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メモリ（5712）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS25WJ032F-JNLE	1.0600	RFQ	365	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IS25WJ032F	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS25WJ032F-JNLE	3A991B1A	8542.32.0071	100	133 MHz	不揮発性	32mbit	6 ns	フラッシュ	4m x 8	spi -quad i/o	1.6ms
IS42S32160B-75EBLI	-	RFQ	9013	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32160	SDRAM	3V〜3.6V	90-WBGA （11x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	144	133 MHz	揮発性	512mbit	5.5 ns	ドラム	16m x 32	平行	-
IS64LF12832EC-7.5TQLA3-TR	9.9825	RFQ	5203	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS64LF12832	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	揮発性	4mbit	7.5 ns	sram	128k x 32	平行	-
IS61LV25616AL-10K-TR	-	RFQ	2734	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm）	IS61LV25616	sram-非同期	3.135V〜3.6V	44-SOJ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800		揮発性	4mbit	10 ns	sram	256k x 16	平行	10ns
IS46TR16640BL-107MBLA2-TR	-	RFQ	9442	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS46TR16640BL-107MBLA2-TR	ear99	8542.32.0032	1,500	933 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS22TF64G-JCLA1	50.6532	RFQ	7392	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	153-VFBGA		フラッシュ-Nand （TLC）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA （11.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS22TF64G-JCLA1			152	200 MHz	不揮発性	512gbit		フラッシュ	64g x 8	EMMC_5.1	-
IS43TR81024B-125KBL	20.8861	RFQ	2010年年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （10x14）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43TR81024B-125KBL			136	800 MHz	揮発性	8gbit	20 ns	ドラム	1g x 8	平行	15ns
IS25WP064D-JKLE-TR	1.3012	RFQ	6796	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-wdfn露出パッド		フラッシュ - （slc）	1.65V〜1.95V	8-wson （6x5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS25WP064D-JKLE-TR			4,500	166 MHz	不揮発性	64mbit		フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o	40µs 、800µs
IS66WVH8M8DBLL-100B1LI	3.2589	RFQ	8408	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-tbga		psram（pseudo sram	2.7V〜3.6V	24-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS66WVH8M8DBLL-100B1LI			480	100 MHz	揮発性	64mbit	40 ns	psram	8m x 8	ハイパーバス	40ns
IS66WVO32M8DALL-200BLI	6.9500	RFQ	47	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-tbga	IS66WVO32M8	psram（pseudo sram	1.7V〜1.95V	24-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS66WVO32M8DALL-200BLI	3A991B2A	8542.32.0041	480	200 MHz	揮発性	256mbit		psram	32m x 8	SPI -OCTAL I/O	40ns
IS25WP016D-JKLE	1.2700	RFQ	2	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-wdfn露出パッド	IS25WP016	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8-wson （6x5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	570	133 MHz	不揮発性	16mbit		フラッシュ	2m x 8	spi -quad i/o	800µs
IS42S32400F-6BL	5.1693	RFQ	8335	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32400	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
IS62WV5128DALL-55BLI-TR	-	RFQ	4891	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	36-tfbga	IS62WV5128	sram-非同期	1.65V〜2.2V	36-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1		揮発性	4mbit	55 ns	sram	512k x 8	平行	55ns
IS61VPS102418A-200B3I-TR	-	RFQ	1985年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-TBGA	IS61VPS102418	sram- sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz	揮発性	18mbit	3.1 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS62WV102416Fall-55BLI	8.0827	RFQ	5563	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA		sram-非同期	1.65V〜2.2V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS62WV102416Fall-55Bli			480		揮発性	16mbit	55 ns	sram	1m x 16	平行	55ns
IS42SM32160E-75BL-TR	9.1200	RFQ	8155	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA	IS42SM32160	sdram-モバイル	2.7V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	2,500	133 MHz	揮発性	512mbit	6 ns	ドラム	16m x 32	平行	-
IS43QR85120B-083RBLI-TR	9.5494	RFQ	3476	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	78-TWBGA （10x14）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43QR85120B-083RBLI-TR			2,000	1.2 GHz	揮発性	4gbit	19 ns	ドラム	512m x 8	ポッド	15ns
IS42S32400B-7BLI-TR	-	RFQ	3292	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32400	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
IS61LPS51236A-250B3I	-	RFQ	1076	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-TBGA	IS61LPS51236	sram- sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	揮発性	18mbit	2.6 ns	sram	512K x 36	平行	-
IS46DR16640C-3DBLA2-TR	5.9400	RFQ	1230	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	84-TFBGA	IS46DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	2,500	333 MHz	揮発性	1gbit	450 PS	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS61LPD25636A-200TQLI-TR	12.7500	RFQ	6034	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS61LPD25636	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	揮発性	9mbit	3.1 ns	sram	256k x 36	平行	-
IS61LF102418B-7.5TQ-TR	-	RFQ	2346	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	IS61LF102418	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	揮発性	18mbit	7.5 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS46LR32160C-6BLA2	12.4533	RFQ	3246	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA	IS46LR32160	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	240	166 MHz	揮発性	512mbit	5.5 ns	ドラム	16m x 32	平行	12ns
IS25LQ010A-JDLE	-	RFQ	9125	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	sicで中止されました	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	IS25LQ010	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	8-tssop	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	100	80 MHz	不揮発性	1mbit		フラッシュ	128k x 8	spi -quad i/o	400µs
IS61VPD102418A-200B3I	-	RFQ	9377	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-TBGA	IS61VPD102418	sram- クアッドポート、同期	2.375V〜2.625V	165-PBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	揮発性	18mbit	3.1 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS43TR16128DL-125KBL	4.6100	RFQ	3	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-1724	ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
IS46DR16320D-3DBLA1-TR	5.7150	RFQ	3850	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	84-TFBGA	IS46DR16320	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	2,500	333 MHz	揮発性	512mbit	450 PS	ドラム	32m x 16	平行	15ns
IS42S32160F-6BL-TR	11.5500	RFQ	9236	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32160	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	2,500	167 MHz	揮発性	512mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 32	平行	-
IS43TR16512BL-125KBL-TR	17.7555	RFQ	7740	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA （10x14）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43TR16512BL-125KBL-TR			2,000	800 MHz	揮発性	8gbit	20 ns	ドラム	512m x 16	平行	15ns
IS29GL032-70TLED-TR	2.7884	RFQ	6963	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）		フラッシュ - （slc）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS29GL032-70TLED-TR			1,500		不揮発性	32mbit	70 ns	フラッシュ	2m x 16	CFI	70ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²