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メモリ（5712）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS46TR16128DL-107MBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128DL-107MBLA2-TR 6.4148
RFQ
 ECAD 4841 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46TR16128DL-107MBLA2-TR 1,500 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS43LQ32128A-062TBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32128A-062TBLI 18.4400
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA IS43LQ32128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43LQ32128A-062TBLI ear99 8542.32.0036 136 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 LVSTL -
IS61NVF51236-6.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236-6.5B3-TR -
RFQ
 ECAD 9019 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IS61NVF51236 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 512K x 36 平行 -
IS43TR16128B-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128B-15HBL-TR -
RFQ
 ECAD 4929 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS25LP256D-RHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-RHLE-TR 3.6908
RFQ
 ECAD 2770 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga IS25LP256 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS43R83200F-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200F-6TL-TR 2.6470
RFQ
 ECAD 6097 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS43R83200 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
IS25LQ040B-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ040B-JNLE -
RFQ
 ECAD 2320 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS25LQ040 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1316 ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 800µs
IS66WV51216DBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216DBLL-70BLI-TR -
RFQ
 ECAD 7701 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS66WV51216 psram（pseudo sram 2.5V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 2,500 揮発性 8mbit 70 ns psram 512K x 16 平行 70ns
IS42VM16200C-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16200C-75BLI -
RFQ
 ECAD 3608 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42VM16200 sdram-モバイル 1.7V〜1.95V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 133 MHz 揮発性 32mbit 6 ns ドラム 2m x 16 平行 -
IS43QR81024A-075VBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR81024A-075VBL 18.1892
RFQ
 ECAD 7487 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43QR81024A-075VBL 136 1.333 GHz 揮発性 8gbit 18 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
IS43TR16128CL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128CL-125KBLI-TR 5.7449
RFQ
 ECAD 1777 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS46DR16320C-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320C-25DBLA1-TR 7.2600
RFQ
 ECAD 3841 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS39LV040-70JCE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS39LV040-70JCE -
RFQ
 ECAD 8043 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 32-lcc IS39LV040 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 32-PLCC （11.43x13.97 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 32 不揮発性 4mbit 70 ns フラッシュ 512k x 8 平行 70ns
IS61NVP51236-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236-250B3-TR -
RFQ
 ECAD 7559 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IS61NVP51236 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 250 MHz 揮発性 18mbit 2.6 ns sram 512K x 36 平行 -
IS61LV12824-8TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-8TQ-TR -
RFQ
 ECAD 5904 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp IS61LV12824 sram-非同期 3.135V〜3.6V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 揮発性 3mbit 8 ns sram 128k x 24 平行 8ns
IS25WP128-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25wp128-jble 2.6300
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） IS25WP128 フラッシュ 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1443 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS42S32200C1-55TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-55TL-TR -
RFQ
 ECAD 8928 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32200 SDRAM 3.15V〜3.45V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 183 MHz 揮発性 64mbit 5 ns ドラム 2m x 32 平行 -
IS46LD32640B-25BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640B-25BLA2-TR -
RFQ
 ECAD 5061 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク 前回購入します -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 134-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-TFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46LD32640B-25BLA2-TR 1 400 MHz 揮発性 2Gbit 5.5 ns ドラム 64m x 32 HSUL_12 15ns
IS49NLS93200-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200-25B -
RFQ
 ECAD 8248 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 144-TFBGA IS49NLS93200 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 104 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 32m x 9 平行 -
IS46DR16320D-25DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-25DBLA2-TR 7.5150
RFQ
 ECAD 9997 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS42S32400D-6B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-6B -
RFQ
 ECAD 5793 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS49NLC18320-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18320-33BI -
RFQ
 ECAD 3085 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA IS49NLC18320 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 104 300 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 32m x 18 平行 -
IS42S32160D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160D-6BL 13.5037
RFQ
 ECAD 3860 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 240 166 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS43LD16128C-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128C-25BLI -
RFQ
 ECAD 4534 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-TFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43LD16128C-25BLI 171 400 MHz 揮発性 2Gbit 5.5 ns ドラム 128m x 16 HSUL_12 15ns
IS61LF12836A-7.5TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF12836A-7.5TQI-TR -
RFQ
 ECAD 9553 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS61LF12836 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 揮発性 4.5mbit 7.5 ns sram 128k x 36 平行 -
IS61WV25616BLL-10BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616BLL-10BI -
RFQ
 ECAD 5611 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61WV25616 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない Q7200303 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
IS62WV10248HBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248HBLL-45TLI 5.3900
RFQ
 ECAD 6841 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 2.2V〜3.6V 44-TSOP II - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS62WV10248HBLL-45TLI 135 揮発性 8mbit 45 ns sram 1m x 8 平行 45ns
IS43LR16200C-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16200C-6BL-TR -
RFQ
 ECAD 4617 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA IS43LR16200 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,000 166 MHz 揮発性 32mbit 5.5 ns ドラム 2m x 16 平行 12ns
IS25WQ040-JVLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ040-JVLE-TR -
RFQ
 ECAD 9785 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS25WQ040 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-VVSOP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,500 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 1ms
IS43R16320E-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-6TL-TR -
RFQ
 ECAD 2084 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43R16320E-6TL-TR 1,500 166 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 SSTL_2 15ns
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    毎日の平均RFQボリューム

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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