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メモリ（5712）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
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IS25WP016D-JLLE-TR	0.8389	RFQ	3639	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-wdfn露出パッド	IS25WP016	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8-wson （8x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	4,000	133 MHz	不揮発性	16mbit		フラッシュ	2m x 8	spi -quad i/o	800µs
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IS42S32800D-7TL	-	RFQ	8884	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S32800	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	108	143 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	8m x 32	平行	-
IS61WV102416Fall-20Bli	9.5225	RFQ	5187	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA		sram-非同期	1.65V〜2.2V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS61WV102416FALL-20BLI			480		揮発性	16mbit	20 ns	sram	1m x 16	平行	20ns
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IS61LPD102418A-250B3	-	RFQ	8623	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA	IS61LPD102418	sram- クアッドポート、同期	3.135V〜3.465V	165-PBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	揮発性	18mbit	2.6 ns	sram	1m x 18	平行	-
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IS61WV10248BLL-10MLI	13.5201	RFQ	4997	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	IS61WV10248	sram-非同期	2.4V〜3.6V	48-minibga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	210		揮発性	8mbit	10 ns	sram	1m x 8	平行	10ns
IS42S16100E-7BL	-	RFQ	3434	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	60-TFBGA	IS42S16100	SDRAM	3V〜3.6V	60-TFBGA （6.4x10.1	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	286	143 MHz	揮発性	16mbit	5.5 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
IS25LP256D-RGLE	-	RFQ	4994	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	24-tbga	IS25LP256	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	24-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	不揮発性	256mbit	7 ns	フラッシュ	32m x 8	シリアル	800µs
IS42S32800J-6BI	-	RFQ	3377	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32800	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS42S32800J-6BI	廃止		240	166 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	8m x 32	平行	-
IS49NLC36160A-25EWBLI	54.4856	RFQ	6084	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	144-TFBGA		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-TWBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS49NLC36160A-25EWBLI			104	400 MHz	揮発性	576mbit	15 ns	ドラム	16m x 36	HSTL	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²