SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS42S32160A-75BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160A-75BL-TR -
RFQ
ECAD 3351 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-lfbga IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 90-lfbga (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 揮発性 512mbit 6 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS43TR81280B-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280B-125KBLI-TR -
RFQ
ECAD 6127 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS42S16160J-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160j-6bl 3.0525
RFQ
ECAD 2420 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 348 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS46TR16128DL-107MBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128DL-107MBLA2-TR 6.4148
RFQ
ECAD 4841 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS46TR16128DL-107MBLA2-TR 1,500 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS61LF102418B-7.5TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418B-7.5TQ-TR -
RFQ
ECAD 2346 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp IS61LF102418 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp(14x20) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 揮発性 18mbit 7.5 ns sram 1m x 18 平行 -
IS43TR16512BL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512BL-125KBL-TR 17.7555
RFQ
ECAD 7740 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (10x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43TR16512BL-125KBL-TR 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS45S16400F-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400F-7TLA1 -
RFQ
ECAD 3736 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS45S16400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS43QR16512A-083TBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16512A-083TBLI-TR 17.2767
RFQ
ECAD 6410 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-TWBGA (10x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43QR16512A-083TBLI-TR 2,000 1.2 GHz 揮発性 8gbit 18 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS61QDB24M18A-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB24M18A-300M3L 74.4172
RFQ
ECAD 7675 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-lbga IS61QDB24 sram- 同期、クワッド 1.71V〜1.89V 165-lfbga(15x17) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 300 MHz 揮発性 72mbit 1.48 ns sram 4m x 18 平行 -
IS62WV12816ALL-70BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816ALL-70BI -
RFQ
ECAD 9936 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV12816 sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 2mbit 70 ns sram 128k x 16 平行 70ns
IS43R16320E-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-6TL-TR -
RFQ
ECAD 2084 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43R16320E-6TL-TR 1,500 166 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 SSTL_2 15ns
IS61LPD51236A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-200TQI-TR -
RFQ
ECAD 7824 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lqfp IS61LPD51236 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp(14x20) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 揮発性 18mbit 3.1 ns sram 512K x 36 平行 -
IS42S16100H-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-7TLI-TR 1.5600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S16100 SDRAM 3V〜3.6V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 1,000 143 MHz 揮発性 16mbit 5.5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS43LD32640B-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-25BLI 11.2943
RFQ
ECAD 7717 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 前回購入します -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 134-TFBGA IS43LD32640 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.95V 134-TFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 171 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 平行 15ns
IS42RM32200K-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32200K-6BLI -
RFQ
ECAD 3022 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42RM32200 sdram-モバイル 2.3V〜2.7V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 -
IS42S16320B-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-6TL -
RFQ
ECAD 2870 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 108 166 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS41C16257C-35TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16257C-35TLI -
RFQ
ECAD 6981 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-tsop (0.400 "、10.16mm 幅)、40リード IS41C16257 DRAM -FP 4.5v〜5.5V 40-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 135 揮発性 4mbit 18 ns ドラム 256k x 16 平行 -
IS42S81600E-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600E-7TLI-TR -
RFQ
ECAD 7679 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S81600 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 16m x 8 平行 -
IS46DR16160B-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16160B-25DBLA1-TR 5.2523
RFQ
ECAD 1626 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 84-TFBGA IS46DR16160 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 400 MHz 揮発性 256mbit 400 PS ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS43LD32128B-25BPLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128B-25BPLI-TR 12.4500
RFQ
ECAD 8543 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 168-VFBGA IS43LD32128 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS43LD32128B-25BPLI-TR ear99 8542.32.0036 1,500 400 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS22TF64G-JCLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF64G-JCLA1 50.6532
RFQ
ECAD 7392 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 153-VFBGA フラッシュ-Nand (TLC) 2.7V〜3.6V 153-VFBGA (11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS22TF64G-JCLA1 152 200 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 EMMC_5.1 -
IS66WVH8M8DBLL-100B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH8M8DBLL-100B1LI 3.2589
RFQ
ECAD 8408 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga psram(pseudo sram 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS66WVH8M8DBLL-100B1LI 480 100 MHz 揮発性 64mbit 40 ns psram 8m x 8 ハイパーバス 40ns
IS46LD32128C-18BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128C-18BPLA2-TR -
RFQ
ECAD 6254 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46LD32128C-18BPLA2-TR ear99 8542.32.0036 1 533 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS42SM32400G-75BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32400G-75BI -
RFQ
ECAD 2457 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42SM32400 sdram-モバイル 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 133 MHz 揮発性 128mbit 6 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS25LP256D-JLLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-JLLA3-TR 3.5398
RFQ
ECAD 1297 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - (slc) 2.3V〜3.6V 8-wson (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS25LP256D-JLLA3-TR 4,000 166 MHz 不揮発性 256mbit 6.5 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 40µs 、800µs
IS62WV5128EALL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EALL-55TLI 4.4684
RFQ
ECAD 7876 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) IS62WV5128 sram-非同期 1.65V〜2.2V 32-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 156 揮発性 4mbit 55 ns sram 512k x 8 平行 55ns
IS61C256AL-12JLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C256AL-12JLI 1.5200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 28-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) IS61C256 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 25 揮発性 256kbit 12 ns sram 32k x 8 平行 12ns
IS42S32200C1-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7TL -
RFQ
ECAD 6490 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S32200 SDRAM 3.15V〜3.45V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 -
IS61NLF25636A-7.5TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF25636A-7.5TQI -
RFQ
ECAD 2392 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lqfp IS61NLF25636 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp(14x20) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz 揮発性 9mbit 7.5 ns sram 256k x 36 平行 -
IS43TR16128AL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128AL-125KBLI -
RFQ
ECAD 9711 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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