画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IS46DR16640B-3DBLA1-TR | 7.9950 | ![]() | 3092 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS46DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS43LD16128B-25BL-TR | 9.3750 | ![]() | 4030 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-TFBGA | IS43LD16128 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.95V | 134-TFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS46LQ32640AL-062BLA2-TR | - | ![]() | 6028 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-VFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-VFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46LQ32640AL-062BLA2-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 64m x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
![]() | IS43DR86400E-25DBLI-TR | 4.9630 | ![]() | 4800 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43DR86400 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS43TR81280CL-125JBLI-TR | 3.5251 | ![]() | 8781 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS43TR81280CL-125JBLI-TR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | IS42S16100E-6TLI | - | ![]() | 1787 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 50-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 166 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5.5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S16100F-7BL-TR | - | ![]() | 1704 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | IS42S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-TFBGA (6.4x10.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 143 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5.5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||
IS43DR16640B-25DBL-TR | 4.2171 | ![]() | 7060 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS42S16400J-7Bl | 1.8062 | ![]() | 9524 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS61LPS25636B-200TLI | 15.3000 | ![]() | 3300 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LPS25636 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1538 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.1 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |
![]() | IS42S16400D-7TI-TR | - | ![]() | 8242 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS43TR16512B-107MBL-TR | 17.5826 | ![]() | 3610 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43TR16512B-107MBL-TR | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | IS43DR81280C-3DBL-TR | 3.0653 | ![]() | 3081 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 60-TFBGA | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43DR81280C-3DBL-TR | 2,000 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 8 | SSTL_18 | 15ns | |||||
![]() | IS43LR16640C-6BL-TR | 6.7805 | ![]() | 8290 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43LR16640C-6BL-TR | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR | 3.8489 | ![]() | 8743 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR | 2,500 | 揮発性 | 8mbit | 45 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 45ns | ||||||
![]() | IS61NLP51236B-200B3li | 20.7400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NLP51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS61WV51232BLL-10BLI | 18.6794 | ![]() | 2691 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS61WV51232 | sram-非同期 | 1.65v〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 240 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 512K x 32 | 平行 | 10ns | |||
![]() | IS43QR16256B-083RBLI | 13.3100 | ![]() | 654 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-BGA | IS43QR16256 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-BGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1734 | ear99 | 8542.32.0036 | 198 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS43TR16128DL-125KBLI | 6.3600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1725 | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | IS46TR16256B-125KBLA1-TR | 7.7038 | ![]() | 3832 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR16256B-125KBLA1-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | IS25LQ032B-JKLE | - | ![]() | 1093 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25LQ032 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1336 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 1ms | ||
![]() | IS43TR85120BL-107MBLI-TR | - | ![]() | 9359 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | IS43TR85120 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS43TR85120BL-107MBLI-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | IS62WV20488EBLL-55BLI-TR | - | ![]() | 7588 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS62WV20488 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 16mbit | 55 ns | sram | 2m x 8 | 平行 | 55ns | |||
![]() | IS25WX256-JHLE | 5.4400 | ![]() | 474 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | IS25WX256 | フラッシュ | 1.7V〜2V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25WX256-JHLE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - | ||
![]() | IS45S16160G-7TLA1-TR | 5.3954 | ![]() | 8737 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS43LR32640B-6BLI-TR | 9.0573 | ![]() | 7096 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43LR32640B-6BLI-TR | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | IS29GL256-70DLET | 7.7700 | ![]() | 66 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 64-lbga | IS29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS29GL256-70DLET | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | 200µs | ||
![]() | IS46LD32320A-25BLA2-TR | - | ![]() | 6813 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 134-TFBGA | IS46LD32320 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.95V | 134-TFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,200 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 32m x 32 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS25WX064-JHLE | 2.8800 | ![]() | 7834 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | IS25WX064 | フラッシュ | 1.7V〜2V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25WX064-JHLE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - | ||
![]() | IS42RM32400H-6BLI | 5.0466 | ![]() | 1951年年 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42RM32400 | sdram-モバイル | 2.3V〜2.7V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.5 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - |
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