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メモリ（5712）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS22TF64G-JCLA2-TR | 53.0005 |  | 1503 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS22TF64G-JCLA2-TR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
 | IS65WV1288DBLL-45TLA3 | - | | 7725 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | IS65WV1288 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 156 | 揮発性 | 1mbit | 45 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 45ns | |||
 | IS43TR85120A-125KBL | - | | 9430 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | IS43TR85120 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA （9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 220 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | IS43LD32320A-3BL-TR | - | | 2584 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | 0°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 134-TFBGA | IS43LD32320 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-TFBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,200 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 32m x 32 | 平行 | 15ns | |||
 | IS61WV102416FBLL-10TLI-TR | 9.4500 | | 3200 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | IS61WV102416 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 10ns | |||
 | IS61NLF25636A-7.5B2I | - | | 2783 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 119-BBGA | IS61NLF25636 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 117 MHz | 揮発性 | 9mbit | 7.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
 | IS25LP512MG-RMLE | - | | 9680 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | IS25LP512 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS25LP512MG-RMLE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 5.5 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、1ms | |
| IS25LP01GG-RHLE-TR | 9.1105 | | 6037 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS25LP01GG-RHLE-TR | 2,500 | |||||||||||||||||||
 | IS61WV10248EDBLL-10BLI-TR | 10.1242 | | 4925 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS61WV10248 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 1m x 8 | 平行 | 10ns | |||
 | IS61C25616AL-10TLI | 3.7930 | | 6165 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS61C25616 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | |||
 | IS46TR16256BL-125KBLA2-TR | 8.9855 | | 3973 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS46TR16256BL-125KBLA2-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | |
 | IS43LR16640A-6BL | 9.1807 | | 9197 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43LR16640 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TWBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 300 | 166 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | IS62WV102416EBLL-55BLI-TR | 7.8689 | | 5672 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | IS62WV102416 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 16mbit | 55 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 55ns | |||
 | IS61LPS25636A-200B3I | - | | 4375 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61LPS25636 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.1 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
 | IS26KL256S-DABLI00 | - | | 5021 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-VBGA | IS26KL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS26KL256S-DABLI00 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 100 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 96 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | - | |
| IS43LD32128B-25BLI | 11.8406 | | 7800 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 134-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-TFBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43LD32128B-25BLI | 171 | 400 MHz | 揮発性 | 4gbit | 5.5 ns | ドラム | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||
| IS43LD16640D-18BLI | 9.7500 | | 9934 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43LD16640D-18BLI | 171 | |||||||||||||||||||
| IS62WV20488EBLL-45BLI | - | | 9238 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS62WV20488 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 16mbit | 45 ns | sram | 2m x 8 | 平行 | 45ns | |||
 | IS45S16320D-7TLA2-TR | 21.6450 | | 6387 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS45S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||
| IS61NVF51236-6.5B3I-TR | - | | 2819 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NVF51236 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 6.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
 | IS42S32160D-6BLI-TR | 16.0350 | | 5162 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
| IS46TR16256ECL-125LB2LA1 | - | | 1543 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | - | 96-TWBGA （9x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46TR16256ECL-125LB2LA1 | 136 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||||||
| IS49NLC36800A-25EWBLI | 31.9177 | | 3382 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA （11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS49NLC36800A-25EWBLI | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 15 ns | ドラム | 8m x 36 | HSTL | - | ||||
| IS46DR81280B-3DBLA2 | - | | 2193 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | IS46DR81280 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| IS29GL032-70TLET-TR | 2.7884 | | 6967 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS29GL032-70TLET-TR | 1,500 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 16 | CFI | 70ns | ||||||
| IS25WP020E-JNLE-TR | 0.3011 | | 6300 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 1.7V〜1.95V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS25WP020E-JNLE-TR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 8 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o、qpi | 40µs 、1.2ms | |||||
| IS62WV51216GBLL-45TLI | 5.4526 | | 2962 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | IS62WV51216 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 96 | 揮発性 | 8mbit | 45 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 45ns | |||
| IS42S32800D-7BI | - | | 3614 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
 | IS49NLS93200-3333 | - | | 9042 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLS93200 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA （11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 32m x 9 | 平行 | - | ||
 | IS25WD020-jble | - | | 7708 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | IS25WD020 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 80 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi | 3ms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
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標準製品ユニット
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