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メモリ（5712）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS42S32800J-6BI | - |  | 3377 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS42S32800J-6BI | 廃止 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
| IS46LQ16128AL-062TBLA1 | 10.6342 | | 7913 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46LQ16128AL-062TBLA1 | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
 | IS42S16100E-7BL | - | | 3434 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | IS42S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-TFBGA （6.4x10.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 286 | 143 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5.5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||
| IS62WV5128EALL-55T2LI | - | | 1680 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-SOIC （0.400 "、幅 10.16mm） | IS62WV5128 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 32-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 55ns | |||
| IS42S16100F-6BLI | - | | 5791 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS42S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-TFBGA （6.4x10.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 166 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5.5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||
 | IS42S83200J-6TL-TR | 2.8787 | | 7174 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S83200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | - | ||
| IS22TF128G-JCLA1-TR | 73.8150 | | 5808 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS22TF128G-JCLA1-TR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
 | IS43TR16640B-107MBL | - | | 1063 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| IS42S16800E-7TL-TR | - | | 8152 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S16800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | ||
| IS43DR32160C-3DBL | - | | 3032 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 126-TFBGA | IS43DR32160 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 126-TWBGA（10.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2156-IS43DR32160C-3DBL | ear99 | 8542.32.0028 | 1 | 333 MHz | 揮発性 | 512mbit | 450 PS | ドラム | 16m x 32 | SSTL_18 | 15ns | |
| IS25WP032D-JBLA3-TR | 1.1599 | | 1188 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS25WP032D-JBLA3-TR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 7 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | |||||
 | IS42VM16160D-8BLI-TR | - | | 3587 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42VM16160 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 54-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 125 MHz | 揮発性 | 256mbit | 6 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
 | IS61NLF51236B-7.5TQLI-TR | - | | 7656 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLF51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
 | IS61VF102418A-6.5B3I-TR | - | | 5709 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61VF102418 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 6.5 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
 | IS66WVE4M16TBLL-70BLI | 4.4342 | | 5755 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS66WVE4M16 | psram（pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 64mbit | 70 ns | psram | 4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | IS61DDPB41M36A-400M3L | 71.5551 | | 6684 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-lbga | IS61DDPB41 | sram- ddr iip | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga（15x17） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | - | |||
 | IS62WV5128BLL-55HLI | 4.4000 | | 4 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅） | IS62WV5128 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 32 stsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 234 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 55ns | |||
 | IS61DDB22M36A-300B4LI | 78.0000 | | 9155 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-lbga | IS61DDB22 | sram- ddr ii | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 144 | 300 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||
 | IS61C64AL-10TLI-TR | 1.2043 | | 9997 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） | IS61C64 | sram-非同期 | 4.75v〜5.25V | 28-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 64kbit | 10 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 10ns | |||
 | IS61DDB22M18A-250B4LI | - | | 2259 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-lbga | IS61DDB22 | sram- ddr ii | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 144 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | 8.4 ns | sram | 2m x 18 | 平行 | - | ||
 | IS25CD025-JNLE-TR | - | | 5941 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | IS25CD025 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 256kbit | フラッシュ | 32k x 8 | spi | 5ms | |||
| IS43TR16128CL-15HBLI | 6.0703 | | 3046 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | IS49RL18320A-107EBL | 64.5000 | | 8096 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 168-lbga | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA（13.5x13.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS49RL18320A-107EBL | ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 933 MHz | 揮発性 | 576mbit | 7.5 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||
 | IS46DR81280C-3DBLA1-TR | - | | 8633 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | IS46DR81280 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| IS42S16320F-7TL | 12.8300 | | 3 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||
 | IS42S32400F-7BL-TR | 4.2932 | | 9659 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
 | IS43R86400F-6BLI | 6.3460 | | 1874年年 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43R86400 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-tfbga （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 190 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | IS61C1024AL-12TI-TR | - | | 1400 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | IS61C1024 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,500 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 12ns | |||
| IS42S16100C1-7BI-TR | - | | 8672 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS42S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-TFBGA （6.4x10.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5.5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||
| IS42S32200L-7B-TR | - | | 9416 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - |
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