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メモリ（5712）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
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IS61QDB21M36-250M3L	-	RFQ	8076	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61QDB21	sram- 同期、クワッド	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	揮発性	36mbit	7.5 ns	sram	1m x 36	平行	-
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IS42S32400E-7BLI	-	RFQ	2186	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32400	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	240	143 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
IS65C1024AL-45TLA3	4.3530	RFQ	4218	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	IS65C1024	sram-非同期	4.5v〜5.5V	32-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	156		揮発性	1mbit	45 ns	sram	128k x 8	平行	45ns
IS63WV1288DBLL-10HLI	1.8062	RFQ	7731	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅）	IS63WV1288	sram-非同期	2.4V〜3.6V	32-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	234		揮発性	1mbit	10 ns	sram	128k x 8	平行	10ns
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IS42SM16160D-7BLI-TR	-	RFQ	3526	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS42SM16160	sdram-モバイル	3V〜3.6V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	2,500	143 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
IS43LD32320A-25BLI	-	RFQ	7042	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	134-TFBGA	IS43LD32320	SDRAM-モバイルLPDDR2	1.14V〜1.95V	134-TFBGA （10x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-1357	ear99	8542.32.0002	171	400 MHz	揮発性	1gbit		ドラム	32m x 32	平行	15ns
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IS61LPS12836A-200TQI	-	RFQ	7888	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS61LPS12836	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	揮発性	4.5mbit	3.1 ns	sram	128k x 36	平行	-
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IS61VPS51236A-250B3	-	RFQ	4919	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA	IS61VPS51236	sram- sdr	2.375V〜2.625V	165-PBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	揮発性	18mbit	2.6 ns	sram	512K x 36	平行	-
IS61DDB21M36-250M3	-	RFQ	9951	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61DDB21	sram- ddr ii	1.71V〜1.89V	165-lfbga（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	揮発性	36mbit		sram	1m x 36	平行	-
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IS43LD16640A-25BL	-	RFQ	9054	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	0°C〜85°C（タタ	表面マウント	134-TFBGA	IS43LD16640	SDRAM-モバイルLPDDR2	1.14V〜1.95V	134-TFBGA （10x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-1354	ear99	8542.32.0002	171	400 MHz	揮発性	1gbit		ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS61QDPB42M36A-400M3LI	105.1858	RFQ	8394	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-lbga	IS61QDPB42	sram- quadp	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	400 MHz	揮発性	72mbit	8.4 ns	sram	2m x 36	平行	-
IS42S16400F-6TLI	-	RFQ	5712	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S16400	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	揮発性	64mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 16	平行	-
IS46R86400D-6TLA1-TR	8.6250	RFQ	5054	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS46R86400	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	1,500	166 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	64m x 8	平行	15ns
IS42S83200J-6tli	3.4679	RFQ	6835	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S83200	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	32m x 8	平行	-
IS43LR32640A-6BLI	16.6700	RFQ	7063	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-lfbga	IS43LR32640	SDRAM -DDR	1.7V〜1.95V	90-WBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	240	166 MHz	揮発性	2Gbit	5 ns	ドラム	64m x 32	平行	15ns
IS42SM16800H-6BLI	4.6611	RFQ	7126	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS42SM16800	sdram-モバイル	2.7V〜3.6V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	348	166 MHz	揮発性	128mbit	5.5 ns	ドラム	8m x 16	平行	-
IS61QDB251236A-250M3L	32.3796	RFQ	4700	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61QDB251236	sram- 同期、クワッド	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	揮発性	18mbit		sram	512K x 36	平行	-
IS21ES32G-JQLI	-	RFQ	4915	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lbga	IS21ES32	フラッシュ-nand （mlc）	2.7V〜3.3V	100-lfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS21ES32G-JQLI	3A991B1A	8542.32.0071	98	200 MHz	不揮発性	256gbit		フラッシュ	32g x 8	EMMC	-
IS61LV2568L-10TL-TR	-	RFQ	1910年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS61LV2568	sram-非同期	3.135V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		揮発性	2mbit	10 ns	sram	256k x 8	平行	10ns
IS43TR81024BL-107MBL-TR	19.5776	RFQ	6111	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （10x14）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43TR81024BL-107MBL-TR			2,000	933 MHz	揮発性	8gbit	20 ns	ドラム	1g x 8	平行	15ns
IS49NLC36800-25BLI	-	RFQ	5203	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	144-TFBGA	IS49NLC36800	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	104	400 MHz	揮発性	288mbit	20 ns	ドラム	8m x 36	平行	-
IS42R32800J-7Tli	-	RFQ	1889	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ				IS42R32800				-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	240
IS49NLC36800A-25EWBL	29.0237	RFQ	5037	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	144-TFBGA		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-TWBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS49NLC36800A-25EWBL			104	400 MHz	揮発性	288mbit	15 ns	ドラム	8m x 36	HSTL	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²