画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS61LF102436A-7.5TQLI | - | ![]() | 7455 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LF102436 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 揮発性 | 36mbit | 7.5 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS42S16160D-75ETLI-TR | - | ![]() | 8801 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | IS61NLP102418-200B3 | - | ![]() | 2356 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NLP102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.1 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | IS61NLP12836EC-200TLI | 7.5262 | ![]() | 9840 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLP12836 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.1 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
IS61C5128AL-10TLI | 3.6124 | ![]() | 4290 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS61C5128 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 10ns | |||||
![]() | IS61LP6432A-133TQ-TR | - | ![]() | 1161 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LP6436 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 133 MHz | 揮発性 | 2mbit | 4 ns | sram | 64k x 32 | 平行 | - | |||
![]() | IS61VVF409618B-7.5TQL-TR | 125.3000 | ![]() | 3230 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IS61VVF409618 | sram- sdr | 1.71V〜1.89V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | 揮発性 | 72mbit | 7.5 ns | sram | 4m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | IS61NLP102436B-200TQLI-TR | 69.6500 | ![]() | 2715 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLP102436 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | 揮発性 | 36mbit | 3.1 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | |||
IS43DR16320E-25DBLI-TR | 4.3084 | ![]() | 5690 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
IS62WV12816BLL-55TI-TR | - | ![]() | 7901 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS62WV12816 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 2mbit | 55 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 55ns | |||||
![]() | IS42S16160G-7BI | - | ![]() | 7376 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 348 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | IS49NLS93200-25B | - | ![]() | 8248 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLS93200 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 32m x 9 | 平行 | - | |||
IS46DR16320D-25DBLA2-TR | 7.5150 | ![]() | 9997 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 84-TFBGA | IS46DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | IS42S32160D-6BL | 13.5037 | ![]() | 3860 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | |||
![]() | IS46LR32160C-6BLA2 | 12.4533 | ![]() | 3246 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 90-TFBGA | IS46LR32160 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 12ns | |||
![]() | IS42S32400B-7BI-TR | - | ![]() | 2034 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | |||
IS63WV1024BLL-12TLI | 2.4900 | ![]() | 117 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.400 "、幅 10.16mm) | IS63WV1024 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 32-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 117 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 12ns | |||||
![]() | IS42S16160G-6BI | - | ![]() | 5020 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 348 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | |||
IS43DR16320D-25DBL | 2.8719 | ![]() | 5929 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 209 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | IS43R32800D-5BLI | - | ![]() | 5943 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-LFBGA | IS43R32800 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 144-LFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 189 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS61LF102418A-7.5B3I | - | ![]() | 8032 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61LF102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.5 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | 確認されていません | ||
![]() | IS49NLS96400-3333 | - | ![]() | 1262 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLS96400 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 300 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 64m x 9 | 平行 | - | |||
![]() | IS42S32400E-6TL | - | ![]() | 3965 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | |||
![]() | IS43R32800D-6BL | - | ![]() | 8976 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 144-LFBGA | IS43R32800 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 144-LFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 189 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS49NLS96400-33B | - | ![]() | 5483 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLS96400 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 300 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 64m x 9 | 平行 | - | |||
![]() | IS42SM16400K-75BLI | - | ![]() | 3092 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42SM16400 | sdram-モバイル | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 6 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | IS64LPS102436B-166B3LA3 | 127.7659 | ![]() | 6048 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS64LPS102436 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 166 MHz | 揮発性 | 36mbit | 3.8 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS61WV102416DALL-10TLI | - | ![]() | 6196 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | IS61WV102416 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 96 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 10ns | ||||
![]() | IS46DR81280C-25DBLA1 | - | ![]() | 5282 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS46DR81280 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS25LQ080B-JBLE | - | ![]() | 3862 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | sicで中止されました | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | IS25LQ080 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1329 | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 1ms |
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