RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

メモリ（5712）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS25LQ512B-JVLE	-	RFQ	4734	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IS25LQ512	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	8-VVSOP	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS25LQ512B-JVLE	ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	不揮発性	512kbit	8 ns	フラッシュ	64k x 8	spi -quad i/o	800µs
IS43TR16128B-15HBLI	-	RFQ	8940	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	190	667 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
IS43TR16512BL-125KBLI-TR	19.5377	RFQ	1351	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA （10x14）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43TR16512BL-125KBLI-TR			2,000	800 MHz	揮発性	8gbit	20 ns	ドラム	512m x 16	平行	15ns
IS62WV20488EBLL-55BLI	-	RFQ	3791	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	IS62WV20488	sram-非同期	2.2V〜3.6V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	480		揮発性	16mbit	55 ns	sram	2m x 8	平行	55ns
IS25CQ032-JBLE	-	RFQ	6275	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	IS25CQ032	フラッシュ	2.7V〜3.6V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	90	104 MHz	不揮発性	32mbit		フラッシュ	4m x 8	spi	4ms
IS43TR16256A-107MBL	-	RFQ	4085	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16256	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	190	933 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	256m x 16	平行	15ns
IS42SM16800H-75BI	-	RFQ	9813	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS42SM16800	sdram-モバイル	3V〜3.6V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	348	133 MHz	揮発性	128mbit	6 ns	ドラム	8m x 16	平行	-
IS42SM16800H-6BLI	4.6611	RFQ	7126	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS42SM16800	sdram-モバイル	2.7V〜3.6V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	348	166 MHz	揮発性	128mbit	5.5 ns	ドラム	8m x 16	平行	-
IS66WV1M16EBLL-70BLI	3.0454	RFQ	7355	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	IS66WV1M16	psram（pseudo sram	2.5V〜3.6V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	480		揮発性	16mbit	70 ns	psram	1m x 16	平行	70ns
IS61NLP102418B-200TLI	19.1200	RFQ	8368	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS61NLP102418	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	揮発性	18mbit	3 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS42S16100H-7Tli	1.4600	RFQ	6973	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S16100	SDRAM	3V〜3.6V	50-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	117	143 MHz	揮発性	16mbit	5.5 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
IS61QDP2B22M18A-333M3L	71.5551	RFQ	4659	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61QDP2	sram- quadp	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	333 MHz	揮発性	36mbit	8.4 ns	sram	2m x 18	平行	-
IS43R86400E-6BLI-TR	-	RFQ	2656	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	60-TFBGA	IS43R86400	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	60-tfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	2,500	166 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	64m x 8	平行	15ns
IS61VPS204836B-250B3LI-TR	123.9000	RFQ	7727	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-TBGA	IS61VPS204836	sram- sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	250 MHz	揮発性	72mbit	2.8 ns	sram	2m x 36	平行	-
IS61LPS51236A-200B3LI-TR	-	RFQ	6311	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-TBGA	IS61LPS51236	sram- sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz	揮発性	18mbit	3.1 ns	sram	512K x 36	平行	-
IS43QR81024A-075VBL	18.1892	RFQ	7487	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	78-TWBGA （10x14）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43QR81024A-075VBL			136	1.333 GHz	揮発性	8gbit	18 ns	ドラム	1g x 8	平行	15ns
IS25WP080D-JULE-TR	0.6114	RFQ	6186	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-ufdfn露出パッド		フラッシュ - （slc）	1.65V〜1.95V	8-USON	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS25WP080D-JULE-TR			5,000	133 MHz	不揮発性	8mbit	7 ns	フラッシュ	1m x 8	spi -quad i/o	40µs 、800µs
IS43QR85120B-083RBL	9.8483	RFQ	1053	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	78-TWBGA （10x14）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43QR85120B-083RBL			136	1.2 GHz	揮発性	4gbit	19 ns	ドラム	512m x 8	ポッド	15ns
IS43TR85120A-15HBL-TR	5.8612	RFQ	6065	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （9x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	1,500	667 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	512m x 8	平行	15ns
IS61NVP51236B-200B3li	16.3574	RFQ	7507	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-TBGA	IS61NVP51236	sram- sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	揮発性	18mbit	3 ns	sram	512K x 36	平行	-
IS61QDPB42M18A-400M3L	71.5551	RFQ	1268	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61QDPB42	sram- quadp	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	400 MHz	揮発性	36mbit	8.4 ns	sram	2m x 18	平行	-
IS61LF102418A-7.5B3	-	RFQ	9469	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA	IS61LF102418	sram- sdr	3.135V〜3.6V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144	117 MHz	揮発性	18mbit	7.5 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS43TR16128D-125KBL-TR	3.3306	RFQ	7590	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS43TR16128D-125KBL-TR	ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
IS25LQ016B-JKLE	-	RFQ	2832	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-wdfn露出パッド	IS25LQ016	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	8-wson （6x5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-1333	ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	不揮発性	16mbit		フラッシュ	2m x 8	spi -quad i/o	1ms
IS46LD16640A-25BLA2	-	RFQ	9224	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	134-TFBGA	IS46LD16640	SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4	1.14V〜1.95V	134-TFBGA （10x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	171	400 MHz	揮発性	1gbit		ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS25WQ040-JULE-TR	0.2500	RFQ	6	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-ufdfn露出パッド	IS25WQ040	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8-USON	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください		ear99	8542.32.0071	1	104 MHz	不揮発性	4mbit		フラッシュ	512k x 8	spi -quad i/o	1ms
IS41C16257C-35TLI	-	RFQ	6981	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-tsop （0.400 "、10.16mm 幅）、40リード	IS41C16257	DRAM -FP	4.5v〜5.5V	40-tsop	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	135		揮発性	4mbit	18 ns	ドラム	256k x 16	平行	-
IS43TR81024B-125KBL	20.8861	RFQ	2010年年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （10x14）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43TR81024B-125KBL			136	800 MHz	揮発性	8gbit	20 ns	ドラム	1g x 8	平行	15ns
IS61VVF409618B-7.5TQL-TR	125.3000	RFQ	3230	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	IS61VVF409618	sram- sdr	1.71V〜1.89V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	揮発性	72mbit	7.5 ns	sram	4m x 18	平行	-
IS42S83200G-7TLI-TR	6.1201	RFQ	1355	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S83200	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,500	143 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	32m x 8	平行	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²