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メモリ（5712）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43TR16256BL-107MBLI-TR | 8.2688 |  | 7894 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS43TR16256BL-107MBLI-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | |
 | IS42VM16160K-6BLI-TR | 5.1153 | | 8327 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42VM16160 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
 | IS46TR16512A-125KBLA2 | - | | 8549 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 96-LFBGA | IS46TR16512 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-lfbga （10x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS46TR16512A-125KBLA2 | ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |
 | IS25LQ080-JVLE | - | | 1545 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | sicで中止されました | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | IS25LQ080 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-VVSOP | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 1ms | |||
 | IS64LV51216-12TLA3 | - | | 6708 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS64LV51216 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 8mbit | 12 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 12ns | |||
 | IS61WV25616FALL-10TLI-TR | 2.9743 | | 5401 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS61WV25616FALL-10TLI-TR | 1,000 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | ||||||
| IS43TR16640A-125JBL | - | | 5133 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR | 4.1105 | | 5017 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS66WVE4M16 | psram（pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 64mbit | 70 ns | psram | 4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR | 4.1029 | | 2134 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS61WV25616 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4mbit | 8 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 8ns | |||
| IS43LD32128C-18BPLI | 12.7378 | | 2568 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS43LD32128C-18BPLI | ear99 | 8542.32.0036 | 168 | ||||||||||||||||
 | IS25WE256E-RMLE-TY | 4.8475 | | 9399 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 16-SOIC | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS25WE256E-RMLE-TY | 176 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 50µs 、2ms | |||||
 | IS46R16320E-6TLA2 | 9.1584 | | 3886 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS46R16320 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | IS43LD32128A-18BPLI | - | | 8018 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 168-VFBGA | IS43LD32128 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 168-VFBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS43LD32128A-18BPLI | 廃止 | 1 | 533 MHz | 揮発性 | 4gbit | 5.5 ns | ドラム | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||
| IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3-TR | 11.3050 | | 6702 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3-TR | 1,500 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 10ns | ||||||
| IS64LPS12836EC-200TLA3 | 8.3332 | | 7104 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS64LPS12836EC-200TLA3 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 4mbit | 3.1 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||||
| IS49NLS18160A-25EWBLI | 31.9177 | | 1852年 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA （11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS49NLS18160A-25EWBLI | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 15 ns | ドラム | 16m x 18 | HSTL | - | ||||
| IS62WV6416FBLL-45TLI-TR | 1.5055 | | 8612 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS62WV6416FBLL-45TLI-TR | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 45 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 45ns | ||||||
| IS43LQ16256AL-062TBLI-TR | 11.7306 | | 4426 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43LQ16256AL-062TBLI-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | LVSTL | - | ||||||
 | IS45S32400F-6BLA1-TR | 6.3600 | | 1582 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS45S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
 | IS42S32400F-6TL-TR | 4.0698 | | 1751 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
| IS43LD32128C-25BPL | - | | 6251 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS43LD32128C-25BPL | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | ||||||||||||||||
| IS43DR81280C-25DBL-TR | 3.0653 | | 2086 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43DR81280C-25DBL-TR | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 8 | SSTL_18 | 15ns | |||||
| IS43R16320D-6TLI-TR | 7.5000 | | 7444 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS43R16320 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| IS25WP128F-JBLA3 | 2.5122 | | 1675 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS25WP128F-JBLA3 | 90 | 166 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 5.5 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | |||||
| IS42S32160F-7BLI-TR | 12.3000 | | 3633 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
| IS61WV51216EEALL-20BLI-TR | 6.7253 | | 6335 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-minibga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS61WV51216EEALL-20BLI-TR | 2,500 | 揮発性 | 8mbit | 20 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 20ns | ||||||
 | IS43R32160D-5BLI | - | | 1125 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 144-LFBGA | IS43R32160 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 144-LFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 189 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 15ns | ||
| IS43TR81280CL-107MBLI-TR | 3.6477 | | 6997 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA （8x10.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43TR81280CL-107MBLI-TR | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |||||
 | IS42S86400F-6TLI | 13.0430 | | 3750 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S86400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 64m x 8 | 平行 | - | ||
| IS25WP512M-RMLA3-TR | 8.1172 | | 6348 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 1.7V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS25WP512M-RMLA3-TR | 1,000 | 112 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7.5 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、1ms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
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標準製品ユニット
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