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メモリ（5712）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS21TF64G-JCLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF64G-JCLI-TR 53.6250
RFQ
 ECAD 8583 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA IS21TF64G フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS21TF64G-JCLI-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 200 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 MMC -
IS46TR16640B-107MBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640B-107MBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 9212 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16640B-107MBLA1-TR ear99 8542.32.0032 1,500 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS61DDB41M36C-300M3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB41M36C-300M3li -
RFQ
 ECAD 1338 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga IS61DDB41 sram- ddr ii 1.71V〜1.89V 165-lfbga（15x17） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 300 MHz 揮発性 36mbit 8.4 ns sram 1m x 36 平行 -
IS25LP040E-JYLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP040E-JYLA3-TR 0.4703
RFQ
 ECAD 2227 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.3V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25LP040E-JYLA3-TR 5,000 104 MHz 不揮発性 4mbit 8 ns フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o、qpi 40µs 、1.2ms
IS42S83200D-75ETLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200D-75ETLI -
RFQ
 ECAD 2856 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S83200 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 108 133 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 32m x 8 平行 -
IS61DDPB24M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDPB24M18A-400M3L 100.1770
RFQ
 ECAD 1062 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga IS61DDPB24 sram- ddr iip 1.71V〜1.89V 165-lfbga（15x17） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 105 400 MHz 揮発性 72mbit sram 4m x 18 平行 -
IS63LV1024-12J-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-12J-TR -
RFQ
 ECAD 6685 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） IS63LV1024 sram-非同期 3V〜3.6V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 12ns
IS46TR81280B-125JBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81280B-125JBLA25 -
RFQ
 ECAD 4060 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜115°C 表面マウント 78-TFBGA IS46TR81280 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA （8x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR81280B-125JBLA25 ear99 8542.32.0032 136 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS46LQ16128AL-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128AL-062BLA1 -
RFQ
 ECAD 8140 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-VFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ16128AL-062BLA1 136 1.6 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 128m x 16 LVSTL 18ns
IS46LQ32128A-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128A-062TBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 7878 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ32128A-062TBLA1-TR 2,500 1.6 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 LVSTL 18ns
IS43LD32128A-18BPLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128A-18BPLI-TR -
RFQ
 ECAD 2851 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 168-VFBGA IS43LD32128 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43LD32128A-18BPLI-TR 廃止 1 533 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS61LPS12836A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836A-200B3I -
RFQ
 ECAD 2186 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IS61LPS12836 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS61LPS12836A-200B3I 廃止 84 250 MHz 揮発性 4mbit 2.6 ns sram 128k x 36 平行 -
IS61WV102416EDALL-12TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDALL-12TLI 12.2874
RFQ
 ECAD 7700 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV102416EDALL-12TLI 96 揮発性 16mbit 12 ns sram 1m x 16 平行 12ns
IS25WQ040-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ040-JBLE -
RFQ
 ECAD 7787 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） IS25WQ040 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 90 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 1ms
IS43DR16160B-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-25DBLI 4.6787
RFQ
 ECAD 7836 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 209 400 MHz 揮発性 256mbit 400 PS ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS61WV25616FALL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616FALL-10BLI-TR 3.0653
RFQ
 ECAD 8391 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV25616FALL-10BLI-TR 2,500 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
IS46TR16512A-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512A-125KBLA2 -
RFQ
 ECAD 8549 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-LFBGA IS46TR16512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-lfbga （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16512A-125KBLA2 ear99 8542.32.0036 136 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS42VM16160K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160K-6BLI-TR 5.1153
RFQ
 ECAD 8327 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42VM16160 sdram-モバイル 1.7V〜1.95V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS64WV51216EDBLL-10BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EDBLL-10BLA3 14.9738
RFQ
 ECAD 5733 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS64WV51216 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 8mbit 10 ns sram 512K x 16 平行 10ns
IS25WP016-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016-JLLE -
RFQ
 ECAD 2976 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド IS25WP016 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-wson （8x6） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 16mbit 7 ns フラッシュ 2m x 8 シリアル 800µs
IS46R16160D-6TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160D-6TLA2-TR 6.6529
RFQ
 ECAD 2890 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS46R16160 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR 2.2990
RFQ
 ECAD 1336 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR 2,500 200 MHz 揮発性 16mbit psram 4m x 4 spi -quad i/o 40ns
IS45S16320B-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320B-7BLA1-TR -
RFQ
 ECAD 6522 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS45S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-WBGA （11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS42S32400D-6T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-6T-TR -
RFQ
 ECAD 4804 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS42S32160F-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6TL-TR 11.2500
RFQ
 ECAD 2011年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,500 167 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS43TR82560BL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560BL-125KBL-TR -
RFQ
 ECAD 2477 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR82560BL-125KBL-TR ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
IS25LP064D-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064D-JBLE-TR 1.2082
RFQ
 ECAD 5883 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ - （slc） 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25LP064D-JBLE-TR 2,000 166 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 40µs 、800µs
IS42S32800B-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-6B-TR -
RFQ
 ECAD 9212 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 平行 -
IS42S32160D-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160D-7BL-TR 12.7500
RFQ
 ECAD 9594 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS43TR16256BL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256BL-107MBLI-TR 8.2688
RFQ
 ECAD 7894 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR16256BL-107MBLI-TR ear99 8542.32.0036 1,500 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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