SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS43DR16160B-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBLI 4.4500
RFQ
ECAD 9086 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 209 333 MHz 揮発性 256mbit 450 PS ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS61VF102418A-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF102418A-6.5B3I-TR -
RFQ
ECAD 5709 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 165-TBGA IS61VF102418 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 1m x 18 平行 -
IS42S32160A-75B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160A-75B -
RFQ
ECAD 3709 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-lfbga IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 90-lfbga (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 144 133 MHz 揮発性 512mbit 6 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS42S32400B-7T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-7T -
RFQ
ECAD 9247 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS43TR16512S2DL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512S2DL-107MBL 20.5636
RFQ
ECAD 3836 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-LFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-LWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43TR16512S2DL-107MBL 190 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS42S16320F-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-7TLI-TR 11.1150
RFQ
ECAD 8335 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,500 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS61VPS25618A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS25618A-200B3I-TR -
RFQ
ECAD 7227 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 165-TBGA IS61VPS25618 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200 MHz 揮発性 4.5mbit 3.1 ns sram 256k x 18 平行 -
IS61WV102416DALL-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416DALL-12TLI-TR 10.0681
RFQ
ECAD 7782 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS61WV102416DALL-12TLI-TR 1,500 揮発性 16mbit 12 ns sram 1m x 16 平行 12ns
IS62WVS1288FBLL-20NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS1288FBLL-20NLI-TR 2.2588
RFQ
ECAD 3958 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) IS62WVS1288 sram- sdr 2.2V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 3,000 20 MHz 揮発性 1mbit sram 128k x 8 spi -quad i/o、sdi -
IS49NLC36160-33B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160-33B -
RFQ
ECAD 9013 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 144-TFBGA IS49NLC36160 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 104 300 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 16m x 36 平行 -
IS42S32160B-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-7BL-TR -
RFQ
ECAD 2350 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-lfbga IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 90-LFBGA(13x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,000 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS49NLS18160-33BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-33BL -
RFQ
ECAD 3139 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 144-TFBGA IS49NLS18160 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 104 300 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
IS61LV5128AL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10KLI-TR 3.8684
RFQ
ECAD 1013 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 36-bsoj(0.400 "、10.16mm 幅) IS61LV5128 sram-非同期 3.135V〜3.6V 36-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 揮発性 4mbit 10 ns sram 512k x 8 平行 10ns
IS42S16800F-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6TL 2.3385
RFQ
ECAD 9801 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS42S32400E-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400E-7BL-TR -
RFQ
ECAD 9979 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS63LV1024L-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-10TLI -
RFQ
ECAD 5513 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 32-SOIC (0.400 "、幅 10.16mm) IS63LV1024 sram-非同期 3.15V〜3.45V 32-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 117 揮発性 1mbit 10 ns sram 128k x 8 平行 10ns
IS64WV102416BLL-10CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV102416BLL-10CTLA3 25.7125
RFQ
ECAD 9986 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) IS64WV102416 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 96 揮発性 16mbit 10 ns sram 1m x 16 平行 10ns
IS64WV12816DBLL-12CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV12816DBLL-12CTLA3 6.7223
RFQ
ECAD 4615 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS64WV12816 sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 2mbit 12 ns sram 128k x 16 平行 12ns
IS46TR16640A-15GBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640A-15GBLA2 -
RFQ
ECAD 7258 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 190 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS21ES08G-JCLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES08G-JCLI-TR -
RFQ
ECAD 3982 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 153-VFBGA IS21ES08 フラッシュ-nand (mlc) 2.7V〜3.6V 153-VFBGA (11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 200 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 EMMC -
IS43TR81280BL-125JBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280BL-125JBL -
RFQ
ECAD 1476 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS61LV12824-10BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-10BL -
RFQ
ECAD 3588 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 119-BGA IS61LV12824 sram-非同期 3.135V〜3.6V 119-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 84 揮発性 3mbit 10 ns sram 128k x 24 平行 10ns
IS62WV25616EBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EBLL-45BLI 3.6600
RFQ
ECAD 930 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV25616 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 4mbit 45 ns sram 256k x 16 平行 45ns
IS42SM16320E-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16320E-6BLI-TR 10.5750
RFQ
ECAD 6946 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42SM16320 sdram-モバイル 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 揮発性 512mbit 5.5 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS43R16160B-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160B-5TLI-TR -
RFQ
ECAD 4848 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS43R16160 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS46TR85120BL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR85120BL-125KBLA2-TR -
RFQ
ECAD 2029 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 78-TFBGA IS46TR85120 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46TR85120BL-125KBLA2-TR ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS49NLC36160A-25EWBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160A-25EWBL 55.4400
RFQ
ECAD 2595 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 144-TFBGA IS49NLC36160 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA (11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 104 400 MHz 揮発性 576mbit 15 ns ドラム 16m x 36 平行 -
IS46TR16128CL-15HBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128CL-15HBLA2-TR 6.5574
RFQ
ECAD 7979 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS43LR32800H-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800H-6BL 5.0865
RFQ
ECAD 9645 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-TFBGA sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43LR32800H-6BL 240 166 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 lvcmos 15ns
IS46TR16128CL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128CL-125KBLA2 7.9393
RFQ
ECAD 7381 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
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