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メモリ（5712）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43QR8K02S2A-083TBL-TR | 39.1020 |  | 5572 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43QR8K02S2A-083TBL-TR | 2,000 | |||||||||||||||||||
 | IS42SM32800E-6BLI | - | | 6548 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42SM32800 | sdram-モバイル | 2.7V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
| IS29GL256-70FLEB-TR | 5.0853 | | 6208 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 64-lbga | フラッシュ - （slc） | 3V〜3.6V | 64-lfbga（11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS29GL256-70FLEB-TR | 2,000 | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 32m x 8 | CFI | 70ns 、200µs | ||||||
| IS43LD32128B-18BLI-TR | 10.9725 | | 8636 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 134-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-TFBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43LD32128B-18BLI-TR | 2,000 | 533 MHz | 揮発性 | 4gbit | 5.5 ns | ドラム | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||
 | IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR | 15.2600 | | 8281 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NVF51236 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 6.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
 | IS42S16100C1-7TL | - | | 1216 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 50-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 143 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5.5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||
| IS61WV10248EEBLL-10B2LI-TR | 6.4497 | | 9540 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS61WV10248EEBLL-10B2LI-TR | 2,500 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 1m x 8 | 平行 | 10ns | ||||||
 | IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR | - | | 7031 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS66WVE1M16 | psram（pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 16mbit | 55 ns | psram | 1m x 16 | 平行 | 55ns | |||
| IS64WV102416FBLL-10CTLA3 | 19.7868 | | 5928 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS64WV102416FBLL-10CTLA3 | 96 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 10ns | ||||||
| IS25LP128F-RHLE | 2.1310 | | 4479 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 2.3V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS25LP128F-RHLE | 480 | 166 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | ||||||
| IS61NLP25672-200B1I-TR | - | | 6836 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 209-BGA | IS61NLP25672 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 209-LFBGA（14x22） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.1 ns | sram | 256k x 72 | 平行 | - | ||
| IS46TR16640ED-15HBLA2-TR | 8.0208 | | 8397 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA （9x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46TR16640ED-15HBLA2-TR | 1,500 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | |||||
| IS25WP064D-RHLA3-TR | 1.7350 | | 4764 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS25WP064D-RHLA3-TR | 2,500 | 166 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | |||||
 | IS46TR16640B-15GBLA25 | - | | 5943 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜115°C | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA （9x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS46TR16640B-15GBLA25 | ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
| IS22TF64G-JQLA1 | 50.8542 | | 4252 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 100-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS22TF64G-JQLA1 | 98 | 200 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
| IS62WV102416ALL-35MI | - | | 9440 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS62WV102416 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-minibga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS62WV102416ALL-35MI | 廃止 | 210 | 揮発性 | 16mbit | 35 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 35ns | |||
| IS43LR16128B-5BLI | 9.8204 | | 5191 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43LR16128B-5BLI | 300 | 208 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||||
| IS25LP064D-RMLE | - | | 1746 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS25LP064D-RMLE | 廃止 | 1 | 166 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | ||||
| IS46TR16640BL-125JBLA25-TR | - | | 8310 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜115°C | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA （9x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS46TR16640BL-125JBLA25-TR | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
 | IS49NLC18320-33BL | - | | 7631 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLC18320 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA （11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 300 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||
| IS46LQ16128A-062TBLA1 | 10.6342 | | 4344 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46LQ16128A-062TBLA1 | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
 | IS46DR81280B-3DBLA2 | - | | 2193 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | IS46DR81280 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| IS25WP020E-JNLE-TR | 0.3011 | | 6300 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 1.7V〜1.95V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS25WP020E-JNLE-TR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 8 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o、qpi | 40µs 、1.2ms | |||||
| IS49NLC36800A-25EWBLI | 31.9177 | | 3382 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA （11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS49NLC36800A-25EWBLI | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 15 ns | ドラム | 8m x 36 | HSTL | - | ||||
| IS46TR16256ECL-125LB2LA1 | - | | 1543 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | - | 96-TWBGA （9x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46TR16256ECL-125LB2LA1 | 136 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||||||
| IS29GL032-70TLET-TR | 2.7884 | | 6967 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS29GL032-70TLET-TR | 1,500 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 16 | CFI | 70ns | ||||||
| IS42S32800D-7BI | - | | 3614 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
| IS42S32160D-6BLI-TR | 16.0350 | | 5162 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
| IS49NLS93200-3333 | - | | 9042 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLS93200 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA （11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 32m x 9 | 平行 | - | ||
 | IS61LV256-15TL | - | | 4789 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） | IS61LV256 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 28-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 234 | 揮発性 | 256kbit | 15 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 15ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
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世界的なメーカー
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