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メモリ（5712）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS25LP01GG-RMLE-TY | 13.2900 |  | 2624 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS25LP01GG-RMLE-TY | 176 | |||||||||||||||||||
 | IS25CD512-JULE-TR | - | | 8749 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | IS25CD512 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 512kbit | フラッシュ | 64k x 8 | spi | 5ms | |||
 | IS66WVO8M8DALL-200BLI | 4.7200 | | 35 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | IS66WVO8M8 | psram（pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS66WVO8M8DALL-200BLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 200 MHz | 揮発性 | 64mbit | psram | 8m x 8 | SPI -OCTAL I/O | 40ns | ||
 | IS42SM16160D-7TL | - | | 1416 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42SM16160 | sdram-モバイル | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 348 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
| IS65WV25616EBLL-55CTLA3-TR | - | | 1756 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS65WV25616 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 55ns | |||
 | IS41LV16105B-60KL | - | | 6010 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 42-bsoj （0.400 "、幅 10.16mm） | IS41LV16105 | DRAM -FP | 3V〜3.6V | 42-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 16 | 揮発性 | 16mbit | 30 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | |||
 | IS42RM32400G-6BLI-TR | - | | 6986 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42RM32400 | sdram-モバイル | 2.3V〜2.7V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.5 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
| IS45S16400J-7BLA2 | 4.9590 | | 9751 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 54-TFBGA | IS45S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | ||
 | IS42S16160D-7BLI-TR | - | | 1765 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TW-BGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
 | IS25CD512-JDLE-TR | - | | 5295 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） | IS25CD512 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,500 | 100 MHz | 不揮発性 | 512kbit | フラッシュ | 64k x 8 | spi | 5ms | |||
 | IS65WV25616DBLL-45CTLA1 | - | | 9156 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS65WV25616 | sram-非同期 | 2.3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 45 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 45ns | |||
 | IS25LP010E-JNLE-TR | 0.4000 | | 680 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | IS25LP010 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 1mbit | 8 ns | フラッシュ | 128k x 8 | spi -quad i/o | 1.2ms | ||
 | IS42S32160F-6TL | 11.8500 | | 7156 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
 | IS43DR86400C-3DBLI-TR | 5.9250 | | 2291 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43DR86400 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 333 MHz | 揮発性 | 512mbit | 450 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| IS42S32400D-7T | - | | 3682 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
 | IS61NVP102418-200B3I-TR | - | | 4857 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NVP102418 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.1 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
 | IS43TR81280B-15GBL | - | | 4356 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| IS42S32160B-7TL | - | | 5503 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
| IS49NLC18160A-25WBLI | 30.5534 | | 2156 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA （11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS49NLC18160A-25WBLI | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 16m x 18 | HSTL | - | ||||
| IS42S32160D-6BI-TR | - | | 1246 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
 | IS25WQ020-JNLE | - | | 4837 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | IS25WQ020 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi | 1ms | |||
 | IS61C25616AL-10KLI-TR | 3.5320 | | 4057 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） | IS61C25616 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | |||
| IS42S32200C1-6T | - | | 3342 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S32200 | SDRAM | 3.15V〜3.45V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | ||
| IS43TR81280B-125JBLI | - | | 7418 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| IS25LQ032B-JBLE-TR | - | | 4806 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | IS25LQ032 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 1ms | |||
 | IS43DR16320C-25DBL-TR | 3.4864 | | 4697 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| IS64WV6416BLL-15TLA3-TR | 4.0426 | | 6439 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS64Wv6416 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | |||
 | IS46TR16256AL-125KBLA2 | - | | 2954 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | IS49RL36160-125BL | - | | 1874年年 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 168-lbga | IS49RL36160 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA（13.5x13.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 800 MHz | 揮発性 | 576mbit | 12 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | ||
| IS46TR16128AL-15HBLA1 | - | | 7299 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
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