SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS46DR16640B-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-3DBLA1-TR 7.9950
RFQ
ECAD 3092 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,500 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS43LD16128B-25BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128B-25BL-TR 9.3750
RFQ
ECAD 4030 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 134-TFBGA IS43LD16128 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.95V 134-TFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS46LQ32640AL-062BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640AL-062BLA2-TR -
RFQ
ECAD 6028 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 200-VFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-VFBGA (10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS46LQ32640AL-062BLA2-TR 2,500 1.6 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 64m x 32 LVSTL 18ns
IS43DR86400E-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-25DBLI-TR 4.9630
RFQ
ECAD 4800 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
IS43TR81280CL-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280CL-125JBLI-TR 3.5251
RFQ
ECAD 8781 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS43TR81280CL-125JBLI-TR ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS42S16100E-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-6TLI -
RFQ
ECAD 1787 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S16100 SDRAM 3V〜3.6V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 117 166 MHz 揮発性 16mbit 5.5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS42S16100F-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-7BL-TR -
RFQ
ECAD 1704 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3V〜3.6V 60-TFBGA (6.4x10.1 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 揮発性 16mbit 5.5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS43DR16640B-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-25DBL-TR 4.2171
RFQ
ECAD 7060 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,500 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS42S16400J-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-7Bl 1.8062
RFQ
ECAD 9524 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TFBGA IS42S16400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS61LPS25636B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636B-200TLI 15.3000
RFQ
ECAD 3300 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lqfp IS61LPS25636 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp(14x20) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-1538 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 揮発性 9mbit 3.1 ns sram 256k x 36 平行 -
IS42S16400D-7TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-7TI-TR -
RFQ
ECAD 8242 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S16400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS43TR16512B-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512B-107MBL-TR 17.5826
RFQ
ECAD 3610 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (10x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43TR16512B-107MBL-TR 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS43DR81280C-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280C-3DBL-TR 3.0653
RFQ
ECAD 3081 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 60-TFBGA SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43DR81280C-3DBL-TR 2,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 128m x 8 SSTL_18 15ns
IS43LR16640C-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16640C-6BL-TR 6.7805
RFQ
ECAD 8290 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-TFBGA sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43LR16640C-6BL-TR 2,000 166 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR 3.8489
RFQ
ECAD 8743 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-VFBGA sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR 2,500 揮発性 8mbit 45 ns sram 512K x 16 平行 45ns
IS61NLP51236B-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236B-200B3li 20.7400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 165-TBGA IS61NLP51236 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 MHz 揮発性 18mbit 3 ns sram 512K x 36 平行 -
IS61WV51232BLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51232BLL-10BLI 18.6794
RFQ
ECAD 2691 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA IS61WV51232 sram-非同期 1.65v〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 240 揮発性 16mbit 10 ns sram 512K x 32 平行 10ns
IS43QR16256B-083RBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256B-083RBLI 13.3100
RFQ
ECAD 654 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-BGA IS43QR16256 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-BGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-1734 ear99 8542.32.0036 198 1.2 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS43TR16128DL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128DL-125KBLI 6.3600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-1725 ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS46TR16256B-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256B-125KBLA1-TR 7.7038
RFQ
ECAD 3832 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46TR16256B-125KBLA1-TR ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS25LQ032B-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ032B-JKLE -
RFQ
ECAD 1093 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-wdfn露出パッド IS25LQ032 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-wson (6x5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-1336 3A991B1A 8542.32.0071 570 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 1ms
IS43TR85120BL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120BL-107MBLI-TR -
RFQ
ECAD 9359 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS43TR85120BL-107MBLI-TR ear99 8542.32.0036 1,500 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS62WV20488EBLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV20488EBLL-55BLI-TR -
RFQ
ECAD 7588 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV20488 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 16mbit 55 ns sram 2m x 8 平行 55ns
IS25WX256-JHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX256-JHLE 5.4400
RFQ
ECAD 474 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-tbga IS25WX256 フラッシュ 1.7V〜2V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS25WX256-JHLE 3A991B1A 8542.32.0071 480 200 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 SPI -OCTAL I/O -
IS45S16160G-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-7TLA1-TR 5.3954
RFQ
ECAD 8737 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS45S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS43LR32640B-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32640B-6BLI-TR 9.0573
RFQ
ECAD 7096 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43LR32640B-6BLI-TR 2,500 166 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 15ns
IS29GL256-70DLET ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL256-70DLET 7.7700
RFQ
ECAD 66 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 64-lbga IS29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS29GL256-70DLET 3A991B1A 8542.32.0071 260 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 32m x 8 平行 200µs
IS46LD32320A-25BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32320A-25BLA2-TR -
RFQ
ECAD 6813 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 134-TFBGA IS46LD32320 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.95V 134-TFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,200 400 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 15ns
IS25WX064-JHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX064-JHLE 2.8800
RFQ
ECAD 7834 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-tbga IS25WX064 フラッシュ 1.7V〜2V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS25WX064-JHLE 3A991B1A 8542.32.0071 480 200 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
IS42RM32400H-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32400H-6BLI 5.0466
RFQ
ECAD 1951年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42RM32400 sdram-モバイル 2.3V〜2.7V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 4m x 32 平行 -
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    毎日の平均RFQボリューム

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