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メモリ（5712）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS61WV10248EEBLL-10TLI-TR | 6.4861 |  | 3455 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS61WV10248EEBLL-10TLI-TR | 1,000 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 1m x 8 | 平行 | 10ns | ||||||
 | IS43DR16640B-3DBL | 6.1100 | | 8360 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-1202 | ear99 | 8542.32.0032 | 209 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
| IS29GL256-70SLET-TR | 5.2027 | | 7007 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | フラッシュ - （slc） | 3V〜3.6V | 56-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS29GL256-70SLET-TR | 800 | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 32m x 8 | CFI | 70ns 、200µs | ||||||
 | IS25LP040E-JNLE | 0.3900 | | 9208 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | IS25LP040 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS25LP040E-JNLE | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 8 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 1.2ms | |
 | IS42S16160B-7TI | - | | 2567 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
| IS43QR16512A-075VBLI | 19.5230 | | 9859 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-TWBGA （10x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43QR16512A-075VBLI | 136 | 1.333 GHz | 揮発性 | 8gbit | 18 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |||||
 | IS42S32800B-7TL-TR | - | | 4782 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
 | IS42VM32200M-75BLI | 3.2542 | | 9171 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42VM32200 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 6 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | ||
 | IS61DDB41M36C-250M3 | - | | 5549 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-lbga | IS61DDB41 | sram- ddr ii | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga（15x17） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | 8.4 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | ||
 | IS46LD32640C-18BLA2-TR | - | | 8721 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 134-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-TFBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS46LD32640C-18BLA2-TR | 1 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5.5 ns | ドラム | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||||
| IS25LP016D-JNLA3-TR | 0.8877 | | 9958 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS25LP016D-JNLA3-TR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | |||||
 | IS61LPD102418A-200TQI | - | | 6446 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LPD102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.1 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
| IS61WV102416DBLL-10BLI-TR | 11.3550 | | 7129 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS61WV102416 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 10ns | |||
| IS62WV10248HBLL-45BLI-TR | 3.8489 | | 9764 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA （6x8） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS62WV10248HBLL-45BLI-TR | 2,500 | 揮発性 | 8mbit | 45 ns | sram | 1m x 8 | 平行 | 45ns | ||||||
 | IS45S16100E-7TLA1-TR | - | | 9813 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅） | IS45S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 50-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 143 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5.5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||
 | IS61LV256-12TLI-TR | - | | 5845 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） | IS61LV256 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 28-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 256kbit | 12 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 12ns | |||
| IS42RM32400H-75BLI | 4.8188 | | 4933 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42RM32400 | sdram-モバイル | 2.3V〜3V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 6 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
 | IS49rl18320-107bli | - | | 6900 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-lbga | IS49RL18320 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA（13.5x13.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 933 MHz | 揮発性 | 576mbit | 10 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||
 | IS43TR16128BL-15HBLI-TR | - | | 4675 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| IS61LPD51236A-200TQI | - | | 2461 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LPD51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.1 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
| IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR | 7.0200 | | 3604 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS61WV51216 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 10ns | |||
| IS61LPS102418B-200TQLI-TR | 13.9821 | | 3962 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LPS102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
 | IS62WV12816BLL-55TLI-TR | 2.8500 | | 593 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS62WV12816 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 2mbit | 55 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 55ns | |||
| IS43TR16256AL-125KBLI-TR | - | | 7527 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| IS25WP020E-JYLE-TR | 0.3919 | | 3917 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.7V〜1.95V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS25WP020E-JYLE-TR | 5,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 8 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o、qpi | 40µs 、1.2ms | |||||
| IS61LPS25636A-200TQI | - | | 3093 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LPS25636 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.1 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
 | IS41LV16105B-60KL-TR | - | | 6910 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 42-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） | IS41LV16105 | DRAM -FP | 3V〜3.6V | 42-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 揮発性 | 16mbit | 30 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | |||
| IS42VM32200M-75BLI-TR | 3.1263 | | 1546 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42VM32200 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 2,500 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 6 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | ||
| IS42S16400F-6TLI-TR | - | | 7832 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | ||
 | IS43R32800D-5BL-TR | - | | 4686 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 144-LFBGA | IS43R32800 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 144-LFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns |
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