画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS62WV102416GALL-55TLI | 9.4658 | ![]() | 6463 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | IS62WV102416 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 96 | 揮発性 | 16mbit | 55 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 55ns | |||
![]() | IS46TR16640AL-125JBLA1 | - | ![]() | 2552 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS45S16320F-7TLA2 | 15.9034 | ![]() | 1599 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S16320F-7TLI | 13.9200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS25LQ512B-JKLE | - | ![]() | 7854 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25LQ512 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1324 | ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | 不揮発性 | 512kbit | フラッシュ | 64k x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||
![]() | IS66WVO16M8DBLL-133BLI | 5.3800 | ![]() | 86 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | IS66WVO16M8 | psram(pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS66WVO16M8DBLL-13333BLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | psram | 16m x 8 | SPI -OCTAL I/O | 37.5ns | ||
![]() | IS45S16160G-6TLA1 | 6.1407 | ![]() | 6657 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS61QDB22M18-250M3I | - | ![]() | 7063 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDB22 | sram- 同期、クワッド | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(15x17) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS61QDB22M18-250M3I | 廃止 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | 1.35 ns | sram | 2m x 18 | 平行 | - | ||
IS43DR16320C-3DBLI-TR | 5.5050 | ![]() | 9318 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 333 MHz | 揮発性 | 512mbit | 450 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS66WVC2M16EALL-7010BLI | 3.6544 | ![]() | 9430 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | IS66WVC2M16 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 32mbit | 70 ns | psram | 2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | IS62WV102416ALL-35MLI-TR | 21.5250 | ![]() | 6853 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS62WV102416 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-minibga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 16mbit | 35 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 35ns | |||
![]() | IS42S32160A-75BI | - | ![]() | 1246 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-lfbga | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-lfbga (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 144 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 6 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S16800E-75ETLI-TR | - | ![]() | 9573 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | ||
IS64WV6416EEBLL-10CTLA3-TR | 3.8878 | ![]() | 3631 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS64Wv6416 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 10ns | ||||
![]() | IS66WVQ4M4DBLL-13333333 | 3.4400 | ![]() | 358 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | IS66WVQ4M4 | psram(pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS66WVQ4M4DBLL-13333BLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 133 MHz | 揮発性 | 16mbit | psram | 4m x 4 | spi -quad i/o | 37.5ns | ||
![]() | IS62WV5128DALL-55BLI | - | ![]() | 7407 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-tfbga | IS62WV5128 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 36-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 55ns | |||
![]() | IS46TR16128DL-125KBLA25-TR | - | ![]() | 4545 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜115°C | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR16128DL-125KBLA25-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | IS25LP128F-RMLE-TR | 2.0421 | ![]() | 6638 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | IS25LP128 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | |||
![]() | IS45S16160J-7CTLA1-TR | 4.6246 | ![]() | 1037 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S32400B-7BL-TR | - | ![]() | 7675 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS61LF25636A-7.5TQLI | 15.4275 | ![]() | 2512 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LF25636 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 揮発性 | 9mbit | 7.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS61NLP204818B-250B3L-TR | 92.1200 | ![]() | 2649 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NLP204818 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | 2.8 ns | sram | 2m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS61NLP6432A-200TQLI | 5.9867 | ![]() | 6790 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLP6432 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 2mbit | 3.1 ns | sram | 64k x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S16160B-7TL-TR | - | ![]() | 2379 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS61NVP409618B-250B3L | 120.7500 | ![]() | 2295 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NVP409618 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | 揮発性 | 72mbit | 2.8 ns | sram | 4m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS61NLF102436A-7.5TQLI | - | ![]() | 1927年年 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLF102436 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 揮発性 | 36mbit | 7.5 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS61LF51236B-7.5B3LI-TR | 15.6750 | ![]() | 7418 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61LF51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 117 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S16400D-6T-TR | - | ![]() | 4467 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS61NLP102436B-200TLI | 94.3500 | ![]() | 45 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLP102436 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 36mbit | 3.1 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS46TR16640A-125JBLA2-TR | - | ![]() | 4155 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns |
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