k x 16 平行 10ns
IS25LP016D-JMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JMLE-TY 0.9124
RFQ
 ECAD 8046 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - 2.3V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LP016D-JMLE-TY 176 133 MHz 不揮発性 16mbit 7 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 40µs 、800µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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