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メモリ（5712）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS25LP020E-JYLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP020E-JYLE-TR 0.3100
RFQ
 ECAD 3706 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-ufdfn露出パッド IS25LP020 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LP020E-JYLE-TR ear99 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 2mbit 8 ns フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 1.2ms
IS42S16320D-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-7BLI 14.6759
RFQ
 ECAD 4484 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-TW-BGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 240 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS62C10248AL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C10248AL-55TLI-TR 9.7500
RFQ
 ECAD 6404 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS62C10248 sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 8mbit 55 ns sram 1m x 8 平行 55ns
IS42S32400F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-6BL-TR 4.6129
RFQ
 ECAD 1205 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS42SM32800E-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32800E-6BLI-TR -
RFQ
 ECAD 8469 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42SM32800 sdram-モバイル 2.7V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 平行 -
IS43TR85120A-093NBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120A-093NBLI -
RFQ
 ECAD 7700 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA （9x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR85120A-093NBLI ear99 8542.32.0036 220 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS42S16100C1-6T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-6T -
RFQ
 ECAD 5988 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16100 SDRAM 3V〜3.6V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 117 166 MHz 揮発性 16mbit 5.5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS25WX064-JHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX064-JHLA3 2.5760
RFQ
 ECAD 9562 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga IS25WX064 フラッシュ 1.7V〜2V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25WX064-JHLA3 3A991B1A 8542.32.0071 480 200 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
IS61WV5128BLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV5128BLL-10BLI-TR 3.2736
RFQ
 ECAD 8793 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 36-tfbga IS61WV5128 sram-非同期 2.4V〜3.6V 36-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 4mbit 10 ns sram 512k x 8 平行 10ns
IS43LD32320D-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32320D-18BLI 9.5600
RFQ
 ECAD 2811 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc * トレイ アクティブ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43LD32320D-18BLI 171
IS46DR16640C-25DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640C-25DBLA1 6.1065
RFQ
 ECAD 7965 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 209 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS66WVE1M16EBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE1M16EBLL-70BLI 2.7843
RFQ
 ECAD 1052 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS66WVE1M16 psram（pseudo sram 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 16mbit 70 ns psram 1m x 16 平行 70ns
IS42S32400B-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-7TL -
RFQ
 ECAD 9697 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS46TR16128D-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128D-125KBLA2 6.0382
RFQ
 ECAD 5186 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16128D-125KBLA2 ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS49NLC18160-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18160-25BLI -
RFQ
 ECAD 4931 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA IS49NLC18160 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 104 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
IS25LQ020B-JULE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JULE -
RFQ
 ECAD 5860 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-ufdfn露出パッド IS25LQ020 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-USON - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LQ020B-JULETR ear99 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 2mbit 8 ns フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 800µs
IS62WV6416BLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416BLL-55BLI-TR 1.9026
RFQ
 ECAD 6963 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62Wv6416 sram-非同期 2.5V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 2,500 揮発性 1mbit 55 ns sram 64k x 16 平行 55ns
IS43DR16128C-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128C-3DBL 9.5500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1567 ear99 8542.32.0036 209 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS25LX256-JHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX256-JHLE-TR 3.8959
RFQ
 ECAD 3584 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga IS25LX256 フラッシュ 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LX256-JHLE-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 SPI -OCTAL I/O -
IS43TR16512AL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-107MBL -
RFQ
 ECAD 3028 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-lfbga （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR16512AL-107MBL ear99 8542.32.0036 136 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS43TR81280CL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280CL-107MBL 3.5686
RFQ
 ECAD 3402 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR81280CL-107MBL ear99 8542.32.0032 242 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR 3.0281
RFQ
 ECAD 8859 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61WV25616 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
IS46DR16320E-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-3DBLA1 5.1360
RFQ
 ECAD 9989 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 209 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS43TR16256AL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-15HBL-TR -
RFQ
 ECAD 5255 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS42SM32800D-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32800D-75BLI -
RFQ
 ECAD 4084 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42SM32800 sdram-モバイル 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 240 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 -
IS45S16160G-7CTLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-7CTLA1-TR 5.8156
RFQ
 ECAD 5788 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS45S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS42S32200L-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-7BLI-TR 4.0648
RFQ
 ECAD 9176 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42S32200 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 2m x 32 平行 -
IS42S16320B-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-7TL-TR -
RFQ
 ECAD 5583 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS61NLP102418-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-250B3-TR -
RFQ
 ECAD 6000 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IS61NLP102418 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 250 MHz 揮発性 18mbit 2.6 ns sram 1m x 18 平行 -
IS61VVPS204818B-166B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VVPS204818B-166B3li 139.9172
RFQ
 ECAD 1135 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IS61VVPS204818 sram- sdr 1.71V〜1.89V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 166 MHz 揮発性 36mbit 3.8 ns sram 2m x 18 平行 -
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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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