RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

メモリ（5712）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS64WV5128EDBLL-10CTLA3-TR	6.3941	RFQ	9499	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS64WV5128	sram-非同期	2.4V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		揮発性	4mbit	10 ns	sram	512k x 8	平行	10ns
IS45S32200E-7BLA2	-	RFQ	5107	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA	IS45S32200	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	240	143 MHz	揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS42S32800B-7BL-TR	-	RFQ	5315	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-lfbga	IS42S32800	SDRAM	3V〜3.6V	90-lfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	2,500	143 MHz	揮発性	256mbit	5.5 ns	ドラム	8m x 32	平行	-
IS43TR16640B-15GBL	-	RFQ	6914	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	190	667 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS43DR16128B-25EBLI	-	RFQ	5190	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	84-TFBGA	IS43DR16128	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TW-BGA（10.5x13.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	162	400 MHz	揮発性	2Gbit	400 PS	ドラム	128m x 16	平行	15ns
IS61WV51232BLL-10BLI-TR	18.5250	RFQ	3872	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS61WV51232	sram-非同期	1.65v〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		揮発性	16mbit	10 ns	sram	512K x 32	平行	10ns
IS43TR81280BL-107MBL-TR	-	RFQ	4283	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA	IS43TR81280	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	2,000	933 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	128m x 8	平行	15ns
IS43TR16640BL-125KBL-TR	-	RFQ	1743	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS43TR16640BL-125KBL-TR	ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS42S16320B-6TL-TR	-	RFQ	3951	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S16320	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	1,500	166 MHz	揮発性	512mbit	5.4 ns	ドラム	32m x 16	平行	-
IS42S16160D-7BL-TR	-	RFQ	9259	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TFBGA	IS42S16160	SDRAM	3V〜3.6V	54-TW-BGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	2,500	143 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
IS43TR85120BL-125KBL	6.4066	RFQ	7251	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS43TR85120BL-125KBL	ear99	8542.32.0036	220	800 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	512m x 8	平行	15ns
IS42RM16200D-6BLI	2.4745	RFQ	9655	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS42RM16200	sdram-モバイル	2.3V〜2.7V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	348	166 MHz	揮発性	32mbit	6 ns	ドラム	2m x 16	平行	-
IS42VM16400K-6BLI	-	RFQ	6144	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS42VM16400	sdram-モバイル	1.7V〜1.95V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	348	166 MHz	揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	4m x 16	平行	-
IS45S16800F-7BLA1-TR	4.4911	RFQ	3395	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS45S16800	SDRAM	3V〜3.6V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	8m x 16	平行	-
IS41LV16100C-50KLI-TR	-	RFQ	9629	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	42-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm）	IS41LV16100	ドラム -江戸	3V〜3.6V	42-SOJ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,000		揮発性	16mbit	25 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
IS42S32160F-7Tli	15.0000	RFQ	1	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S32160	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	108	143 MHz	揮発性	512mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 32	平行	-
IS37SML01G1-LI-TR	3.5652	RFQ	7397	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	8-wdfn露出パッド	IS37SML01	フラッシュ-nand（slc）	2.7V〜3.6V	8-wson （8x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	104 MHz	不揮発性	1gbit	8 ns	フラッシュ	128m x 8	spi	-
IS64WV12816EDBLL-10BLA3-TR	5.2500	RFQ	2703	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	IS64WV12816	sram-非同期	2.4V〜3.6V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		揮発性	2mbit	10 ns	sram	128k x 16	平行	10ns
IS46TR16640C-107MBLA2	4.2332	RFQ	7810	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS46TR16640C-107MBLA2			190	933 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS43TR16256AL-107MBL	-	RFQ	1255	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16256	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	190	933 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	256m x 16	平行	15ns
IS39LV040-70JCE	-	RFQ	8043	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	32-lcc	IS39LV040	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	32-PLCC （11.43x13.97	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	32		不揮発性	4mbit	70 ns	フラッシュ	512k x 8	平行	70ns
IS42S32160F-6BLI-TR	12.6600	RFQ	4218	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32160	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	2,500	167 MHz	揮発性	512mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 32	平行	-
IS61QDPB21M36A-333M3L	71.5551	RFQ	6756	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61QDPB21	sram- quadp	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	333 MHz	揮発性	36mbit	8.4 ns	sram	1m x 36	平行	-
IS42S81600D-6TL	-	RFQ	9410	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S81600	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 8	平行	-
IS62WV25616DALL-55TI	-	RFQ	2832	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS62WV25616	sram-非同期	1.65V〜2.2V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1		揮発性	4mbit	55 ns	sram	256k x 16	平行	55ns
IS42VM32800K-6BLI	6.0380	RFQ	1523	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS42VM32800	sdram-モバイル	1.7V〜1.95V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	240	166 MHz	揮発性	256mbit	5.5 ns	ドラム	8m x 32	平行	-
IS49NLS93200A-18WBL	30.4983	RFQ	4570	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	144-TFBGA	IS49NLS93200	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-TWBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS49NLS93200A-18WBL			104	533 MHz	揮発性	288mbit	15 ns	ドラム	32m x 9	HSTL	-
IS43LR32320C-6BLI-TR	8.1130	RFQ	5343	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43LR32320C-6BLI-TR			2,500	166 MHz	揮発性	1gbit	5 ns	ドラム	32m x 32	平行	15ns
IS61DDB21M18C-250M3L	23.2925	RFQ	5990	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61DDB21	sram- ddr ii	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	揮発性	18mbit		sram	1m x 18	平行	-
IS42SM32200K-6BLI	-	RFQ	8241	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS42SM32200	sdram-モバイル	2.7V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²