画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS42S32160A-75BL-TR | - | ![]() | 3351 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-lfbga | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-lfbga (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 6 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS43TR81280B-125KBLI-TR | - | ![]() | 6127 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS42S16160j-6bl | 3.0525 | ![]() | 2420 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 348 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS46TR16128DL-107MBLA2-TR | 6.4148 | ![]() | 4841 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46TR16128DL-107MBLA2-TR | 1,500 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | IS61LF102418B-7.5TQ-TR | - | ![]() | 2346 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LF102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.5 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS43TR16512BL-125KBL-TR | 17.7555 | ![]() | 7740 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43TR16512BL-125KBL-TR | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | IS45S16400F-7TLA1 | - | ![]() | 3736 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS43QR16512A-083TBLI-TR | 17.2767 | ![]() | 6410 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43QR16512A-083TBLI-TR | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 8gbit | 18 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | IS61QDB24M18A-300M3L | 74.4172 | ![]() | 7675 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDB24 | sram- 同期、クワッド | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(15x17) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 MHz | 揮発性 | 72mbit | 1.48 ns | sram | 4m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS62WV12816ALL-70BI | - | ![]() | 9936 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS62WV12816 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 2mbit | 70 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | IS43R16320E-6TL-TR | - | ![]() | 2084 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43R16320E-6TL-TR | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | SSTL_2 | 15ns | |||||
![]() | IS61LPD51236A-200TQI-TR | - | ![]() | 7824 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LPD51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.1 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S16100H-7TLI-TR | 1.5600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 50-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 1,000 | 143 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5.5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS43LD32640B-25BLI | 11.2943 | ![]() | 7717 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 前回購入します | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-TFBGA | IS43LD32640 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.95V | 134-TFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 171 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS42RM32200K-6BLI | - | ![]() | 3022 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42RM32200 | sdram-モバイル | 2.3V〜2.7V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S16320B-6TL | - | ![]() | 2870 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS41C16257C-35TLI | - | ![]() | 6981 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-tsop (0.400 "、10.16mm 幅)、40リード | IS41C16257 | DRAM -FP | 4.5v〜5.5V | 40-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 135 | 揮発性 | 4mbit | 18 ns | ドラム | 256k x 16 | 平行 | - | |||
![]() | IS42S81600E-7TLI-TR | - | ![]() | 7679 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S81600 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 8 | 平行 | - | ||
IS46DR16160B-25DBLA1-TR | 5.2523 | ![]() | 1626 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS46DR16160 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 256mbit | 400 PS | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS43LD32128B-25BPLI-TR | 12.4500 | ![]() | 8543 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 168-VFBGA | IS43LD32128 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 168-VFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS43LD32128B-25BPLI-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 400 MHz | 揮発性 | 4gbit | 5.5 ns | ドラム | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
![]() | IS22TF64G-JCLA1 | 50.6532 | ![]() | 7392 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS22TF64G-JCLA1 | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
![]() | IS66WVH8M8DBLL-100B1LI | 3.2589 | ![]() | 8408 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | psram(pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS66WVH8M8DBLL-100B1LI | 480 | 100 MHz | 揮発性 | 64mbit | 40 ns | psram | 8m x 8 | ハイパーバス | 40ns | |||||
![]() | IS46LD32128C-18BPLA2-TR | - | ![]() | 6254 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 168-VFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46LD32128C-18BPLA2-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | 揮発性 | 4gbit | 5.5 ns | ドラム | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
![]() | IS42SM32400G-75BI | - | ![]() | 2457 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42SM32400 | sdram-モバイル | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 6 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS25LP256D-JLLA3-TR | 3.5398 | ![]() | 1297 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.3V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25LP256D-JLLA3-TR | 4,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6.5 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | |||||
![]() | IS62WV5128EALL-55TLI | 4.4684 | ![]() | 7876 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | IS62WV5128 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 156 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 55ns | |||
IS61C256AL-12JLI | 1.5200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | IS61C256 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 25 | 揮発性 | 256kbit | 12 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | IS42S32200C1-7TL | - | ![]() | 6490 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32200 | SDRAM | 3.15V〜3.45V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS61NLF25636A-7.5TQI | - | ![]() | 2392 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLF25636 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 揮発性 | 9mbit | 7.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS43TR16128AL-125KBLI | - | ![]() | 9711 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns |
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