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メモリ（5712）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS42S32160B-75TL	-	RFQ	3510	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S32160	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	144	133 MHz	揮発性	512mbit	5.5 ns	ドラム	16m x 32	平行	-
IS42S32200C1-7BLI-TR	-	RFQ	4228	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-lfbga	IS42S32200	SDRAM	3.15V〜3.45V	90-BGA（13x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS42S16320F-7BLI	14.8000	RFQ	12	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS42S16320	SDRAM	3V〜3.6V	54-TW-BGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	240	143 MHz	揮発性	512mbit	5.4 ns	ドラム	32m x 16	平行	-
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IS61WV51216EDBLL-10BLI	12.2000	RFQ	5	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	IS61WV51216	sram-非同期	2.4V〜3.6V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	480		揮発性	8mbit	10 ns	sram	512K x 16	平行	10ns
IS62WV12816BLL-55T-TR	-	RFQ	5465	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS62WV12816	sram-非同期	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		揮発性	2mbit	55 ns	sram	128k x 16	平行	55ns
IS61VF51236A-7.5B3-TR	-	RFQ	4653	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA	IS61VF51236	sram- sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	117 MHz	揮発性	18mbit	7.5 ns	sram	512K x 36	平行	-
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IS42S32200C1-6TL-TR	-	RFQ	5133	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S32200	SDRAM	3.15V〜3.45V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,500	166 MHz	揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
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IS46LD32320A-3BLA2	-	RFQ	2517	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	134-TFBGA	IS46LD32320	SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4	1.14V〜1.95V	134-TFBGA （10x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	171	333 MHz	揮発性	1gbit		ドラム	32m x 32	平行	15ns
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IS25LQ016B-JBLE-TR	-	RFQ	2591	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	IS25LQ016	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	2,000	104 MHz	不揮発性	16mbit		フラッシュ	2m x 8	spi -quad i/o	1ms
IS42S86400D-6TL-TR	12.9150	RFQ	6534	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S86400	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	1,500	166 MHz	揮発性	512mbit	5.4 ns	ドラム	64m x 8	平行	-
IS43LR16800G-6BLI	4.5560	RFQ	7324	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	60-TFBGA	IS43LR16800	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	300	166 MHz	揮発性	128mbit	5.5 ns	ドラム	8m x 16	平行	15ns
IS49NLS93200A-18WBLI	33.5439	RFQ	8996	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	144-TFBGA	IS49NLS93200	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-TWBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS49NLS93200A-18WBLI			104	533 MHz	揮発性	288mbit	15 ns	ドラム	32m x 9	HSTL	-
IS61DDB21M36-275M3	-	RFQ	2785	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61DDB21	sram- ddr ii	1.71V〜1.89V	165-lfbga（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	105	275 MHz	揮発性	36mbit		sram	1m x 36	平行	-
IS46LD32640C-18BLA1	-	RFQ	1270	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	134-TFBGA		SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4	1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V	134-TFBGA （10x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS46LD32640C-18BLA1			1	533 MHz	揮発性	2Gbit	5.5 ns	ドラム	64m x 32	HSUL_12	15ns
IS43TR16640CL-125JBLI	4.5200	RFQ	2	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS43TR16640CL-125JBLI	ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS42S32400D-7BI	-	RFQ	8692	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32400	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	240	143 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
IS43R86400E-6BL-TR	-	RFQ	7241	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	60-TFBGA	IS43R86400	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	60-tfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	2,500	166 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	64m x 8	平行	15ns
IS29GL128-70FLET	7.2900	RFQ	288	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	64-lbga	IS29GL128	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	64-lfbga（11x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS29GL128-70FLET	3A991B1A	8542.32.0071	144		不揮発性	128mbit	70 ns	フラッシュ	16m x 8	平行	200µs
IS64WV51216BLL-10CTLA3-TR	15.6750	RFQ	4345	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS64WV51216	sram-非同期	2.4V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		揮発性	8mbit	10 ns	sram	512K x 16	平行	10ns
IS42VM32400E-75BLI	-	RFQ	6352	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS42VM32400	sdram-モバイル	1.7V〜1.95V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	240	133 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
IS25LQ010A-JDLE-TR	-	RFQ	1949年年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	IS25LQ010	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	8-tssop	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	3,500	80 MHz	不揮発性	1mbit		フラッシュ	128k x 8	spi -quad i/o	400µs
IS61WV25616FALL-10BLI	3.2589	RFQ	7502	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA		sram-非同期	1.65V〜2.2V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS61WV25616FALL-10BLI			480		揮発性	4mbit	10 ns	sram	256k x 16	平行	10ns
IS42S32400E-6BLI-TR	-	RFQ	6232	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32400	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	平行	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²