SIC
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メモリ（5712）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS25WD020-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD020-JNLE -
RFQ
 ECAD 4947 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS25WD020 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 80 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 3ms
IS49NLS18160-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-25B -
RFQ
 ECAD 4202 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 144-TFBGA IS49NLS18160 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 104 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
IS62WV25616EALL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55BI-TR -
RFQ
 ECAD 8109 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA IS62WV25616 sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 1 揮発性 4mbit 55 ns sram 256k x 16 平行 55ns
IS42S16320D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-6BL-TR 12.7950
RFQ
 ECAD 4200 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-TW-BGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS42S16400F-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-6BLI-TR -
RFQ
 ECAD 6095 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42S16400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR 4.0102
RFQ
 ECAD 1328 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS66WVE2M16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 32mbit 70 ns psram 2m x 16 平行 70ns
IS45S16400J-6TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400J-6TLA1-TR 3.4742
RFQ
 ECAD 1894年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS45S16400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS43R16320E-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-5TL -
RFQ
 ECAD 9715 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43R16320E-5TL 108 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 SSTL_2 15ns
IS43DR16640C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-25DBLI 6.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1564 ear99 8542.32.0032 209 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS46TR16K01S2AL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16K01S2AL-125KBLA1 34.3157
RFQ
 ECAD 9285 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-LFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-LWBGA （10x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46TR16K01S2AL-125KBLA1 136 800 MHz 揮発性 16gbit 20 ns ドラム 1g x 16 平行 15ns
IS43TR85120B-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120B-125KBLI-TR 7.7140
RFQ
 ECAD 9865 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43TR85120B-125KBLI-TR 2,000 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS46DR16320D-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-25DBLA1-TR 6.0000
RFQ
 ECAD 2123 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS46TR16128B-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128B-15HBLA2 -
RFQ
 ECAD 5762 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS43DR16160A-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-3DBI-TR -
RFQ
 ECAD 9790 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 333 MHz 揮発性 256mbit 450 PS ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS42S83200B-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200B-7TL -
RFQ
 ECAD 7414 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S83200 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 108 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 -
IS42S32160C-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160C-6BLI-TR -
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-lfbga IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 90-WBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS42S16320F-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-7BL-TR 10.4550
RFQ
 ECAD 7176 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-TW-BGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS42SM32400G-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32400G-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 1954年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42SM32400 sdram-モバイル 2.7V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 揮発性 128mbit 6 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS49NLC18320-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18320-33BI -
RFQ
 ECAD 3085 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA IS49NLC18320 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 104 300 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 32m x 18 平行 -
IS42S32160F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6BL-TR 11.5500
RFQ
 ECAD 9236 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 167 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS61LPS51236A-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236A-200B3-TR -
RFQ
 ECAD 7366 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IS61LPS51236 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200 MHz 揮発性 18mbit 3.1 ns sram 512K x 36 平行 -
IS42S32160D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160D-6BLI 16.1384
RFQ
 ECAD 9829 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 240 166 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS42S16400D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-6BLI-TR -
RFQ
 ECAD 7347 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS42S16400 SDRAM 3V〜3.6V 60-minibga （6.4x10.1 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 64mbit 5 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS43R16160D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-6TL-TR 3.2757
RFQ
 ECAD 6953 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS43R16160 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS25LP080D-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25lp080d-jble 0.8200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） IS25LP080 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1578 ear99 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS25LP032D-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JLLE 1.4400
RFQ
 ECAD 1041 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド IS25LP032 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS61WV25616EDALL-20BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDALL-20BLI-TR 4.7956
RFQ
 ECAD 1260 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61WV25616 sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 4mbit 20 ns sram 256k x 16 平行 20ns
IS66WVO32M8DALL-200BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVO32M8DALL-200BLI 6.9500
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga IS66WVO32M8 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS66WVO32M8DALL-200BLI 3A991B2A 8542.32.0041 480 200 MHz 揮発性 256mbit psram 32m x 8 SPI -OCTAL I/O 40ns
IS25WE256E-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WE256E-RMLE -
RFQ
 ECAD 9365 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - 1.7V〜1.95V 16-SOIC - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25WE256E-RMLE 廃止 1 166 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 50µs 、2ms
IS43LD16128C-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128C-25BLI -
RFQ
 ECAD 4534 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-TFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43LD16128C-25BLI 171 400 MHz 揮発性 2Gbit 5.5 ns ドラム 128m x 16 HSUL_12 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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