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メモリ（5712）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43QR81024A-075VBL-TR | 16.5585 |  | 9463 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-TWBGA （10x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43QR81024A-075VBL-TR | 2,000 | 1.333 GHz | 揮発性 | 8gbit | 18 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | |||||
 | IS43TR16128DL-125KBL | 4.6100 | | 3 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-1724 | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |
 | IS63LV1024-12J | - | | 1404 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） | IS63LV1024 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 32-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 22 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 12ns | |||
| IS46TR16128DL-125KBLA2-TR | 5.5738 | | 5961 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS46TR16128DL-125KBLA2-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |
 | IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR | 9.6403 | | 1761 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS61WV51216 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 8mbit | 8 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 8ns | |||
 | IS25WP040E-JBLE | 0.4261 | | 9254 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | IS25WP040 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS25WP040E-JBLE | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 8 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 1.2ms | |
| IS25WP016D-JBLA3-TR | 0.9827 | | 7618 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS25WP016D-JBLA3-TR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | |||||
 | IS61NVF51236B-7.5TQLI | 17.2425 | | 3433 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NVF51236 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
| IS62C5128EL-45TLI-TR | 3.2532 | | 6007 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-SOIC （0.400 "、幅 10.16mm） | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-TSOP II | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS62C5128EL-45TLI-TR | 1,000 | 揮発性 | 4mbit | 45 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 45ns | ||||||
 | IS61C64AL-10JLI-TR | 1.2505 | | 5203 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） | IS61C64 | sram-非同期 | 4.75v〜5.25V | 28-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 64kbit | 10 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 10ns | |||
| IS61LF12836A-7.5TQI-TR | - | | 9553 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LF12836 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 7.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
 | IS66WVC2M16ECLL-7010BLI | 4.2635 | | 1225 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | IS66WVC2M16 | psram（pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 32mbit | 70 ns | psram | 2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| IS61WV102416FBLL-8BLI-TR | 9.0839 | | 1337 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS61WV102416FBLL-8BLI-TR | 2,500 | 揮発性 | 16mbit | 8 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 8ns | ||||||
| IS43R16320F-6TL-TR | 2.8194 | | 7381 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43R16320F-6TL-TR | 1,500 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | SSTL_2 | 15ns | |||||
 | IS65C1024AL-45QLA3-TR | 4.1213 | | 2117 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 32-SOIC （0.445 "、幅11.30mm） | IS65C1024 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 45 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 45ns | |||
 | IS21ES32G-JCLI | - | | 9123 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | IS21ES32 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS21ES32G-JCLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC | - | ||
| IS46LQ16256A-062BLA1-TR | - | | 4120 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-VFBGA （10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46LQ16256A-062BLA1-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | LVSTL | - | ||||||
 | IS25LP020E-JYLE-TR | 0.3100 | | 3706 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | IS25LP020 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS25LP020E-JYLE-TR | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 8 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 1.2ms | |
 | IS42S16320D-7BLI | 14.6759 | | 4484 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TW-BGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||
| IS62C10248AL-55TLI-TR | 9.7500 | | 6404 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS62C10248 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 8mbit | 55 ns | sram | 1m x 8 | 平行 | 55ns | |||
 | IS42S32400F-6BL-TR | 4.6129 | | 1205 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
| IS42SM32800E-6BLI-TR | - | | 8469 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42SM32800 | sdram-モバイル | 2.7V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
 | IS43TR85120A-093NBLI | - | | 7700 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | IS43TR85120 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA （9x10.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS43TR85120A-093NBLI | ear99 | 8542.32.0036 | 220 | 1.066 GHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |
 | IS42S16100C1-6T | - | | 5988 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 50-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 166 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5.5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||
| IS25WX064-JHLA3 | 2.5760 | | 9562 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | IS25WX064 | フラッシュ | 1.7V〜2V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS25WX064-JHLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - | ||
 | IS61WV5128BLL-10BLI-TR | 3.2736 | | 8793 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 36-tfbga | IS61WV5128 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 36-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 10ns | |||
| IS43LD32320D-18BLI | 9.5600 | | 2811 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43LD32320D-18BLI | 171 | |||||||||||||||||||
 | IS46DR16640C-25DBLA1 | 6.1065 | | 7965 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS46DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 209 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | IS66WVE1M16EBLL-70BLI | 2.7843 | | 1052 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS66WVE1M16 | psram（pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 16mbit | 70 ns | psram | 1m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | IS42S32400B-7TL | - | | 9697 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - |
2000+
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