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メモリ（5712）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS61WV204816ALL-12TLI | 19.6549 |  | 5064 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS61WV204816ALL-12TLI | 96 | 揮発性 | 32mbit | 12 ns | sram | 2m x 16 | 平行 | 12ns | ||||||
| IS25WP512M-RHLE-TR | 6.6426 | | 6953 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS25WP512M-RHLE-TR | 2,500 | 112 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、1ms | ||||||
 | IS43LD16640C-18BLI-TR | 8.4000 | | 4711 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 134-TFBGA | IS43LD16640 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.95V | 134-TFBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 533 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||
| IS43QR81024A-083TBLI | 19.4204 | | 8708 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-TWBGA （10x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43QR81024A-083TBLI | 136 | 1.2 GHz | 揮発性 | 8gbit | 18 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | |||||
| IS25WX512M-JHLA3 | 8.7000 | | 8138 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | IS25WX512M | フラッシュ | 1.7V〜2V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS25WX512M-JHLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - | ||
 | IS61VPS25618A-200B3I | - | | 9165 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61VPS25618 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.1 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | ||
| IS46QR16512A-075VBLA1 | 21.4870 | | 7873 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-TWBGA （10x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46QR16512A-075VBLA1 | 136 | 1.333 GHz | 揮発性 | 8gbit | 18 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |||||
 | IS42RM16160K-75BLI | 5.6950 | | 6076 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42RM16160 | sdram-モバイル | 2.3V〜3V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 348 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 6 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
| IS43LR16640C-6BL | 7.5798 | | 2636 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43LR16640C-6BL | 300 | 166 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||||
 | IS42S32800D-75ETL-TR | - | | 2004年年 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
| IS43R86400F-6TL | 3.3825 | | 5058 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43R86400F-6TL | 108 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | SSTL_2 | 15ns | |||||
| IS49NLC36160A-18WBLI | 57.2059 | | 8810 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA （11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS49NLC36160A-18WBLI | 104 | 533 MHz | 揮発性 | 576mbit | 15 ns | ドラム | 16m x 36 | HSTL | - | ||||
 | IS42SM32200K-75BLI | - | | 9372 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42SM32200 | sdram-モバイル | 2.7V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 6 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | ||
| IS46LQ32640AL-062TBLA1-TR | - | | 3983 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46LQ32640AL-062TBLA1-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 64m x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
 | IS46TR16640BL-125KBLA1-TR | - | | 5778 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS46TR16640BL-125KBLA1-TR | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
 | IS42S16800F-6TLI-TR | 2.3547 | | 6495 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S16800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | ||
| IS46QR16512A-075VBLA2 | 22.8299 | | 1656 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-TWBGA （10x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46QR16512A-075VBLA2 | 136 | 1.333 GHz | 揮発性 | 8gbit | 18 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |||||
| IS49RL18640-093FBL | 126.1029 | | 7297 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 168-lbga | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA（13.5x13.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS49RL18640-093FBL | 119 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1.152gbit | 7.5 ns | ドラム | 64m x 18 | 平行 | - | ||||
| IS61WV20488FBLL-8TLI-TR | 9.2060 | | 4969 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS61WV20488FBLL-8TLI-TR | 1,000 | 揮発性 | 16mbit | 8 ns | sram | 2m x 8 | 平行 | 8ns | ||||||
| IS64WV51216EEBLL-10CTLA3 | 12.6597 | | 1555 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS64WV51216EEBLL-10CTLA3 | 135 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 10ns | ||||||
| IS61WV25616EFBLL-10BLI | 2.3678 | | 1047 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS61WV25616EFBLL-10BLI | 480 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | ||||||
 | IS64C6416AL-15TLA3-TR | 3.5570 | | 3215 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS64C6416 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | |||
| IS43TR16512S1DL-125KBL | - | | 9270 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-LFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-LWBGA （9x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43TR16512S1DL-125KBL | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |||||
| IS22TF32G-JCLA2 | 39.0014 | | 2621 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS22TF32G-JCLA2 | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
 | IS43R32400E-4BL | - | | 8444 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 144-LFBGA | IS43R32400 | SDRAM -DDR | 2.4V〜2.6V | 144-LFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 189 | 250 MHz | 揮発性 | 128mbit | 700 ps | ドラム | 4m x 32 | 平行 | 16ns | ||
| IS64WV25616EFBLL-10BLA3 | 7.1635 | | 9091 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS64WV25616EFBLL-10BLA3 | 480 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | ||||||
| IS46LQ32640A-062BLA1 | - | | 4861 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-VFBGA （10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46LQ32640A-062BLA1 | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 64m x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
 | IS25WD040-JBLE-TR | - | | 7799 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | IS25WD040 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 3ms | |||
| IS64WV25616BLL-10CTLA3 | 8.4950 | | 2970 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS64WV25616 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | |||
| IS42SM16160E-75BLI-TR | - | | 8736 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42SM16160 | sdram-モバイル | 2.7V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 6 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - |
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毎日の平均RFQボリューム
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