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メモリ（5712）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS43LR16640C-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16640C-5BLI-TR 7.4081
RFQ
 ECAD 6793 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43LR16640C-5BLI-TR 2,000 208 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 64m x 16 平行 14.4ns
IS42S83200G-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200G-7BL-TR 5.5500
RFQ
 ECAD 2034 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA IS42S83200 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 -
IS61DDPB22M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDPB22M18A-400M3L 71.5551
RFQ
 ECAD 7344 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga IS61DDPB22 sram- ddr iip 1.71V〜1.89V 165-lfbga（15x17） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 105 400 MHz 揮発性 36mbit sram 2m x 18 平行 -
IS43LD32128B-18BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128B-18BLI-TR 10.9725
RFQ
 ECAD 8636 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-TFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43LD32128B-18BLI-TR 2,000 533 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS49RL18320A-093EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320A-093EBL 69.6600
RFQ
 ECAD 2779 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-lbga rldram 3 1.28V〜1.42V 168-FBGA（13.5x13.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49RL18320A-093EBL ear99 8542.32.0032 119 1.066 GHz 揮発性 576mbit 7.5 ns ドラム 32m x 18 平行 -
IS46LQ16128A-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128A-062TBLA1-TR 9.5760
RFQ
 ECAD 9412 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ16128A-062TBLA1-TR 2,500 1.6 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 128m x 16 LVSTL 18ns
IS25LP040E-JYLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP040E-JYLA3-TR 0.4703
RFQ
 ECAD 2227 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.3V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25LP040E-JYLA3-TR 5,000 104 MHz 不揮発性 4mbit 8 ns フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o、qpi 40µs 、1.2ms
IS61DDB41M36C-300M3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB41M36C-300M3li -
RFQ
 ECAD 1338 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga IS61DDB41 sram- ddr ii 1.71V〜1.89V 165-lfbga（15x17） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 300 MHz 揮発性 36mbit 8.4 ns sram 1m x 36 平行 -
IS61DDPB24M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDPB24M18A-400M3L 100.1770
RFQ
 ECAD 1062 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga IS61DDPB24 sram- ddr iip 1.71V〜1.89V 165-lfbga（15x17） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 105 400 MHz 揮発性 72mbit sram 4m x 18 平行 -
IS46TR16640B-107MBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640B-107MBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 9212 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16640B-107MBLA1-TR ear99 8542.32.0032 1,500 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS42S83200D-75ETLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200D-75ETLI -
RFQ
 ECAD 2856 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S83200 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 108 133 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 32m x 8 平行 -
IS46TR81280B-125JBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81280B-125JBLA25 -
RFQ
 ECAD 4060 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜115°C 表面マウント 78-TFBGA IS46TR81280 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA （8x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR81280B-125JBLA25 ear99 8542.32.0032 136 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS63LV1024-12J-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-12J-TR -
RFQ
 ECAD 6685 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） IS63LV1024 sram-非同期 3V〜3.6V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 12ns
IS46TR16128C-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128C-15HBLA1-TR 5.5595
RFQ
 ECAD 5368 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS21ES04G-JCLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES04G-JCLI-TR -
RFQ
 ECAD 5793 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA IS21ES04 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 200 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 EMMC -
IS43TR16256A-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-125KBLI -
RFQ
 ECAD 1005 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS46LQ16128AL-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128AL-062BLA1 -
RFQ
 ECAD 8140 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-VFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ16128AL-062BLA1 136 1.6 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 128m x 16 LVSTL 18ns
IS61LPD51236A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-200B3I -
RFQ
 ECAD 8437 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IS61LPD51236 sram- クアッドポート、同期 3.135V〜3.465V 165-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 MHz 揮発性 18mbit 3.1 ns sram 512K x 36 平行 -
IS49NLS18160A-25EWBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160A-25EWBL 29.0237
RFQ
 ECAD 1840 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49NLS18160A-25EWBL 104 400 MHz 揮発性 288mbit 15 ns ドラム 16m x 18 HSTL -
IS29GL128-70SLEB-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL128-70SLEB-TR 4.6300
RFQ
 ECAD 1460 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） フラッシュ - （slc） 3V〜3.6V 56-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS29GL128-70SLEB-TR 800 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8 CFI 70ns 、200µs
IS61WV102416EDALL-12BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDALL-12BLI-TR 11.5311
RFQ
 ECAD 5244 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV102416EDALL-12BLI-TR 2,500 揮発性 16mbit 12 ns sram 1m x 16 平行 12ns
IS61NLP102418-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-200B3-TR -
RFQ
 ECAD 6062 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IS61NLP102418 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200 MHz 揮発性 18mbit 3.1 ns sram 1m x 18 平行 -
IS43LD32128A-18BPLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128A-18BPLI-TR -
RFQ
 ECAD 2851 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 168-VFBGA IS43LD32128 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43LD32128A-18BPLI-TR 廃止 1 533 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS49NLS18160-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-33BLI -
RFQ
 ECAD 7939 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA IS49NLS18160 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 104 300 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
IS43TR16128B-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128B-125KBL -
RFQ
 ECAD 3070 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS22TF32G-JQLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF32G-JQLA1 37.7610
RFQ
 ECAD 9199 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V 100-lfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS22TF32G-JQLA1 98 200 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 EMMC_5.1 -
IS61QDB41M36C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB41M36C-250M3L -
RFQ
 ECAD 5398 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga IS61QDB41 sram- 同期、クワッド 1.71V〜1.89V 165-lfbga（15x17） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 揮発性 36mbit 8.4 ns sram 1m x 36 平行 -
IS62LV256AL-20JLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62LV256AL-20JLI 1.2315
RFQ
 ECAD 3035 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） IS62LV256 sram-非同期 3V〜3.6V 28-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 25 揮発性 256kbit 20 ns sram 32k x 8 平行 20ns
IS61LV5128AL-10T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10T-TR -
RFQ
 ECAD 6126 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS61LV5128 sram-非同期 3.135V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 10 ns sram 512k x 8 平行 10ns
IS25WD040-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD040-JBLE -
RFQ
 ECAD 2402 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） IS25WD040 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 90 80 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 3ms
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    毎日の平均RFQボリューム

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    30,000,000

    標準製品ユニット

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    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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