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メモリ（5712）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS61LV5128AL-10K | - |  | 8174 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 36-bsoj（0.400 "、10.16mm 幅） | IS61LV5128 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 36-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 19 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 10ns | |||
 | IS61LV632A-6TQI-TR | - | | 9973 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61Lv632 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 800 | 揮発性 | 1mbit | 6 ns | sram | 32K x 32 | 平行 | - | |||
 | IS42S16320B-6TLI-TR | - | | 3957 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||
 | IS62WV10248HBLL-45B2LI-TR | 3.8489 | | 6183 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA （6x8） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS62WV10248HBLL-45B2LI-TR | 2,500 | 揮発性 | 8mbit | 45 ns | sram | 1m x 8 | 平行 | 45ns | ||||||
 | IS42VM32800K-6BLI | 6.0380 | | 1523 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42VM32800 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
| IS61WV51232BLL-10BLI-TR | 18.5250 | | 3872 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS61WV51232 | sram-非同期 | 1.65v〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 512K x 32 | 平行 | 10ns | |||
 | IS25WP040E-JBLE | 0.4261 | | 9254 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | IS25WP040 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS25WP040E-JBLE | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 8 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 1.2ms | |
| IS42S32160F-7BL | 11.2810 | | 9366 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
 | IS43DR16160B-37CBL-TR | 2.8153 | | 8144 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16160 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 266 MHz | 揮発性 | 256mbit | 500 PS | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | IS42S16160B-7B | - | | 2336 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 54-LFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-LFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
| IS45S16160D-7TLA1-TR | - | | 2084 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS45S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
| IS42SM32400G-6BLI | - | | 2625 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42SM32400 | sdram-モバイル | 2.7V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.5 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
| IS45S32400E-6BLA1 | - | | 8374 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS45S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
 | IS43LR16320B-6BL-TR | - | | 2955 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43LR16320 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.5 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 12ns | ||
 | IS25LD020-JNLE | - | | 4825 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | IS25LD020 | フラッシュ | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 100 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi | 5ms | |||
| IS61QDPB42M36A1-550M3L | - | | 1529 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDPB42 | sram- クアッドポート、同期 | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga（15x17） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 550 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||
 | IS49RL36160-093EBL | - | | 1063 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 168-lbga | IS49RL36160 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA（13.5x13.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 1.066 GHz | 揮発性 | 576mbit | 8 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | ||
| IS49rl18640-093ebli | 129.6426 | | 9103 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 168-lbga | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA（13.5x13.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS49RL18640-093EBLI | 119 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1.152gbit | 8 ns | ドラム | 64m x 18 | 平行 | - | ||||
 | IS45S32400F-7TLA1-TR | 5.2853 | | 3001 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS45S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
| IS42S83200G-6TL | 5.6461 | | 3031 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S83200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | - | ||
| IS49NLC36800A-18WBLI | 33.5439 | | 4103 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA （11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS49NLC36800A-18WBLI | 104 | 533 MHz | 揮発性 | 288mbit | 15 ns | ドラム | 8m x 36 | HSTL | - | ||||
| IS43QR85120B-075UBL-TR | 8.9376 | | 2602 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-TWBGA （10x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43QR85120B-075UBL-TR | 2,000 | 1.333 GHz | 揮発性 | 4gbit | 19 ns | ドラム | 512m x 8 | ポッド | 15ns | |||||
| IS43LQ32640A-062BLI-TR | - | | 3791 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-VFBGA （10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43LQ32640A-062BLI-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 64m x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
 | IS61QDB22M18C-250M3LI | - | | 7287 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDB22 | sram- 同期、クワッド | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga（15x17） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | 8.4 ns | sram | 2m x 18 | 平行 | - | ||
| IS45S32800D-7TLA1 | - | | 4527 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS45S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | - | ||
| IS43LR16160H-6BL-TR | 4.2766 | | 8478 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43LR16160H-6BL-TR | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | |||||
| IS25WE256E-RHLA3 | 5.0440 | | 2379 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS25WE256E-RHLA3 | 480 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、1ms | |||||
| IS43QR16256B-075UBL | 9.8635 | | 4449 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-TWBGA （7.5x13.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43QR16256B-075UBL | 198 | 1.333 GHz | 揮発性 | 4gbit | 19 ns | ドラム | 256m x 16 | ポッド | 15ns | |||||
| IS49NLC36160A-18WBL | 52.0065 | | 3285 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA （11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS49NLC36160A-18WBL | 104 | 533 MHz | 揮発性 | 576mbit | 15 ns | ドラム | 16m x 36 | HSTL | - | ||||
| IS25LX064-JHLE-TR | 1.9290 | | 3481 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | IS25LX064 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS25LX064-JHLE-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - |
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