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メモリ（5712）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS25LQ025B-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ025B-JKLE -
RFQ
 ECAD 4200 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド IS25LQ025 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1327 ear99 8542.32.0071 570 104 MHz 不揮発性 256kbit フラッシュ 32k x 8 spi -quad i/o 800µs
IS25WP512M-RHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP512M-RHLA3-TR 7.6342
RFQ
 ECAD 1424 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 1.7V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25WP512M-RHLA3-TR 2,500 112 MHz 不揮発性 512mbit 7.5 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 50µs、1ms
IS46TR16128DL-107MBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128DL-107MBLA2-TR 6.4148
RFQ
 ECAD 4841 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46TR16128DL-107MBLA2-TR 1,500 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS43LQ32128A-062TBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32128A-062TBLI 18.4400
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA IS43LQ32128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43LQ32128A-062TBLI ear99 8542.32.0036 136 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 LVSTL -
IS42S32160D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160D-6BLI 16.1384
RFQ
 ECAD 9829 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 240 166 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS43TR16128BL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128BL-125KBL -
RFQ
 ECAD 5006 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS46TR81024B-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81024B-125KBLA1 24.4162
RFQ
 ECAD 7145 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46TR81024B-125KBLA1 136 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
IS43TR16640ED-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640ED-15HBLI-TR 5.2459
RFQ
 ECAD 7553 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43TR16640ED-15HBLI-TR 1,500 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
IS46TR81024B-107MBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81024B-107MBLA1 26.8521
RFQ
 ECAD 5267 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA （10x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46TR81024B-107MBLA1 136 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
IS42S32400B-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-6B-TR -
RFQ
 ECAD 8456 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS61VPS102436B-250B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102436B-250B3L 94.1664
RFQ
 ECAD 1583 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IS61VPS102436 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 MHz 揮発性 36mbit 2.8 ns sram 1m x 36 平行 -
IS43R32400E-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32400E-5BL-TR 4.2471
RFQ
 ECAD 5571 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 144-LFBGA IS43R32400 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 144-LFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 200 MHz 揮発性 128mbit 700 ps ドラム 4m x 32 平行 15ns
IS43DR16320E-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-25DBLI 4.8898
RFQ
 ECAD 5009 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1556 ear99 8542.32.0028 209 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS62WV25616DALL-55TI -TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DALL -55TI -TR -
RFQ
 ECAD 9934 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS62WV25616 sram-非同期 1.65V〜2.2V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 55 ns sram 256k x 16 平行 55ns
IS29GL128-70FLEB ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL128-70FLEB 7.2900
RFQ
 ECAD 288 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga IS29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lfbga（11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS29GL128-70FLEB 3A991B1A 8542.32.0071 144 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8 平行 200µs
IS43LD32640B-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-25BLI-TR 10.5750
RFQ
 ECAD 8150 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-TFBGA IS43LD32640 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.95V 134-TFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 平行 15ns
IS21TF128G-JQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF128G-JQLI-TR 66.2340
RFQ
 ECAD 3828 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V 100-lfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS21TF128G-JQLI-TR 1,000 200 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 EMMC_5.1 -
IS62WV102416ALL-35TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416ALL-35TLI 21.9142
RFQ
 ECAD 4482 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） IS62WV102416 sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 96 揮発性 16mbit 35 ns sram 1m x 16 平行 35ns
IS42S16400J-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6BLI 2.0410
RFQ
 ECAD 1223 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42S16400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 166 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS25LP016D-JBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JBLA3 1.4100
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） IS25LP016 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LP016D-JBLA3 ear99 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS61NLF102436B-6.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102436B-6.5TQLI 81.3214
RFQ
 ECAD 9727 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS61NLF102436 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 MHz 揮発性 36mbit 6.5 ns sram 1m x 36 平行 -
IS25LP080D-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JKLE-TR 0.7341
RFQ
 ECAD 8009 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド IS25LP080 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,500 133 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS46LD32128A-25BPLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-25BPLA2 -
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46LD32128A-25BPLA2 廃止 1 400 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS46TR16256AL-107MBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-107MBLA2 -
RFQ
 ECAD 7276 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16256AL-107MBLA2 ear99 8542.32.0036 190 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS29GL128-70SLET ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL128-70SLET 7.8000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） IS29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS29GL128-70SLET 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8 平行 200µs
IS45S16100H-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100H-7BLA2 3.6124
RFQ
 ECAD 7292 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA IS45S16100 SDRAM 3V〜3.6V 60-TFBGA （6.4x10.1 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 286 143 MHz 揮発性 16mbit 5.5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS62WV51216HBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216HBLL-45BLI-TR 3.8489
RFQ
 ECAD 1258 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS62WV51216HBLL-45BLI-TR 2,500 揮発性 8mbit 45 ns sram 512K x 16 平行 45ns
IS61WV25616FALL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616Fall-10Tli 3.2472
RFQ
 ECAD 8981 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 1.65V〜2.2V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV25616FALL-10TLI 135 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
IS49FL004T-33JCE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49FL004T-33JCE -
RFQ
 ECAD 5306 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ 廃止 0°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-lcc IS49FL004 フラッシュ 3V〜3.6V 32-PLCC （11.43x13.97 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 32 33 MHz 不揮発性 4mbit 120 ns フラッシュ 512k x 8 平行 -
IS61WV2568EDBLL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV2568EDBLL-10KLI 4.9249
RFQ
 ECAD 1336 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 36-bsoj（0.400 "、10.16mm 幅） IS61WV2568 sram-非同期 2.4V〜3.6V 36-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 19 揮発性 2mbit 10 ns sram 256k x 8 平行 10ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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