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メモリ（5712）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS64LF25636A-7.5B3LA3	23.2447	RFQ	8562	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	165-TBGA	IS64LF25636	sram- sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144	117 MHz	揮発性	9mbit	7.5 ns	sram	256k x 36	平行	-
IS46LD32128C-18BPLA2-TR	-	RFQ	6254	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	168-VFBGA	IS46LD32128	SDRAM-モバイルLPDDR2	1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS46LD32128C-18BPLA2-TR	ear99	8542.32.0036	1	533 MHz	揮発性	4gbit	5.5 ns	ドラム	128m x 32	HSUL_12	15ns
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IS61NLP102418-200B3LI-TR	-	RFQ	2426	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-TBGA	IS61NLP102418	sram- sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz	揮発性	18mbit	3.1 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS25LX256-JHLA3	4.5578	RFQ	7912	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	24-tbga	IS25LX256	フラッシュ	2.7V〜3.6V	24-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS25LX256-JHLA3	3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	不揮発性	256mbit		フラッシュ	32m x 8	SPI -OCTAL I/O	-
IS42S32800D-7TL-TR	-	RFQ	7773	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S32800	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,500	143 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	8m x 32	平行	-
IS46TR16640CL-125JBLA1-TR	3.5165	RFQ	8502	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS46TR16640CL-125JBLA1-TR	ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS64LV25616AL-12TLA3-TR	9.0000	RFQ	8168	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS64Lv25616	sram-非同期	3.135V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		揮発性	4mbit	12 ns	sram	256k x 16	平行	12ns
IS45S16400J-6BLA1-TR	3.8792	RFQ	1787	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS45S16400	SDRAM	3V〜3.6V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	揮発性	64mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 16	平行	-
IS43R16160D-6TL	4.5300	RFQ	1808	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS43R16160	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	16m x 16	平行	15ns
IS42S16400J-7Tli	2.0300	RFQ	7681	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S16400	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	揮発性	64mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 16	平行	-
IS43LD32128B-25BPLI-TR	12.4500	RFQ	8543	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	168-VFBGA	IS43LD32128	SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4	1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS43LD32128B-25BPLI-TR	ear99	8542.32.0036	1,500	400 MHz	揮発性	4gbit	5.5 ns	ドラム	128m x 32	HSUL_12	15ns
IS46LR32160B-6BLA1-TR	-	RFQ	9473	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS46LR32160	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	2,500	166 MHz	揮発性	512mbit	5.5 ns	ドラム	16m x 32	平行	12ns
IS42S32160B-75EBLI	-	RFQ	9013	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32160	SDRAM	3V〜3.6V	90-WBGA （11x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	144	133 MHz	揮発性	512mbit	5.5 ns	ドラム	16m x 32	平行	-
IS22TF64G-JCLA1	50.6532	RFQ	7392	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	153-VFBGA		フラッシュ-Nand （TLC）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA （11.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS22TF64G-JCLA1			152	200 MHz	不揮発性	512gbit		フラッシュ	64g x 8	EMMC_5.1	-
IS43TR81024B-125KBL	20.8861	RFQ	2010年年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （10x14）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43TR81024B-125KBL			136	800 MHz	揮発性	8gbit	20 ns	ドラム	1g x 8	平行	15ns
IS25WP064D-JKLE-TR	1.3012	RFQ	6796	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-wdfn露出パッド		フラッシュ - （slc）	1.65V〜1.95V	8-wson （6x5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS25WP064D-JKLE-TR			4,500	166 MHz	不揮発性	64mbit		フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o	40µs 、800µs
IS66WVH8M8DBLL-100B1LI	3.2589	RFQ	8408	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-tbga		psram（pseudo sram	2.7V〜3.6V	24-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS66WVH8M8DBLL-100B1LI			480	100 MHz	揮発性	64mbit	40 ns	psram	8m x 8	ハイパーバス	40ns
IS66WVO32M8DALL-200BLI	6.9500	RFQ	47	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-tbga	IS66WVO32M8	psram（pseudo sram	1.7V〜1.95V	24-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS66WVO32M8DALL-200BLI	3A991B2A	8542.32.0041	480	200 MHz	揮発性	256mbit		psram	32m x 8	SPI -OCTAL I/O	40ns
IS62WV102416Fall-55BLI	8.0827	RFQ	5563	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA		sram-非同期	1.65V〜2.2V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS62WV102416Fall-55Bli			480		揮発性	16mbit	55 ns	sram	1m x 16	平行	55ns
IS43QR85120B-083RBLI-TR	9.5494	RFQ	3476	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	78-TWBGA （10x14）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43QR85120B-083RBLI-TR			2,000	1.2 GHz	揮発性	4gbit	19 ns	ドラム	512m x 8	ポッド	15ns
IS61LPS51236A-250B3I	-	RFQ	1076	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-TBGA	IS61LPS51236	sram- sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	揮発性	18mbit	2.6 ns	sram	512K x 36	平行	-
IS61LPD25636A-200TQLI-TR	12.7500	RFQ	6034	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS61LPD25636	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	揮発性	9mbit	3.1 ns	sram	256k x 36	平行	-
IS61LF102418B-7.5TQ-TR	-	RFQ	2346	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	IS61LF102418	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	揮発性	18mbit	7.5 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS46LR32160C-6BLA2	12.4533	RFQ	3246	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA	IS46LR32160	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	240	166 MHz	揮発性	512mbit	5.5 ns	ドラム	16m x 32	平行	12ns
IS25LQ010A-JDLE	-	RFQ	9125	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	sicで中止されました	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	IS25LQ010	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	8-tssop	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	100	80 MHz	不揮発性	1mbit		フラッシュ	128k x 8	spi -quad i/o	400µs
IS61VPD102418A-200B3I	-	RFQ	9377	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-TBGA	IS61VPD102418	sram- クアッドポート、同期	2.375V〜2.625V	165-PBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	揮発性	18mbit	3.1 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS43TR16128DL-125KBL	4.6100	RFQ	3	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-1724	ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
IS42S32160F-6BL-TR	11.5500	RFQ	9236	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32160	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	2,500	167 MHz	揮発性	512mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 32	平行	-
IS43TR16512BL-125KBL-TR	17.7555	RFQ	7740	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA （10x14）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43TR16512BL-125KBL-TR			2,000	800 MHz	揮発性	8gbit	20 ns	ドラム	512m x 16	平行	15ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²