画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS61DDB21M36-250M3 | - | ![]() | 9951 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61DDB21 | sram- ddr ii | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS42VM32800K-6BLI | 6.0380 | ![]() | 1523 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42VM32800 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S32160A-75BLI | - | ![]() | 1001 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-lfbga | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-lfbga (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1062 | ear99 | 8542.32.0024 | 144 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 6 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | |
![]() | IS49NLS93200A-18WBL | 30.4983 | ![]() | 4570 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLS93200 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS49NLS93200A-18WBL | 104 | 533 MHz | 揮発性 | 288mbit | 15 ns | ドラム | 32m x 9 | HSTL | - | |||
![]() | IS43R83200D-6TLI-TR | 5.5720 | ![]() | 6282 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS43R83200 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS61WV102416EDALL-10BLI-TR | - | ![]() | 5024 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS61WV102416EDALL-10BLI-TR | 2,500 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 10ns | ||||||
![]() | IS42S32200L-6BLI-TR | 4.1562 | ![]() | 3963 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S32400F-6BI-TR | - | ![]() | 1842年年 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | |||
![]() | IS46TR16128C-125KBLA1-TR | 5.7163 | ![]() | 4461 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS62WV2568BLL-55HLI | 2.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | IS62WV2568 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 32 stsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 234 | 揮発性 | 2mbit | 55 ns | sram | 256k x 8 | 平行 | 55ns | |||
![]() | IS42SM32200K-6BLI | - | ![]() | 8241 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42SM32200 | sdram-モバイル | 2.7V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S32800D-6BLI-TR | - | ![]() | 1521 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS43DR82560C-25DBLI | 17.1700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43DR82560 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1572 | ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 400 PS | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |
IS66WV51216BLL-55TLI | - | ![]() | 5502 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS66WV51216 | psram(pseudo sram | 2.5V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 8mbit | 55 ns | psram | 512K x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | IS43DR86400E-25DBL | 3.6400 | ![]() | 868 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43DR86400 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1558 | ear99 | 8542.32.0028 | 242 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | IS61WV102416BLL-10mi | - | ![]() | 4636 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS61WV102416 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-minibga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 220 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 10ns | |||
![]() | IS61LF102418A-6.5TQL-TR | - | ![]() | 8978 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LF102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 6.5 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S32160B-75TLI | - | ![]() | 5177 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 144 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S32160C-6BLI | - | ![]() | 4512 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-lfbga | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-WBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS93C66A-2GRLI | - | ![]() | 2049 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93C66A | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1051-5 | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8、256 x 16 | マイクロワイヤ | 5ms | ||
![]() | IS43R16320F-5TLI | 5.8923 | ![]() | 2955 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS43R16320 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS46TR81280C-125JBLA25-TR | - | ![]() | 4470 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜115°C | 表面マウント | 78-TFBGA | IS46TR81280 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR81280C-125JBLA25-TR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | IS46TR16128DL-125KBLA25 | - | ![]() | 9891 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜115°C | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR16128DL-125KBLA25 | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | IS43QR81024A-083TBL-TR | 16.0930 | ![]() | 2841 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43QR81024A-083TBL-TR | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 8gbit | 18 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | IS64LPS12832A-200TQLA3 | 13.3403 | ![]() | 2987 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS64LPS12832 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 4mbit | 3.1 ns | sram | 128k x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS41LV16100C-50KLI | - | ![]() | 9865 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 42-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | IS41LV16100 | ドラム -江戸 | 3V〜3.6V | 42-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 16 | 揮発性 | 16mbit | 25 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | IS42S16160b-6tli | - | ![]() | 4047 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
IS62WV25616EALL-55TLI | 4.4684 | ![]() | 9715 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS62WV25616 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | IS61LP6436A-133TQLI-TR | 5.4170 | ![]() | 1588 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LP6436 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 133 MHz | 揮発性 | 2mbit | 4 ns | sram | 64k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS62WV1288DBLL-45QLI-TR | - | ![]() | 4917 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.445 "、幅11.30mm) | IS62WV1288 | sram-非同期 | 2.3V〜3.6V | 32ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 45 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 45ns |
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