SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS45S16800F-7CTLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800F-7CTLA2 7.2012
RFQ
ECAD 9661 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS45S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS42RM32400H-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32400H-75BLI-TR 4.2627
RFQ
ECAD 4630 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42RM32400 sdram-モバイル 2.3V〜3V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 2,500 133 MHz 揮発性 128mbit 6 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS43R86400F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-6TLI 5.9099
RFQ
ECAD 9147 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS43R86400 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 108 166 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
IS45S16100H-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100H-7BLA2-TR 3.3391
RFQ
ECAD 5910 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 60-TFBGA IS45S16100 SDRAM 3V〜3.6V 60-TFBGA (6.4x10.1 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 揮発性 16mbit 5.5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS42S16320B-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-7TL -
RFQ
ECAD 6092 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 108 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS61NVP204836B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP204836B-200TQLI-TR 103.7400
RFQ
ECAD 6710 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lqfp SRA -MZBT 2.375V〜2.625V 100-lqfp(14x20) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS61NVP204836B-200TQLI-TR 800 200 MHz 揮発性 72mbit 3.1 ns sram 2m x 36 平行 -
IS46TR16640A-15GBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640A-15GBLA2 -
RFQ
ECAD 7258 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 190 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS21ES08G-JCLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES08G-JCLI-TR -
RFQ
ECAD 3982 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 153-VFBGA IS21ES08 フラッシュ-nand (mlc) 2.7V〜3.6V 153-VFBGA (11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 200 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 EMMC -
IS43TR81280BL-125JBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280BL-125JBL -
RFQ
ECAD 1476 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS43LR32400F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32400F-6BL-TR -
RFQ
ECAD 1070 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-TFBGA IS43LR32400 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
IS61LV12824-10BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-10BL -
RFQ
ECAD 3588 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 119-BGA IS61LV12824 sram-非同期 3.135V〜3.6V 119-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 84 揮発性 3mbit 10 ns sram 128k x 24 平行 10ns
IS62WV25616EBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EBLL-45BLI 3.6600
RFQ
ECAD 930 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV25616 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 4mbit 45 ns sram 256k x 16 平行 45ns
IS42SM16320E-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16320E-6BLI-TR 10.5750
RFQ
ECAD 6946 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42SM16320 sdram-モバイル 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 揮発性 512mbit 5.5 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS43R16160B-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160B-5TLI-TR -
RFQ
ECAD 4848 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS43R16160 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS46TR85120BL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR85120BL-125KBLA2-TR -
RFQ
ECAD 2029 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 78-TFBGA IS46TR85120 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46TR85120BL-125KBLA2-TR ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS42S32400F-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-7BI-TR -
RFQ
ECAD 6382 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 揮発性 128mbit ドラム 4m x 32 平行 -
IS49NLC36160A-25EWBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160A-25EWBL 55.4400
RFQ
ECAD 2595 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 144-TFBGA IS49NLC36160 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA (11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 104 400 MHz 揮発性 576mbit 15 ns ドラム 16m x 36 平行 -
IS46TR16128CL-15HBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128CL-15HBLA2-TR 6.5574
RFQ
ECAD 7979 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS64WV25616BLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV25616BLL-10CTLA3-TR 7.8750
RFQ
ECAD 4953 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS64WV25616 sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
IS43LR32800H-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800H-6BL 5.0865
RFQ
ECAD 9645 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-TFBGA sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43LR32800H-6BL 240 166 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 lvcmos 15ns
IS46TR16128CL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128CL-125KBLA2 7.9393
RFQ
ECAD 7381 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR 3.9706
RFQ
ECAD 8662 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS61WV2568 sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 2mbit 10 ns sram 256k x 8 平行 10ns
IS43TR85120AL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120AL-125KBL-TR -
RFQ
ECAD 2557 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS42RM32800E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800E-6BLI 9.2729
RFQ
ECAD 5441 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42RM32800 sdram-モバイル 2.3V〜3V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 240 166 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 平行 -
IS42S86400F-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400F-7TL 11.5000
RFQ
ECAD 1564 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S86400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 108 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 64m x 8 平行 -
IS43R86400D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-6BL-TR 7.1700
RFQ
ECAD 4364 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-tfbga (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
IS61WV25616BLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616BLL-10TLI-TR 4.1200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS61WV25616 sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
IS64WV25616EDBLL-10BLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV25616EDBLL-10BLA3-TR 7.6151
RFQ
ECAD 9592 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS64WV25616 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
IS41LV16105D-50TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105D-50TLI 5.8702
RFQ
ECAD 9172 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅)、44のリード IS41LV16105 DRAM -FP 3V〜3.6V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 117 揮発性 16mbit 25 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS43DR16320E-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-25DBL 3.4400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-1554 ear99 8542.32.0028 209 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
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    2000+

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