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メモリ（5712）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43LR16200C-6BL-TR | - |  | 4617 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43LR16200 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 32mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 16 | 平行 | 12ns | ||
 | IS42S32400F-7BLI-TR | 5.5500 | | 7019 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
 | IS62WV1288BLL-55TI | - | | 7054 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | IS62WV1288 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 156 | 揮発性 | 1mbit | 55 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 55ns | |||
 | IS21ES04G-JQLI | - | | 4520 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lbga | IS21ES04 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 100-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS21ES04G-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | EMMC | - | ||
 | IS25LP040E-JBLE | 0.6300 | | 40 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | IS25LP040 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS25LP040E-JBLE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 8 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o、qpi | 1.2ms | |
 | IS43R16800E-5TLI | 2.6286 | | 2418 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS43R16800 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | 700 ps | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | IS41C16100C-50TI | - | | 2796 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅）、44のリード | IS41C16100 | ドラム -江戸 | 4.5v〜5.5V | 50-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 揮発性 | 16mbit | 25 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | 85ns | |||
 | IS42S16100F-6TLI | - | | 3940 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 50-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 166 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5.5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||
| IS43R16320E-5TLI-TR | 6.6681 | | 3428 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS43R16320 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | IS43LD32320C-18BLI-TR | 9.4650 | | 6805 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 134-TFBGA | IS43LD32320 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.95V | 134-TFBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 533 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 32m x 32 | 平行 | 15ns | |||
 | IS61VF204836B-7.5TQLI | 123.9810 | | 8445 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61VF204836 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 揮発性 | 72mbit | 7.5 ns | sram | 2m x 36 | 平行 | - | ||
| IS61NLP51236-250TQLI-TR | - | | 5723 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLP51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 2.6 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
 | IS42S32800B-6TLI-TR | - | | 2175 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
| IS61LPS25618A-200TQI | - | | 6316 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LPS25618 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.1 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | ||
| IS46R16320E-5TLA1 | 7.9881 | | 9746 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS46R16320 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | IS46R16160D-6BLA1-TR | 6.1200 | | 8742 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS46R16160 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-tfbga （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | IS62WV12816BLL-55B2LI | 2.4384 | | 8407 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS62WV12816 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 2mbit | 55 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 55ns | |||
| IS62WV5128BLL-55TI-TR | - | | 4630 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | IS62WV5128 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 55ns | |||
 | IS49NLC36160-33BI | - | | 4492 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLC36160 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA （11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 300 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | ||
| IS42S32800D-7BLI | - | | 5268 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
| IS43R16800E-5TL-TR | 2.2369 | | 9306 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS43R16800 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | 700 ps | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | IS64WV20488BLL-10CTLA3-TR | 23.8000 | | 7646 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS64WV20488 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 2m x 8 | 平行 | 10ns | |||
| IS61NLP51236B-200TLI | 17.2425 | | 9873 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLP51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
 | IS42VM16160E-6BLI | - | | 5436 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42VM16160 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 348 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
| IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR | 3.1918 | | 8502 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS66WV1M16 | psram（pseudo sram | 2.5V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 16mbit | 55 ns | psram | 1m x 16 | 平行 | 55ns | |||
 | IS42S16400D-7BL | - | | 8155 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | IS42S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-minibga （6.4x10.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 286 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | ||
 | IS61C5128AS-25QLI | 4.5000 | | 999 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-SOIC （0.445 "、幅11.30mm） | IS61C5128 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 揮発性 | 4mbit | 25 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 25ns | |||
| IS43LR16320C-6BL-TR | 5.9250 | | 3402 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43LR16320 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.5 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | IS61QDPB42M36A-550M3LI | - | | 2197 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDPB42 | sram- クアッドポート、同期 | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga（15x17） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 550 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||
 | IS61C64AL-10JLI | 1.3059 | | 7629 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） | IS61C64 | sram-非同期 | 4.75v〜5.25V | 28-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 25 | 揮発性 | 64kbit | 10 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 10ns |
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